张慧
- 作品数：6 被引量：12H指数：2
- 供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
- 发文基金：中国工程物理研究院科技发展基金中国工程物理研究院科学技术发展基金更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程更多>>
- 圆片级封装中硅帽的设计和加工被引量：1
- 2015年
- 为了提高微电子机械系统(MEMS)器件的成品率和集成度,介绍了一种应用于圆片级封装的硅帽结构。重点介绍了该硅帽结构的设计和加工方法。分析了圆片级封装(WLP)采用侧引线和通孔引线两种方式的优缺点。完成了上大下小的硅通孔结构和不同开口面积的通孔引线实验。采用电感耦合等离子(ICP)干法刻蚀获得了高深宽比、高陡直度的硅通孔。采用光学显微镜测试了上、下通孔的平面结构。在完成硅帽和敏感结构的键合后,进行了引线测试,结果表明这种上大下小的通孔结构能很好地完成引线工艺,其中250μm×250μm的尺寸是最佳开口面积。
- 陈颖慧张慧施志贵屈明山
- ZnO/IDT/金刚石结构SAW滤波器的设计和制作被引量：3
- 2013年
- 传统材料制备的声表面波(SAW)滤波器的中心频率f大多位于较低的频段(f<500 MHz),但是无线通信频段逐渐向着高频化的方向发展,因此在SAW器件领域中引入高声速材料如金刚石以提高中心频率成为一种必然趋势。基于金刚石材料、采用ZnO/IDT/金刚石新型结构,设计了交错叉指结构和镜像阻抗连接结构的叉指换能器(IDT)参数。通过优化的工艺制备流程,获得了金刚石SAW滤波器样品。最后采用RF探针台对样品进行了性能测试和数据分析。测试结果表明制备的SAW滤波器样品的测试结果与理论值比较符合,交错叉指结构滤波器获得了很低的插损,镜像阻抗连接结构滤波器有效地提高了带外抑制度。样品IDT指宽2μm,SAW滤波器中心频率可达0.775 GHz。
- 陈颖慧郑英彬席仕伟唐彬王旭光张慧
- 一种基于MEMS微细线圈的微区域磁化装置及方法
- 本发明公开了一种基于MEMS微细线圈的微区域磁化装置及方法，所述装置包括包括：脉冲电源、细微线圈、基体和永磁薄膜；所述方法包括：首先利用微纳加工工艺制备微细线圈，接着制备永磁薄膜，将永磁薄膜贴合在微细线圈的基体上，在微细...
- 谢晋支钞屈明山李严军王颉张慧刘鑫陶宏
- 文献传递
- 高性能微惯性器件单片集成技术被引量：1
- 2014年
- 讨论了高性能微惯性器件单片集成技术。首先对单片集成MEMS技术的优势及面临的困难进行了讨论,并对目前主流的单片集成MEMS技术特点、工艺流程进行了介绍,最后,给出高性能微惯性器件单片集成技术的未来发展趋势。
- 张照云施志贵张慧彭勃
- 关键词：微机电系统单片集成
- 声表面波滤波器理论研究进展
- 2016年
- 为使声表面波(SAW)滤波器技术向更高的频段发展,对SAW滤波器的基础理论进行了分析:展示了压电材料压电效应(逆压电效应)的产生机理,并通过例子对比说明压电材料的晶体结构属性。介绍了重要的物理量机电耦合系数以及SAW传播的物理机理;重点推导了SAW在压电介质中的传播性质,并同非压电介质的传播特性进行了对比。得出SAW在压电介质中是非色散波,存在3个方向的质点位移分量;压电薄膜中SAW是色散波,且压电薄膜使得声表面波速度发生变化。
- 陈颖慧张慧郑英彬
- 关键词：声表面波RAYLEIGH波压电效应压电薄膜
- 金-硅共晶键合技术及其应用被引量：7
- 2015年
- 采用金属过渡层来实现硅-硅低温键合,首先介绍了选择钛金作为金属过渡层的原因和金硅共晶键合的基本原理,然后探索了不同键合面积和不同金层厚度对金硅共晶键合质量的影响规律,开展了图形化的硅晶圆和硅盖板之间的低温共晶键合实验研究,获取了最优键合面积的阈值和最优金层厚度.最后将该低温金硅共晶键合技术应用到MEMS器件圆片级封装实验中,实验结果表明较好地实现了MEMS惯性器件的封装强度,但是还存在密封性差的缺陷,需进一步进行实验改进.
- 陈颖慧施志贵郑英彬王旭光张慧
- 关键词：圆片级封装键合共晶
