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李晖
作品数:
4
被引量:2
H指数:1
供职机构:
中国科学院上海硅酸盐研究所
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发文基金:
国家攀登计划
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相关领域:
电子电信
化学工程
理学
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合作作者
丁爱丽
中国科学院上海硅酸盐研究所
罗维根
中国科学院上海硅酸盐研究所
仇萍荪
中国科学院上海硅酸盐研究所
庄志诚
中国科学院上海硅酸盐研究所
平井敏雄
中国科学院上海硅酸盐研究所
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C轴
机构
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中国科学院
作者
4篇
李晖
3篇
罗维根
3篇
丁爱丽
2篇
仇萍荪
1篇
平井敏雄
1篇
庄志诚
传媒
3篇
无机材料学报
年份
3篇
1995
1篇
1994
共
4
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纳米晶粒PLT(28)薄膜的制备和性能研究
被引量:1
1995年
本文首先报道了纳米晶粒PLT(28)薄膜的制备,并研究其微结构、铁电、电光性能,讨论不同热处理条件对薄膜微结构的影响,以及晶粒尺寸与电光性能的关系.
丁爱丽
罗维根
陈先同
仇萍荪
李晖
关键词:
纳米晶粒
铁电性能
铁电薄膜
PLT
光电性能
射频磁控溅射制备纳米PLT薄膜的研究
被引量:1
1994年
用射频磁控溅射技术,在玻璃衬底上制备出纳米级PLZT薄膜.XRD、TEM分析表明,薄膜为纯钙钛矿结构,平均粒径为2~5nm.Raman光谱表明,纳米级晶粒尺寸使得薄膜的Raman峰向低波数方向移动.
李晖
罗维根
陈先同
丁爱丽
庄志诚
关键词:
纳米
铁电体
射频磁控溅射
钠米铁电薄膜的制备和研究
李晖
关键词:
铁电薄膜
c轴取向PbTiO_3外延生长的研究
1995年
本文研究了MOCVD法淀积过程中工艺条件对PbTiO3膜c轴取向度的影响,探讨了PbTiO3膜的生长过程,通过调节氧气流量首次在MgO(100)单晶衬底上淀积出c轴取向的PbTiO3外延膜.PbTiO3外延膜的介电常数为90;折射率为2.64;均和单晶性能一致.
陈先同
罗维根
丁爱丽
仇萍荪
李晖
平井敏雄
关键词:
MOCVD
钛酸铅
C轴取向
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