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李晖

作品数：4 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金：国家攀登计划更多>>
相关领域：电子电信化学工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇铁电
  • 2篇铁电薄膜
  • 2篇纳米
  • 1篇电性能
  • 1篇性能研究
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇铁电体
  • 1篇铁电性
  • 1篇铁电性能
  • 1篇钛酸铅
  • 1篇纳米晶
  • 1篇纳米晶粒
  • 1篇溅射
  • 1篇光电
  • 1篇光电性
  • 1篇光电性能
  • 1篇PLT
  • 1篇钠
  • 1篇C轴

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇李晖
  • 3篇罗维根
  • 3篇丁爱丽
  • 2篇仇萍荪
  • 1篇平井敏雄
  • 1篇庄志诚

传媒

  • 3篇无机材料学报

年份

  • 3篇1995
  • 1篇1994
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
纳米晶粒PLT（28）薄膜的制备和性能研究被引量：1
1995年
本文首先报道了纳米晶粒ＰＬＴ（２８）薄膜的制备，并研究其微结构、铁电、电光性能，讨论不同热处理条件对薄膜微结构的影响，以及晶粒尺寸与电光性能的关系．
丁爱丽罗维根陈先同仇萍荪李晖
关键词：纳米晶粒铁电性能铁电薄膜PLT光电性能
射频磁控溅射制备纳米PLT薄膜的研究被引量：1
1994年
用射频磁控溅射技术，在玻璃衬底上制备出纳米级ＰＬＺＴ薄膜．ＸＲＤ、ＴＥＭ分析表明，薄膜为纯钙钛矿结构，平均粒径为２～５ｎｍ．Ｒａｍａｎ光谱表明，纳米级晶粒尺寸使得薄膜的Ｒａｍａｎ峰向低波数方向移动．
李晖罗维根陈先同丁爱丽庄志诚
关键词：纳米铁电体射频磁控溅射
钠米铁电薄膜的制备和研究
李晖
关键词：铁电薄膜
c轴取向PbTiO_3外延生长的研究
1995年
本文研究了ＭＯＣＶＤ法淀积过程中工艺条件对ＰｂＴｉＯ３膜ｃ轴取向度的影响，探讨了ＰｂＴｉＯ３膜的生长过程，通过调节氧气流量首次在ＭｇＯ（１００）单晶衬底上淀积出ｃ轴取向的ＰｂＴｉＯ３外延膜．ＰｂＴｉＯ３外延膜的介电常数为９０；折射率为２．６４；均和单晶性能一致．
陈先同罗维根丁爱丽仇萍荪李晖平井敏雄
关键词：MOCVD钛酸铅C轴取向
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共1页<1>
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