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In_2O_3敏化ZnO纳米棒阵列的性能及其光电催化活性被引量：6: 2013年; 以掺氟SnO2(FTO)导电玻璃为基底,采用水热法制备了ZnO纳米棒阵列.通过In(NO3)3水溶液水洗的方法,合成了In2O3敏化ZnO纳米棒阵列光催化剂.采用场发射扫描电子显微镜(FESEM),X射线能谱(EDX),X射线衍射(XRD)及紫外-可见漫反射光谱(UV-VisDRS)对样品的形貌、结构、组成、晶相等进行一系列的表征.以罗丹明B(RhB)为目标降解物,探究了In2O3敏化ZnO纳米棒阵列光电催化活性.采用场诱导表面光伏技术(FISPV)研究了不同含量的In2O3敏化ZnO纳米棒阵列在光照射下的光生电荷行为.结合电化学工作站检测不同样品的光电流,随着In2O3敏化量的改变,光电流和开路电压也随之改变.并探讨了In2O3敏化ZnO纳米棒阵列光生电荷行为与光电催化活性之间的关系.结果表明,适量In2O3敏化的ZnO光催化剂在可见光下2h内对罗丹明B的降解效率达到95%,是单纯ZnO纳米棒阵列的2.4倍.; 闫伟平王德军陈礼平卢永春谢腾峰林艳红; 关键词：纳米棒阵列表面光电压

基于TiO2纳米管阵列的光催化剂光生电荷行为及催化性质研究: 利用表面光电压(SPV)谱及相应的相位谱可以对光催化材料的光生电荷分离效率、迁移方向及复合陕慢等问题进行详细的研究。本文制备了单纯的TiO2纳米管阵列和ZnFe2O4负载的TiO2纳米管阵列，利用表面光电压(SPV)手段...; 陈礼平谢腾峰王德军; 关键词：表面光电压 TIO2纳米管阵列光催化剂

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陈礼平