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王杰

作品数：39 被引量：39H指数：3
供职机构：复旦大学更多>>
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相关领域：电子电信理学医药卫生一般工业技术更多>>

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文献类型

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作者

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  • 1篇1991
  • 1篇1990
共 39 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
蓝绿色半导体激光器研制的最新报道
1993年
王迅王杰朱自强
关键词：半导体激光器激光器
S钝化GaAs(100)衬底上分子束外延ZnSe薄膜的喇曼光谱研究被引量：3
1998年
用分子束外延法（ＭＢＥ）分别在经（ＮＨ４）２Ｓｘ溶液和Ｓ２Ｃｌ２溶液钝化的ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了ＺｎＳｅ薄膜．用室温喇曼光谱对不同处理方法的ＧａＡｓ上所长ＺｎＳｅ薄膜的晶体质量和ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ界面进行对比研究．用喇曼散射的空间相关模型定量分析了一级喇曼散射的空间相关长度与晶体质量间的关系．根据ＧａＡｓ的ＬＯ－等离子激元耦合模喇曼散射强度的变化，分析了不同Ｓ钝化方法对ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ界面以及ＺｎＳｅ薄膜质量的影响．结果表明，Ｓ２Ｃｌ２溶液钝化的ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ样品具有较低的界面态密度和较好的晶体质量，因此Ｓ２Ｃｌ２溶液钝化的效果明显优于（ＮＨ４）２Ｓｘ溶液．
史向华靳彩霞凌震俞根才王杰侯晓远
关键词：硒化锌砷化镓衬底
稀磁半导体Zn_（1－x）Mn_xSe外延膜的反射和光致发光谱被引量：1
1995年
测量了用热壁外延（ＨＷＥ）生长的不同组分（０≤ｘ≤０．９８）的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ薄膜在温度为３００Ｋ下的反射光谱，用Ｘ射线能借测定样品实际的组分ｘ值，由此获得了其能隙Ｅｇ与组分ｘ的关系：在Ｏ＜Ｘ＜０．２组分范围，Ｅｇ随ｘ的变化显示了反常现象，当Ｘ＞０．２时，能隙Ｅｇ随ｘ线性增大。在室温和低温下测量了样品的光致发光，除观测到Ｍｎ２＋离子内部４Ｔ１→６Ａ１发光峰外，在其低能边观测到一个较宽的发光峰，对结果进行了分析讨论。
王学忠陈辰嘉刘国彬曹阳王杰王迅
关键词：稀磁半导体反射光谱光致发光
外延Zn_（1－x）Mg_xSe半导体合金的拉曼散射谱研究
1995年
外延Ｚｎ＿（１－ｘ）Ｍｇ＿ｘＳｅ半导体合金的拉曼散射谱研究黄大鸣，王杰，刘晓晗，王东红，靳彩霞，郑玉祥（复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室上海２００４３３）ＲａｍａｎＳｔｕｄｙｏｎＺｎ＿（１－ｘ）Ｍｇ＿ｘＳｅＡｌｌｏｙｓＥｐｉｔａｘｉａｌＧｒ...
黄大鸣王杰刘晓晗王东红靳彩霞郑玉祥
关键词：三元合金
头颈部肿瘤CT灌注成像和微血管密度、血管内皮生长因子的相关性研究
第一部分头颈部肿瘤CT灌注成像的实验研究　　目的：研究头颈部肿瘤CT灌注成像表现，探讨其在评价肿瘤血管丰富程度及鉴别良性乏血供肿瘤、良性富血供肿瘤及恶性肿瘤中的应用价值。　　方法：将41.例经病理证实的头颈部肿瘤分成三组...
王杰
关键词：头颈部肿瘤体层摄影术X线计算机CT灌注成像微血管密度血管内皮生长因子
宽禁带Ⅱ－Ⅵ族四元合金Zn_（1－x）Mg_xS_ySe_（1－y）成分的定量俄
1996年
用分子束外延法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了高质量的四元合金Ｚｎ（１－ｘ）ＭｇｘＳｙＳｅ（１－ｙ）薄膜．在对所生长的样品进行俄歇电子能谱、Ｘ射线衍射和喇曼散射研究后，提出了一种确定四元合金Ｚｎ（１－ｘ）ＭｇｘＳｙＳｅ（１－ｙ）组分的方法，即：利用ＺｎＳｙＳｅ（１－ｙ）和化学配比的ＭｇＳｅ作为标准样品，通过Ｘ射线衍射和喇曼散射测得标准样品ＺｎＳｙＳｅ（１－ｙ）中的Ｓ组分，再根据ＺｎＳｙＳｅ（１－ｙ）和ＭｇＳｅ的俄歇谱图，对各元素的相对灵敏度因子进行修正，然后利用相对灵敏度因子法比较精确地走出四元合金Ｚｎ（１－ｘ）ＭｇｘＳｙＳｅ（１－ｙ）的组分．
靳彩霞凌震诸长生俞根才王杰赵国珍
关键词：四元合金ZNMGSSE化合物半导体
一种无接触智能控制医疗系统、方法、设备及介质
本发明公开一种无接触智能控制医疗系统、方法、设备及介质，涉及医疗设备技术领域。所述系统包括：摄像头，用于采集操作人员的手势视频图像；手势识别装置，与所述摄像头连接，用于捕捉所述手势视频图像中的手势目标，并输出对应的手势编...
陈欣荣张新康王杰戴晓坤
Zn_(1-x)Mg_xSe外延半导体合金薄膜的红外反射光谱研究
1997年
用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｅ（０≤ｘ≤１）三元半导体合金薄膜．在室温下测量了这些样品的红外反射光谱．采用介电函数的经典色散理论，并且考虑衬底的影响后，计算了样品的红外反射光谱并与测量结果作了比较．我们发现对于ｘ＜０．２，０．２＜ｘ＜０．５和ｘ≥０．５三种不同情形，反射光谱表现出不同的结构．
王东红黄大鸣魏彦锋靳彩霞王杰陈张海陆卫
GaAs衬底上分子束外延ZnTe_(1-x)S_x合金的光学声子散射研究被引量：1
1997年
用分子束外延方法在GaAs（100）衬底上外延生长了不同组分的ZnTe1-xSx（0＜x＜1）合金．用X射线衍射和喇曼散射对该合金的晶体结构和光学声子散射性能进行了研究．通过对其光学声子频率随x的变化研究发现，ZnTe1-xSx合金呈现典型的双模特性．其中，ZnTe1-xSx合金中类ZnTe模和类ZnS模的长波光学声子频率随组分x呈线性变化．用改进了的随机元等位移（MREI）模型计算了该合金的长波光学声子频率和x的关系，并与测量结果作了比较，理论和实验符合很好．
靳彩霞王东红凌震俞根才王杰黄大鸣侯晓远沈孝良姚文华
关键词：砷化镓衬底分子束外延合金
温度引起的ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中势阱层和势垒层的反转
1999年
测量了ＺｎＳｅ，Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 合金和ＺｎＳｅ／Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 超晶格的１０～３００Ｋ 的变温光致发光谱．发现ＺｎＳｅ 的带隙在１０Ｋ 时比Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 合金的带隙小，而在３００Ｋ 时比合金的带隙大．预计ＺｎＳｅ／Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 超晶格中在１３０Ｋ 附近会发生势阱层和势垒层的反转．在ＺｎＳｅ／Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 超晶格中观测到了这种反转但发生在８０Ｋ 附近．超晶格中Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 层的应变可能是反转温度变低的原因．
李国华朱作明刘南竹韩和相汪兆平王杰王迅
关键词：超晶格势垒层温度ZNSE
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