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罗维根

作品数:51 被引量:113H指数:7
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家攀登计划更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 27篇期刊文章
  • 16篇专利
  • 6篇会议论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 12篇理学
  • 11篇一般工业技术
  • 9篇电气工程
  • 8篇电子电信
  • 6篇自动化与计算...
  • 4篇化学工程

主题

  • 21篇铁电
  • 17篇铁电薄膜
  • 11篇钛酸铅
  • 10篇锆钛酸铅
  • 10篇存储器
  • 9篇铁电存储器
  • 8篇溅射
  • 7篇磁控
  • 6篇甲醚
  • 6篇厚膜
  • 6篇磁控溅射
  • 5篇钛酸
  • 4篇电极
  • 4篇酸盐
  • 4篇陶瓷
  • 4篇退火
  • 4篇钛酸盐
  • 4篇BST薄膜
  • 4篇IC卡
  • 4篇醋酸铅

机构

  • 51篇中国科学院
  • 1篇中山大学
  • 1篇香港城市理工...

作者

  • 51篇罗维根
  • 43篇丁爱丽
  • 23篇仇萍荪
  • 22篇何夕云
  • 3篇蒲兴华
  • 3篇屈新萍
  • 3篇李晖
  • 3篇葛敏
  • 2篇唐新桂
  • 2篇顾爱国
  • 2篇田虎永
  • 2篇庄志诚
  • 2篇范存昌
  • 2篇张永涛
  • 1篇莫党
  • 1篇张曰理
  • 1篇王树林
  • 1篇齐兵
  • 1篇叶扬
  • 1篇王评初

传媒

  • 19篇无机材料学报
  • 2篇上海微型计算...
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇物理
  • 1篇功能材料
  • 1篇光散射学报
  • 1篇压电与声光
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇2000年中...
  • 1篇第三届中国功...
  • 1篇第八届全国电...
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 1篇2005
  • 2篇2004
  • 2篇2003
  • 4篇2002
  • 6篇2001
  • 7篇2000
  • 4篇1999
  • 8篇1998
  • 1篇1997
  • 4篇1996
  • 3篇1995
  • 1篇1994
  • 3篇1992
  • 1篇1991
  • 2篇1990
  • 2篇1989
51 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一次性热处理成膜制备锆钛酸铅厚膜的方法
本发明涉及一次性热处理成膜制备锆钛酸铅(PZT)厚膜的方法,属于锆钛酸铅系陶瓷领域。前驱液以醋酸铅、锆和钛的醇盐为原料,以醋酸和水或乙二醇甲醚、甲醇为溶剂,按Pb∶Zr∶Ti=1∶X∶1-X,0.1≤X≤0.9配比,采用...
蒲兴华罗维根丁爱丽仇萍荪何夕云
文献传递
纳米晶粒PLT(28)薄膜的制备和性能研究被引量:1
1995年
本文首先报道了纳米晶粒PLT(28)薄膜的制备,并研究其微结构、铁电、电光性能,讨论不同热处理条件对薄膜微结构的影响,以及晶粒尺寸与电光性能的关系.
丁爱丽罗维根陈先同仇萍荪李晖
关键词:纳米晶粒铁电性能铁电薄膜PLT光电性能
一种制备锆钛酸铅厚膜的方法(中科院)
丁爱丽何夕云仇萍荪罗维根
PZT(锆钛酸铅)材料具有十分优异的功能效应。近年来随着MEMS技术的迅速发展,急需研制厚度为1~10mm之间厚度的PZT厚膜,以产生足够大的位移量和电荷量。所以建立能制备性能优异、结构均匀、致密的PZT厚膜是当今材料研...
关键词:
关键词:厚膜锆钛酸铅
不挥发铁电存储器的最新发展被引量:14
1996年
铁电材料具有自发极化并可由外电场反转,因此可以构成一种不挥发存储器.铁电薄膜与半导体集成,产生铁电随机存储器,并将成为存储器技术的主体.
罗维根丁爱丽
关键词:铁电薄膜铁电随机存储器存储器
溶胶-凝胶法中热处理对PMNT薄膜结构的影响被引量:2
2002年
研究用溶胶-凝胶方法制备PMNT(铌镁酸铅)薄膜的工艺过程.通过XRD和SPM系统地分析了热处理条件(热解温度和退火条件)与PMNT薄膜的形态.结晶和取向的对应关系,已建立起制备高度取向 PMNT薄膜的工艺.并成功地在Pt/Ti/SIO2/Si衬底上制备成(111)取向的PMNT薄膜.
邸利锋丁爱丽何夕云罗维根
关键词:弛豫铁电体溶胶-凝胶法热解退火
一种电极制作方法
一种简单而实用的电极制作方法,尤其是涉及在透明铁电陶瓷上制作电极方法,属于电极制作领域。本发明特征在于用磁铁使机械掩膜与铁电陶瓷片紧密相贴。本发明所提供的方法可扩展到所有特制作电极的材料上。具有实用性强而又简单可行的特点...
丁爱丽罗维根
文献传递
射频磁控溅射原位制备高Tc钇钡铜氧超导薄膜
1991年
用粉末靶射频磁控溅射的方法在650℃的(110)SrTiO_3衬底上成功地原位制备出起始转变温度96K,零电阻温度88.2K,用约0.4mm宽的桥在77K零磁场下临界电流密度达6×10~5A/cm^2,高度定向的钇钡铜氧超导薄膜,膜的厚度为0.22μm。发现控制溅射工艺参数并在溅射后进行原位热处理是获得高T_c超导薄膜的关键。
顾爱国罗维根
关键词:超导薄膜射频磁控溅射钇钡铜氧
新一代不挥发铁电存储器与IC卡(上)
1998年
铁电薄膜与半导体集成产生了新一代不挥发存储器,与传统的半导体不挥发存储器比较,具有突出的优点,是新一代IC卡的理想存储芯片。
罗维根丁爱丽
关键词:铁电存储器存储器IC卡
全文增补中
PLT薄膜的磁控溅射淀积及其性能被引量:1
1992年
以(Pb_(1-z/100)La_(x/100))Ti_(1-x/400)O_3(简称 PLT)烧结粉末为溅射靶材,用射频磁控溅射技术,研究了PLT 薄膜的淀积工艺及其结构和电光性能。在玻璃和(0001)Al_2O_3衬底上制备出了高度定向的 PLT 薄膜,而在(100)SrTiO_3衬底上外延生长出 PLT 薄膜。研究了玻璃衬底上生长高度定向 PLT 薄膜的机制。用新颖的法拉第磁光调制技术测量了 PLT 薄膜的电光系数,得到薄膜的二次方电光系数 R>0.6×10^(-15)(m/v)~2。
罗维根丁爱丽张瑞涛黄敏虹葛敏
关键词:半导体铁电薄膜磁控溅射
溅射ZnO薄膜的显微结构
1990年
本文用X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、反射高能电子衍射等方法,测定了平面直流磁控反应高速率溅射 ZnO 薄膜的显微结构。实验观察到三种不同的表面结构:6mm 对称结构、非晶态以及非6mm 对称结构。衬底材料对 ZnO 薄膜 c 轴取向具有很大影响。ZnO 在玻璃衬底上为[0001]取向,在金膜上为[0001]取向。薄膜柱状结构横向为单一晶粒。纵向由于应力的存在为多晶结构。晶粒之间晶界层不到1nm 量级。相交晶粒 c 轴取向基本一致,a、b 轴取向不同。
黄毓虹罗维根
关键词:氧化锌溅射沉积显微结构
共6页<123456>
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