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王东红
作品数:
7
被引量:2
H指数:1
供职机构:
复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室
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发文基金:
国家自然科学基金
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合作作者
黄大鸣
复旦大学物理学系应用表面物理国...
王杰
复旦大学物理学系应用表面物理国...
靳彩霞
复旦大学物理学系应用表面物理国...
沈孝良
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刘晓晗
复旦大学物理学系应用表面物理国...
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2篇
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1篇
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Zn_(1-x)Mg_xSe外延半导体合金薄膜的红外反射光谱研究
1997年
用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长了Zn1-xMgxSe(0≤x≤1)三元半导体合金薄膜.在室温下测量了这些样品的红外反射光谱.采用介电函数的经典色散理论,并且考虑衬底的影响后,计算了样品的红外反射光谱并与测量结果作了比较.我们发现对于x<0.2,0.2<x<0.5和x≥0.5三种不同情形,反射光谱表现出不同的结构.
王东红
黄大鸣
魏彦锋
靳彩霞
王杰
陈张海
陆卫
GaAs衬底上分子束外延ZnTe_(1-x)S_x合金的光学声子散射研究
被引量:1
1997年
用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上外延生长了不同组分的ZnTe1-xSx(0<x<1)合金.用X射线衍射和喇曼散射对该合金的晶体结构和光学声子散射性能进行了研究.通过对其光学声子频率随x的变化研究发现,ZnTe1-xSx合金呈现典型的双模特性.其中,ZnTe1-xSx合金中类ZnTe模和类ZnS模的长波光学声子频率随组分x呈线性变化.用改进了的随机元等位移(MREI)模型计算了该合金的长波光学声子频率和x的关系,并与测量结果作了比较,理论和实验符合很好.
靳彩霞
王东红
凌震
俞根才
王杰
黄大鸣
侯晓远
沈孝良
姚文华
关键词:
砷化镓
衬底
分子束外延
合金
外延Zn_(1-x)Mg_xSe半导体合金的拉曼散射谱研究
1995年
外延Zn_(1-x)Mg_xSe半导体合金的拉曼散射谱研究黄大鸣,王杰,刘晓晗,王东红,靳彩霞,郑玉祥(复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室上海200433)RamanStudyonZn_(1-x)Mg_xSeAlloysEpitaxialGr...
黄大鸣
王杰
刘晓晗
王东红
靳彩霞
郑玉祥
关键词:
三元合金
Si_(1—x)Gex/Si应变层超晶格的结构稳定性研究
被引量:1
1996年
利用喇曼散射谱研究了Si1-xGex/Si合金型超晶格的结构热稳定性.对超晶格中折叠声学模和各类光学模的散射谱所作的定量分析表明:在800℃下退火10分钟,超晶格中由于原子互扩散引起的界面展宽已经非常严重;相比之下,晶格弛豫的大小与材料的生长条件有关.对较低温度(400℃)下生长的超晶格,晶格弛豫量并不大,仅为16%.同时,我们也从理论上证实并且在实验上观察到:折叠声学模的带隙随超晶格界面展宽而减小.
刘晓晗
黄大鸣
王东红
蒋最敏
张翔九
王迅
关键词:
超晶格
稳定性
半导体材料
Zn_(1-x)Mg_xS_ySe_(1-y)四元半导体合金的拉曼散射光谱研究
1996年
用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长了Zn1-xMgxSySe1-y四元半导体合金薄膜.用X-射线衍射方法确定了外延层的结构和晶格常数.测量了这些样品在平行和垂直两种不同几何配置下的拉曼散射光谱并对其特性做了研究。从实验上观察到了四类不同的晶格振动模:类ZnSe的TO和LO模以及类ZnS和类MgS的LO模,实验发现:在ZnSe和ZnSSe中加入Mg使得类ZnSe的TO和LO模的振动频率下降;同时,也使类ZnS模的频率随S的增加率减小。
王东红
黄大鸣
靳彩霞
刘晓晗
凌震
王杰
关键词:
拉曼散射光谱
ZNMGSSE
分子束外延
Zn_(1-x)Mn_xSe/Zne应变超晶格的分子束外延生长及特性研究
1997年
用分子束外延方法在GaAS(100)衬底上成功生长了高质量的Zn1-xMnxSe/Znse(x=0.16,x=0.14)超晶格结构.用X射线衍射和喇曼散射对其结构、应变分布以及光散射性能进行了研究.当超晶格的总厚度大于其临界厚度时,超晶格将完全弛豫至一个新的平衡晶格常数.此时,在(100)平面内,ZnSe阱层受到张应变,而Zn1-xMnxSe垒层受到压应变,从而,导致其喇曼光谱中,ZnSe阱和Zn1-xMnxSe垒的LO声子峰分别向低频方向和高频方向移动.当超晶格总厚度小于其临界厚度时,超晶格不再弛豫而是保持过渡层Znse的晶格常数,此时,ZnSe阶层不再受到应变,而Zn1-xMnxSe垒层受到压应变,在其喇曼光谱中,仅视察到ZnSe材料光学声子峰.本文从理论上分析计算了由这种应变引起的LO峰的频率移动,结果和实验所测值符合很好.
靳彩霞
凌震
王东红
俞根才
王杰
黄大鸣
侯晓远
沈孝良
姚文华
关键词:
化合物半导体
应变超晶格
Zn_(1-x)Mg_xSe外延合金薄膜的结构研究
1997年
用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长了Zn1-xMgxSe三元合金薄膜(0≤x≤1),用X-射线衍射和喇曼散射谱7研究了薄膜的结构,发现对x较小的样品,合金层为单一的(100)面闪锌矿结构,(111)面的含量可以忽略.对x≈0.5的样品,合金层中(100)和(111)面的闪锌矿结构共存,两种结构呈现不同的组分,且(111)结构的x值总是小于(100)结构.对x=1的样品,外延层呈现单一的(100)氯化钠结构.对不同结构和含量所作的定量分析表明,(111)面闪锌矿结构可能是Zn1-xMgxSe合金从(100)面闪锌矿结构向(100)面氯化钠结构转变的中间相.
魏彦锋
黄大鸣
王东红
靳彩霞
王杰
沈孝良
关键词:
半导体材料
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