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宋晓伟

作品数：5 被引量：8H指数：1
供职机构：长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室更多>>
发文基金：高功率半导体激光国家重点实验室基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 4篇激光
  • 4篇激光器
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体激光
  • 4篇半导体激光器
  • 2篇腔内倍频
  • 2篇光束
  • 2篇光束整形
  • 2篇倍频
  • 1篇液相外延
  • 1篇双晶
  • 1篇双晶衍射
  • 1篇功率
  • 1篇功率半导体
  • 1篇光谱
  • 1篇光腔
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇GAAS-G...
  • 1篇MBE生长

机构

  • 5篇长春光学精密...
  • 1篇吉林大学

作者

  • 5篇宋晓伟
  • 2篇李梅
  • 1篇李学千
  • 1篇张宝顺
  • 1篇高鼎三
  • 1篇王晓华
  • 1篇薄报学
  • 1篇高欣

传媒

  • 2篇长春光学精密...
  • 1篇兵工学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇全国化合物半...

年份

  • 1篇2001
  • 2篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1997
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
大功率半导体激光光束整形技术及其在泵浦方面的应用被引量：7
2000年
在分析大功率半导体激光器的光束输出特性的基础上，针对Nd:YVO4/KTP腔内倍频激光器的泵浦光源要求，研究了大功率半导体激光器光束输出的多种整形方法，同时比较了不同泵浦光束形状对Nd:YVO4/KTP腔内倍频激光器输出效率的影响。
薄报学高鼎三宋晓伟王玲曲轶
关键词：光束整形半导体激光器腔内倍频
MBE生长GaAlAs/GaAs量子阱激光器材料的光谱和结构特性研究被引量：1
2001年
本文用低温光致荧光 (PL )谱及 X射线双晶衍射方法对 MBE方法生长的 Ga Al As/Ga As(1 0 0 )量子阱结构材料进行了测试分析。结果表明 ,在材料生长过程中 ,深能级的引入严重影响了材料的光学特性及界面完整性。通过改变衬底温度、 / 速流比等实验条件 ,得到了质量较好的材料 ,低温光致荧光峰的半峰宽达到 1 .7me V,双晶衍射峰的半峰宽为 9.6 8″.同时对实验样品的双晶衍射回摆曲线中干涉条纹及峰的劈裂现象进行了理论分析 ,并利用 PL谱将深能级对材料、器件性能的影响做了有益的讨论。
李梅宋晓伟王晓华张宝顺李学千
关键词：MBE生长分子束外延双晶衍射
大功率半导体激光光束整形技术及其在泵浦方面的应用
在分析大功率半导体激光器的光束输出特性的基础上，针对Nd:YVO<,4>/KTP腔内倍频激光器的泵浦光源要求，研究了大功率半导体激光器光束输出的多种整形方法，同时比较了不同泵浦光束形状对Nd:YVO<,4>/KTP腔内倍...
宋晓伟
关键词：光束整形半导体激光器腔内倍频
文献传递网络资源链接
808nm大功率半导体激光器的装配
1997年
本文介绍了一种装配808nm大功率半导体激光器的新方法。用P面朝下的方法装配有利于器件的散热，将超声键合改为超声热压球焊键合，增加了金丝与管芯的接触面积，减少了接触电阻，降低了阈值电流，提高了光电转换效率。
高欣宋晓伟
关键词：半导体激光器大功率
GaAs-GaAlAs大光腔激光器
1999年
利用改进的液相外延技术生长出了ＧａＡｓ－ ＧａＡｌＡｓ 大光腔结构激光器。样品１０Ｋ 下光荧光谱的峰值波长为９２６－２６ｎｍ 。样品的测量结果表明， 样品质量达到了设计要求。利用该材料制作的激光二极管， 峰值输出功率达到１５ Ｗ。
宋晓伟李梅任大翠
关键词：液相外延大光腔半导体激光器激光器
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