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赵静

作品数：5 被引量：1H指数：1
供职机构：信息产业部更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 2篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇砷化镓
  • 3篇模拟开关
  • 3篇GAAS
  • 2篇单片
  • 2篇相关器
  • 1篇电路
  • 1篇电容滤波
  • 1篇电容滤波器
  • 1篇电子开关
  • 1篇振铃
  • 1篇滤波器
  • 1篇脉冲
  • 1篇开关
  • 1篇开关电容
  • 1篇开关电容滤波...
  • 1篇集成电路
  • 1篇光刻
  • 1篇光刻技术
  • 1篇飞行
  • 1篇飞行器

机构

  • 5篇信息产业部
  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 5篇赵静
  • 4篇白锡巍
  • 3篇王云生
  • 3篇张绵
  • 1篇叶甜春
  • 1篇胥兴才
  • 1篇李兵
  • 1篇谢常青
  • 1篇赵玲莉
  • 1篇刘训春
  • 1篇陈大鹏
  • 1篇张绵
  • 1篇陈朝晖

传媒

  • 2篇功能材料与器...
  • 1篇全国化合物半...
  • 1篇2000全国...
  • 1篇第六届全国抗...

年份

  • 4篇2000
  • 1篇1999
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
0.1-0.3μm X射线光刻技术在GaAs器件制作中的应用
2000年
对同步辐射X射线光刻及在GaAsPHEMT器件制作中的应用进行了研究,并制作出栅长0.15μm的AlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMT晶体管。研究结果表明,X射线光刻在剥离图形及T型栅结构制作工艺中具有极好的光刻图形质量，在混合光刻工艺中，抑止GaAs合金点的形成是取得良好对准标记的关键。
叶甜春谢常青李兵陈大鹏陈朝晖赵玲莉胥兴才刘训春张绵赵静
关键词：X射线光刻PHEMTT型栅
GaAs电子开关抗γ剂量率研究
提出了一种新颖的电电流电路补偿技术，明显地提高了GaAs电子开关的抗γ剂量率的能力。结合其他的技术措施，最终获得的结果为：GaAs开关组件在1.1×10<,11>rad(Si)/s的γ剂量的辐照下、...
王云生张绵赵静白锡巍
关键词：砷化镓电子开关Γ剂量率
毫微秒脉冲相关器应用的GaAs单片超高速模拟开关IC被引量：1
2000年
介绍一种GaAs单片超高速模拟开关IC的设计和制备。电路设计采用了独特的开关管导通时栅－源电压跟随和开关管关断时栅－源电压箝位的电路，使开关获得良好的线性和3ns的开启和关断超高速特性，满足了毫微秒脉冲相关信号的处理要求。
王云生张绵赵静白锡巍
关键词：砷化镓模拟开关相关器飞行器
毫微秒脉冲相关器应用的GaAs单片超高速模拟开关IC
介绍一种GaAs单片超高速模拟开关IC的设计和制备。电路设计采用了独特的开关管导通时栅－源电压跟随和开关管关断时栅－源电压箝位的电路，使开关获得良好的线性和3ns的开启和关断超高速特性，满足了毫微秒脉冲相关信号的处理要求...
王云生张绵赵静白锡巍
关键词：砷化镓模拟开关集成电路相关器
文献传递
低泄漏GaAs FET模拟开关的研究
GaAsFET模拟开关已经用于开关电容、开关电容滤波器、自校准、采样保持、信号切换、选通等电路中,频率从几十兆赫兹到几千兆赫.例如GaAs开关电容滤波器的开关频率已经高达500MHz和1GHz.但是,由于过去的模拟开关很...
赵静白锡巍
关键词：模拟开关GAASFET开关电容滤波器
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