甘学温
- 作品数：36 被引量：90H指数：5
- 供职机构：北京大学微电子学研究院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 基于CORDIC算法的三角函数发生器的CMOS电路设计
- 本文提出了基于CORDIC算法实现三角函数发生器的CMOS电路设计.给出了该三角函数发生器的结构,以及其中各部分的CMOS电路实现,利用电路模拟验证了电路的功能,并且通过电路模拟对该发生器的精度进行了分析.
- 黄媛媛边伟甘学温
- 关键词：集成电路芯片设计函数发生器
- 文献传递
- 用于射频电路的CMOS器件设计
- 2002年
- CMOS IC依靠按比例缩小技术不断向前发展,现在已进入深亚微米至纳米时代,这不仅意味着Gbit规模的集成度、GHz的时钟频率以及系统芯片(SOC)的实现,也使CMOS技术进入射频(RF)领域。
- 甘学温程伟张兴
- 关键词：射频电路双极晶体管截止频率深亚微米双极器件电流比
- 数字化和数字电路
- 2000年
- 甘学温林毅竞
- 关键词：数字化数字电路DRAMDVD
- 一种改进的CCS-CSS加法器电路
- 本文介绍了一种改进的加法器CCS进位链电路,并与没有进行改进的传统的CCS进位链电路进行比较.对这两种电路结构在同样的条件下用SPICE模拟,实验结果证明:4-bit加法器单元的进位传输延迟时间缩短了34.39﹪,并且第...
- 吴珂甘学温赵宝瑛
- 关键词：电路结构进位链
- 文献传递
- 进入纳米时代的CMOS设计被引量：2
- 2000年
- 本论文着重论述未来CMOS进入纳米尺寸的关键挑战 ,如 :电源电压和阈值电压减小、短沟效应、量子效应、杂质数起伏以及互连线延迟等影响。分析了纳米CMOS器件结构的设计 ,讨论了用于纳米尺寸的新型器件结构 ,包括SOICMOS、双栅和环栅MOSFET、凹陷沟道MOSFET、动态阈值MOSFET以及低温CMOS ,它们可能把我们带至硅器件设计的最远极限。
- 甘学温黄爱华黄如张兴
- 关键词：CMOSSOI器件
- 对加法器CCS进位链的改进被引量：2
- 2006年
- 介绍了一种对加法器CCS进位链的改进电路,并与没有进行改进的传统的CCS进位链电路进行比较。对这两种电路结构在同样的条件下用SPICE模拟。从实验结果中可以看到,4-bit的加法器单元的进位传输延迟时间缩短了34.39%,并且第4位和的传输延迟时间缩短了33.95%。
- 吴珂甘学温赵宝瑛
- 关键词：进位链加法器CCSCSS
- VLSI的发展与计算机
- 1991年
- 在二十年前还很少有人知道的计算机和集成电路,今天已深入到人们工作和生活的各个领域。如果说,十八世纪蒸汽机的发明所引起的工业革命使人类做功的本领得到成倍增长,那么二十世纪以集成电路和电子计算机为代表的高科技的发展所引起的技术革命,则使人类在智力方面得到成倍的增长。电子计算机的发展是以大规模集成电路(LSIC。
- 甘学温莫邦■
- 关键词：版图设计存储器芯片半导体存储器沟道长度电路功能
- CMOS／SOI电路模拟与参数提取
- 1995年
- ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴ主要模型参数得到一致的提取，因而该模型嵌入ＳＰＩＣＥ后能保证ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的正确模拟工作，从ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件和环振电路的模拟结果和实验结果看，两者符合得较好，说明我们所采用的ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ器件模型及其参数提取都是成功的。
- 甘学温奚雪梅李益民王阳元
- 新一代存储技术：阻变存储器被引量：15
- 2011年
- 阻变存储器具有存储单元结构简单、工作速度快、功耗低、有利于提高集成密度等诸多优点,受到广泛的关注。作者论述了RRAM的基本结构和工作原理,并介绍了三维集成和多值存储等RRAM新型技术。
- 王源贾嵩甘学温
- 环栅和双栅MOSFET短沟效应分析
- 基于电荷分享原理,推导了双栅和环栅MOSFET短沟效应造成的阈值电压下降,分析了栅氧化层厚度、衬底掺杂浓度及硅膜厚度等因素对短沟效应的影响,并用数值模拟验证了理论结果。这些研究结果对进一步开展纳米CMOS新器件的研究有很...
- 甘学温王旭社张兴
- 文献传递
