杨秋旻
- 作品数：6 被引量：3H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 降低半导体材料背景掺杂的外延生长方法
- 本公开提供了一种降低半导体材料背景掺杂的外延生长方法，应用于半导体制造技术领域，该方法包括：将预处理后的衬底托放入生长腔，基于生长腔对衬底托执行高温除气操作；其中，衬底托上装有耐高温薄片；将衬底托上的耐高温薄片替换为衬底...
- 杨秋旻关敏刘兴昉曾一平
- Ⅱ-Ⅵ族材料在叠层太阳能电池中的应用被引量：2
- 2013年
- Ⅱ-Ⅵ族材料ZnSe、CdSe、ZnTe、CdTe等具有禁带宽度大,少子寿命对位错不敏感等优点,可以作为一种新的材料体系应用于叠层太阳能电池中。此类材料既能够与铜铟镓硒电池、Ⅲ-Ⅴ族材料、单晶Si等相结合,也可将不同的Ⅱ-Ⅵ族材料相结合制备多结电池。本文介绍了上述几种思路的理论及实验研究现状,以及Ⅱ-Ⅵ族材料顶电池的研究进展;同时分析了阻碍Ⅱ-Ⅵ族半导体材料应用的单极性掺杂问题,介绍了提高掺杂水平可能的途径。
- 杨秋旻刘超崔利杰曾一平
- 关键词：叠层太阳能电池掺杂
- p型碲化锌单晶薄膜材料的掺杂方法
- 一种p型碲化锌单晶薄膜材料的掺杂方法，包括如下步骤：步骤1：取一单晶衬底；步骤2：在单晶衬底上，外延生长单晶薄膜；步骤3：在单晶薄膜的表面上沉积一层SiO<Sub>2</Sub>纳米薄膜；步骤4：利用双能态氮离子注入的方...
- 刘超张理嫩杨秋旻崔利杰曾一平
- 文献传递
- 快速退火对ZnTe外延层性能及In电极的影响被引量：1
- 2013年
- 研究了在GaAs(001)衬底上外延生长的本征ZnTe薄膜样品在氮气氛中450～550℃下的快速退火行为。对于1 min退火的样品,随着退火温度的升高,ZnTe(004)峰双晶X射线(DCXRD)摇摆曲线的半高宽(FWHM)逐渐下降;样品表面粗糙度均方根值(RMS)由退火前的5.3 nm下降至4.7 nm左右。对于450℃退火5 min的样品,其晶体质量与550℃退火1 min的样品相当,但RMS值下降到4.26 nm。ZnTe薄膜表面的In电极之间在未退火时呈高阻状态,在适当条件下退火后In电极之间可以导通,且随着退火温度的降低,所需的退火时间将延长。但550℃退火时In电极的外观形貌发生改变且不能导通。
- 杨秋旻刘超张家奇崔利杰曾一平
- 关键词：碲化锌快速退火晶体质量表面形貌
- 锑化铟量子阱材料结构生长和特性研究
- 本论文主要研究了在GaAs 衬底上生长InSb 量子阱的生长参数对量子阱载流子传输特性的影响.InSb 量子阱采用InAlSb/InSb 的超晶格缓冲层,势磊采用InAlSb 三元合金.通过对InAlSb/InSb 的超...
- 赵晓蒙董海云崔利杰李弋洋杨秋旻张杨曾一平
- ZnCl_2掺杂n型ZnSe的分子束外延生长被引量：2
- 2012年
- 利用分子束外延(MBE)技术,以5N的ZnCl2作为掺杂源,在半绝缘GaAs(001)衬底上异质外延生长ZnSe∶Cl单晶薄膜。研究发现,掺入ZnCl2后,ZnSe外延层的结晶质量和表面形貌与本征ZnSe外延层相比变差,双晶X射线摇摆曲线(DCXRC)的ZnSe(004)衍射峰半峰宽(FWHM)从432arcsec增大到529arcsec,表面均方根粗糙度(RMS)从3.00nm增大到3.70nm。当ZnCl2掺杂源炉的温度为170℃时,ZnSe样品的载流子浓度达到1.238×1019 cm-3,可以满足结型器件制作和隧道结材料设计的要求。
- 张家奇杨秋旻赵杰崔利杰刘超曾一平
- 关键词：硒化锌N型掺杂分子束外延II-VI族化合物半导体
