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氧化锌基纳米材料的制备及光电化学性质的研究: 近年来，纳米半导体材料因其独特的性质被应用于光催化、太阳能电池以及气体传感器等领域。在众多纳米材料中，氧化锌(ZnO)作为逐渐兴起的一种新型半导体材料，其具有禁带宽、激子束缚能高、无毒、成本低、抗辐射能力强和机电耦合性能...; 闫伟平; 关键词：ZNO 纳米棒阵列; 文献传递

In_2O_3敏化ZnO纳米棒阵列的性能及其光电催化活性被引量：6: 2013年; 以掺氟SnO2(FTO)导电玻璃为基底,采用水热法制备了ZnO纳米棒阵列.通过In(NO3)3水溶液水洗的方法,合成了In2O3敏化ZnO纳米棒阵列光催化剂.采用场发射扫描电子显微镜(FESEM),X射线能谱(EDX),X射线衍射(XRD)及紫外-可见漫反射光谱(UV-VisDRS)对样品的形貌、结构、组成、晶相等进行一系列的表征.以罗丹明B(RhB)为目标降解物,探究了In2O3敏化ZnO纳米棒阵列光电催化活性.采用场诱导表面光伏技术(FISPV)研究了不同含量的In2O3敏化ZnO纳米棒阵列在光照射下的光生电荷行为.结合电化学工作站检测不同样品的光电流,随着In2O3敏化量的改变,光电流和开路电压也随之改变.并探讨了In2O3敏化ZnO纳米棒阵列光生电荷行为与光电催化活性之间的关系.结果表明,适量In2O3敏化的ZnO光催化剂在可见光下2h内对罗丹明B的降解效率达到95%,是单纯ZnO纳米棒阵列的2.4倍.; 闫伟平王德军陈礼平卢永春谢腾峰林艳红; 关键词：纳米棒阵列表面光电压

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闫伟平