李梅
- 作品数：5 被引量：5H指数：1
- 供职机构：长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 大功率InGaAsP/InGaP/GaAs激光器特性研究被引量：1
- 2003年
- 介绍了无铝激光器的优点 ;利用 LP-MOVPE生长了 In Ga As P/In Ga P/Ga As分别限制异质结构单量子阱 (SCH-SQW)结构 ,讨论了激光器的腔长对特征温度的影响。对于条宽 1 0 0 μm、腔长 1 mm腔面未镀膜的激光器 ,连续输出光功率为 1 .2 W,阈值电流密度为 41 0 A/cm2 ,外微分量子效率为 62 % ,并进行了可靠性实验。
- 李忠辉高欣李梅王玲张兴德
- 关键词：单量子阱
- MBE生长GaAlAs/GaAs量子阱激光器材料的光谱和结构特性研究被引量：1
- 2001年
- 本文用低温光致荧光 (PL )谱及 X射线双晶衍射方法对 MBE方法生长的 Ga Al As/Ga As(1 0 0 )量子阱结构材料进行了测试分析。结果表明 ,在材料生长过程中 ,深能级的引入严重影响了材料的光学特性及界面完整性。通过改变衬底温度、 / 速流比等实验条件 ,得到了质量较好的材料 ,低温光致荧光峰的半峰宽达到 1 .7me V,双晶衍射峰的半峰宽为 9.6 8″.同时对实验样品的双晶衍射回摆曲线中干涉条纹及峰的劈裂现象进行了理论分析 ,并利用 PL谱将深能级对材料、器件性能的影响做了有益的讨论。
- 李梅宋晓伟王晓华张宝顺李学千
- 关键词：MBE生长分子束外延双晶衍射
- InGaAsP/InGaP/GaAs SQW激光器的腔长对J_(th)和η_d的影响被引量：3
- 2002年
- 利用LP MOCVD生长InGaAsP/InGaP/GaAsSCH SQW结构 ,制作了宽接触条形激光器 ,研究发现微分量子效率在中等腔长范围内有极大值 ;腔长较短时 。
- 李忠辉李梅王玲高欣王玉霞张兴德
- 关键词：分别限制结构阈值电流密度
- 高功率线性梯度折射率GaAs/AlGaAs单量子阱激光器
- 2002年
- 应用MOVPE研制出梯度折射率分别限制GaAs/AlGaAs单量子阱激光器 ,室温单面连续输出光功率超过 5 0 0mW ,激射波长为 82 0 3nm 。
- 李忠辉王玉霞高欣李梅王玲张兴德
- 关键词：梯度折射率单量子阱激光器砷化镓GAAS/ALGAAS镓铝砷化合物
- GaAs-GaAlAs大光腔激光器
- 1999年
- 利用改进的液相外延技术生长出了ＧａＡｓ－ ＧａＡｌＡｓ 大光腔结构激光器。样品１０Ｋ 下光荧光谱的峰值波长为９２６－２６ｎｍ 。样品的测量结果表明， 样品质量达到了设计要求。利用该材料制作的激光二极管， 峰值输出功率达到１５ Ｗ。
- 宋晓伟李梅任大翠
- 关键词：液相外延大光腔半导体激光器激光器
