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白锡巍

作品数：8 被引量：9H指数：1
供职机构：信息产业部更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 4篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 6篇砷化镓
  • 5篇GAAS
  • 3篇模拟开关
  • 2篇单片
  • 2篇射频
  • 2篇射频开关
  • 2篇相关器
  • 2篇开关
  • 1篇低频振荡
  • 1篇电路
  • 1篇电容滤波
  • 1篇电容滤波器
  • 1篇电子开关
  • 1篇噪声
  • 1篇振荡
  • 1篇振铃
  • 1篇驱动器
  • 1篇滤波器
  • 1篇脉冲
  • 1篇开关电容

机构

  • 5篇信息产业部
  • 2篇电子工业部
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 8篇白锡巍
  • 4篇王云生
  • 4篇赵静
  • 4篇张绵
  • 1篇李和委
  • 1篇王云生
  • 1篇赵静
  • 1篇张绵
  • 1篇李岚

传媒

  • 3篇半导体情报
  • 2篇全国化合物半...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇2000全国...
  • 1篇第六届全国抗...

年份

  • 5篇2000
  • 2篇1999
  • 1篇1997
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
半绝缘砷化镓中的低频振荡及其对FET噪声性能的影响
对无光照条件下测量背栅时，部分半绝缘砷化镓材料呈现明显低频振荡。对振荡特性进行了初步研究，并观察了振荡对GaAs MESFET噪声性能的影响。实验结果表明了采用不同低频振荡特性的材料制备器件时，其噪声性能也有差别。
张绵王云生李岚白锡巍
关键词：半绝缘砷化镓低频振荡噪声
文献传递
GaAs电子开关抗γ剂量率研究
提出了一种新颖的电电流电路补偿技术，明显地提高了GaAs电子开关的抗γ剂量率的能力。结合其他的技术措施，最终获得的结果为：GaAs开关组件在1.1×10<,11>rad(Si)/s的γ剂量的辐照下、...
王云生张绵赵静白锡巍
关键词：砷化镓电子开关Γ剂量率
高速GaAs驱动器
1997年
报道了用于驱动ＧａＡｓＭＭＩＣ射频开关的高速ＧａＡｓ驱动器的设计与制作。测试结果为：同相输出时，上升时间６ｎｓ，延迟时间４．８ｎｓ，下降时间６ｎｓ，延迟时间４ｎｓ；反相输出时，上升时间６．５ｎｓ，延迟时间３ｎｓ，下降时间１０ｎｓ，延迟时间６．７ｎｓ。与ＧａＡｓＭＭＩＣ射频开关进行了联试，结果不仅没有影响开关的射频特性。
李和委白锡巍
关键词：半导体驱动器射频开关砷化镓
毫微秒脉冲相关器应用的GaAs单片超高速模拟开关IC被引量：1
2000年
介绍一种GaAs单片超高速模拟开关IC的设计和制备。电路设计采用了独特的开关管导通时栅－源电压跟随和开关管关断时栅－源电压箝位的电路，使开关获得良好的线性和3ns的开启和关断超高速特性，满足了毫微秒脉冲相关信号的处理要求。
王云生张绵赵静白锡巍
关键词：砷化镓模拟开关相关器飞行器
毫微秒脉冲相关器应用的GaAs单片超高速模拟开关IC
介绍一种GaAs单片超高速模拟开关IC的设计和制备。电路设计采用了独特的开关管导通时栅－源电压跟随和开关管关断时栅－源电压箝位的电路，使开关获得良好的线性和3ns的开启和关断超高速特性，满足了毫微秒脉冲相关信号的处理要求...
王云生张绵赵静白锡巍
关键词：砷化镓模拟开关集成电路相关器
文献传递
低泄漏GaAs FET模拟开关的研究
GaAsFET模拟开关已经用于开关电容、开关电容滤波器、自校准、采样保持、信号切换、选通等电路中,频率从几十兆赫兹到几千兆赫.例如GaAs开关电容滤波器的开关频率已经高达500MHz和1GHz.但是,由于过去的模拟开关很...
赵静白锡巍
关键词：模拟开关GAASFET开关电容滤波器
阶跃二极管高阶倍频器研制被引量：7
2000年
介绍了倍频器的原理、应用以及阶跃二极管倍频器的设计方法并给出了结果。
张广显白锡巍
关键词：倍频器
GaAs MMIC射频开关设计与研制被引量：1
1999年
介绍了ＧａＡｓＭＭＩＣＲＦ开关的设计方法，在这种方法中，把ＭＥＳＦＥＴ当作一个两端口网络处理，直接提取开与关两种状态下网络（ＭＥＳＦＥＴ）的Ｓ参数，应用Ｓ参数进行开关电路的ＣＡＤ。这种设计方法更准确，更简单，容易实现。文中还给出了ＧａＡｓＭＭＩＣＲＦ开关的研制结果。
白锡巍赵静王云生张绵
关键词：砷化镓开关MMIC
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