崔利杰
- 作品数：35 被引量：36H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程机械工程更多>>
- 快速退火对ZnTe外延层性能及In电极的影响被引量：1
- 2013年
- 研究了在GaAs(001)衬底上外延生长的本征ZnTe薄膜样品在氮气氛中450～550℃下的快速退火行为。对于1 min退火的样品,随着退火温度的升高,ZnTe(004)峰双晶X射线(DCXRD)摇摆曲线的半高宽(FWHM)逐渐下降;样品表面粗糙度均方根值(RMS)由退火前的5.3 nm下降至4.7 nm左右。对于450℃退火5 min的样品,其晶体质量与550℃退火1 min的样品相当,但RMS值下降到4.26 nm。ZnTe薄膜表面的In电极之间在未退火时呈高阻状态,在适当条件下退火后In电极之间可以导通,且随着退火温度的降低,所需的退火时间将延长。但550℃退火时In电极的外观形貌发生改变且不能导通。
- 杨秋旻刘超张家奇崔利杰曾一平
- 关键词：碲化锌快速退火晶体质量表面形貌
- GaAs基InAlAs/InGaAs MM-HEMT材料生长与器件制作
- GaAs基InAlAs/InGaAs MM-HEMT,结合了GaAs衬底和InP基HEMT各自的优点,成为超高频、超高速微电子器件产业化研究领域中研究开发的热点,该论文从实用化角度出发,对GaAs基MM-HEMT,从材料...
- 崔利杰
- 关键词：GAAS测试技术直流特性
- 单边掺杂InAlAs/InGaAs单量子阱中二维电子气的磁输运特性被引量：5
- 2006年
- 研究了双子带占据的In_(0·52)Al_(0·48)As/In_(0·53)Ga_(0·47)As单量子阱中磁电阻的Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应和霍耳效应,获得了不同子带电子的浓度、迁移率、有效质量和能级位置.低磁感应强度(B<1·5T)下由迁移率谱和多载流子拟合相结合的方法得到的各子带电子浓度与通过SdH振荡得到的结果一致.在d2ρ/dB2-1/B的快速傅里叶变换谱中,观察到除了通常强烈依赖温度的对应于各子带的频率f1和f2以及f1的倍频(2f1)外,还观察到对温度不敏感的频率f1-f2.这是由于量子阱中不同子带的电子具有相近的有效质量,两个子带之间发生了强烈的磁致子带间散射.
- 周文政姚炜朱博仇志军郭少令林铁崔利杰桂永胜褚君浩
- 关键词：二维电子气
- 天线几何结构对低温GaAs光电导THz发射的影响
- 研究了用飞秒激光激发低温生长的GaAs(LT-GaAs)大孔径光电导天线产生太赫兹(Hz)波的辐射特性。通过设计七种大孔径天线结构,来研究天线的几何结构对THz发射性能的影响。实验发现七种天线的有效频谱宽度都达到了3 T...
- 崔利杰曾一平王保强朱战平石小溪黄振李淼赵国忠
- 关键词：太赫兹光电导材料
- 文献传递
- 自旋光电流与电流诱导的电子自旋极化——半导体自旋电子学的新进展被引量：1
- 2007年
- 文章通过自旋光电流与Kerr效应的实验,介绍在自旋-轨道耦合的体系中,如何通过自旋注入来驱动电子的运动产生电流,又如何反过来通过电子的运动或电流在系统中产生自旋激化.实验结果表明,自旋轨道耦合不但给我们提供了对自旋的操控手段,而且还给我们提供了用非磁性材料且无外加磁场条件下作为自旋源的新途径.
- 杨春雷王建农葛惟锟崔利杰曾一平
- 关键词：自旋轨道耦合
- Ⅱ-Ⅵ族材料在叠层太阳能电池中的应用被引量：2
- 2013年
- Ⅱ-Ⅵ族材料ZnSe、CdSe、ZnTe、CdTe等具有禁带宽度大,少子寿命对位错不敏感等优点,可以作为一种新的材料体系应用于叠层太阳能电池中。此类材料既能够与铜铟镓硒电池、Ⅲ-Ⅴ族材料、单晶Si等相结合,也可将不同的Ⅱ-Ⅵ族材料相结合制备多结电池。本文介绍了上述几种思路的理论及实验研究现状,以及Ⅱ-Ⅵ族材料顶电池的研究进展;同时分析了阻碍Ⅱ-Ⅵ族半导体材料应用的单极性掺杂问题,介绍了提高掺杂水平可能的途径。
- 杨秋旻刘超崔利杰曾一平
- 关键词：叠层太阳能电池掺杂
- 无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法
- 一种无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法，包括：采用相同工艺对一系列不同结构的晶体管材料进行器件制备，根据器件结果选取最优的晶体管外延材料；将所确定的外延材料在一确定温度T下做PL谱实验，找出沟道层的2DEG...
- 崔利杰曾一平王保强朱战平
- 文献传递
- Ⅱ-Ⅵ族三元合金薄膜生长与掺杂工艺研究现状被引量：1
- 2016年
- 相对于Ⅱ-Ⅵ族二元化合物,三元合金在调节带隙宽度和晶格常数上的灵活性使其应用前景更加广阔,并有希望解决Ⅱ-Ⅵ族材料普遍存在的单极性掺杂难题而成为未来新型光电器件发展的一个重要方向。文章着重介绍了分子束外延(MBE)技术生长ZnSeTe、CdZnTe、CdSeTe等Ⅱ-Ⅵ族三元合金单晶薄膜的研究现状,分析了MBE生长三元合金时需要考虑的问题,介绍了Ⅱ-Ⅵ族半导体材料n/p型掺杂的常用元素和掺杂方式,讨论了限制Ⅱ-Ⅵ族材料有效掺杂的物理机制和三元合金在掺杂方面的研究动态,并对三元合金薄膜的发展前景进行了展望。
- 任敬川刘超崔利杰曾一平
- 关键词：掺杂
- 基于液晶调控的垂直腔面发射激光器及其制备方法
- 本发明提供了一种基于液晶调控的垂直腔面发射激光器，所述垂直腔面发射激光器包括传统氧化限制型垂直腔面发射激光器结构和液晶模式调制结构，其中，传统氧化限制型垂直腔面发射激光器结构，用于发射激发模式；液晶模式调制结构，位于所述...
- 邵泓焰曾一平张杨崔利杰崔宁
- 文献传递
- 天线几何结构对低温GaAs光电导THz发射的影响
- 2008年
- 研究了用飞秒激光激发低温生长的GaAs(LT-GaAs)大孔径光电导天线产生太赫兹(THz)波的辐射特性。通过设计七种大孔径天线结构,来研究天线的几何结构对THz发射性能的影响。实验发现七种天线的有效频谱宽度都达到了3THz,而且七种不同几何形状天线的THz发射谱与频率谱并没有太显著的差别。
- 崔利杰曾一平王保强朱战平石小溪黄振李淼赵国忠
- 关键词：太赫兹光电导材料
