黄爱华
- 作品数：6 被引量：3H指数：2
- 供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子研究院更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 正偏栅控二极管R-G电流方法测量SOI MOS管中应力诱生界面陷阱的实验研究
- 本文完成了正偏栅控二极管生产—复合电流法测量SOI MOS管中由于应力产生的界面陷阱密度的实验研究.该试验方法简单而且比较准确,它可以直接测得应力产生的平均界面陷阱密度,从而表征器件的抗热载流子特性.对于本文测量的器件,...
- 黄爱华何进张兴黄如
- 关键词：栅控二极管
- 文献传递
- 纳米时代的新型CMOS器件被引量：2
- 2001年
- 体硅CMOS技术已经发展了25年以上,成为VLSI的主流技术,通过不断缩小器件尺寸CMOS VLSI的集成度已增长了6个数量级,电路性能也不断提高。现在,0.1gm(100nm)以下的CMOS器件已开始从实验室走入生产线。
- 甘学温黄爱华卜伟海张兴
- 关键词：CMOS器件场效应晶体管纳米
- 进入纳米时代的CMOS设计被引量：2
- 2000年
- 本论文着重论述未来CMOS进入纳米尺寸的关键挑战 ,如 :电源电压和阈值电压减小、短沟效应、量子效应、杂质数起伏以及互连线延迟等影响。分析了纳米CMOS器件结构的设计 ,讨论了用于纳米尺寸的新型器件结构 ,包括SOICMOS、双栅和环栅MOSFET、凹陷沟道MOSFET、动态阈值MOSFET以及低温CMOS ,它们可能把我们带至硅器件设计的最远极限。
- 甘学温黄爱华黄如张兴
- 关键词：CMOSSOI器件
- 正向栅控二极管的 R- G电流直接表征 NMOSFET沟道 pocket或 halo注入区(英文)
- 2001年
- 使用半导体器件数值分析工具 DESSISE- ISE,对正向栅控二极管 R- G电流表征 NMOSFET沟道 pocket或halo注入区进行了详尽的研究 .数值分析表明 :由于栅控正向二极管界面态 R- G电流的特征 ,沟道工程 pocket或halo注入区的界面态会产生一个独立于本征沟道界面态 R- G电流特征峰的附加特征峰 .该峰的幅度对应于 pocket或 halo区的界面态大小 ,而其峰位置对应于 pocket或 halo区的有效表面浓度 .数值分析还进一步显示了该附加特征峰的幅度对 pocket或 halo区的界面态变化的敏感性和该峰的位置对 pocket或 halo区的有效表面浓度变化的敏感性 .根据提出的简单表达式 ,可以用实验得到的 R- G电流的特征直接抽取沟道工程的 pocket或
- 何进黄爱华张兴黄如
- 关键词：R-G电流NMOSFET沟道场效应晶体管
- 复合栅控二极管技术提取热载流子诱生的SOI NMOS器件界面陷阱横向分布的研究
- 本文提出了复合栅控二极管技术提取MOS器件界面陷阱沿沟道横向分布的原理,给出了具体的测试步骤和方法.在此基础上,对具有体接触的SOI NMOS器件进行了具体的测试和分析,给出了不同的累积应力时间下的界面陷阱沿沟道方向的模...
- 何进黄爱华张兴黄如
- 文献传递
- 正向栅控二极管R-G电流表征SOI MOS器件界面态及相关参数的研究
- 当栅控二极管处于正向小偏压时,与界面或者体陷阱有关的产生-复合(R-G)电流贡献将超过扩散电流成为总电流主要的组成部分.通过对栅偏压的控制,可以激活或者屏蔽R-G电流的贡献,使得测量得到的二极管电流随着栅偏压的变化呈现明...
- 黄爱华
- 关键词：R-G电流栅控二极管
