危书义
- 作品数：44 被引量：70H指数：5
- 供职机构：河南师范大学物理与电子工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河南省自然科学基金河南省教育厅自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程金属学及工艺更多>>
- 纤锌矿GaN/ZnO量子阱中的界面声子被引量：2
- 2008年
- 根据介电连续模型和单轴晶体模型,运用传递矩阵的方法研究了纤锌矿量子阱中的界面声子,并且计算和讨论了纤锌矿GaN/ZnO单量子阱和耦合量子阱中的界面声子的色散关系。计算结果表明纤锌矿晶体的各向异性对界面声子模有大的影响:界面声子模出现在两个能量区域中,分别是:[ω⊥,TZnO,ωz,TGaN]和[ω⊥,LZnO,ωz,LGaN];界面声子随波数q⊥的减小色散越发明显、随波数q⊥增大分别趋近于54.32meV和86.56meV两个定值;当波数q⊥值非常小时,出现界面声子的色散消失现象,消失部分将穿越界面声子的能量区域转化为准受限声子或半空间声子。
- 危书义王雁魏玲玲
- 关键词：界面声子色散关系
- 稀磁半导体(Ga_(1-x)Fe_x)As的磁性及稳定性(英文)被引量：1
- 2004年
- 运用第一性原理下的 L MTO- ASA方法研究稀磁半导体 (Ga1 - x Fex) As(x=1,1/ 2 ,1/ 4和 1/ 8)的电子结构、磁性及其稳定性 .计算了 Fe掺杂浓度的变化对 (Ga1 - x Fex) As的磁性及稳定性的影响 .
- 危书义闫玉丽王天兴夏从新汪建广
- 关键词：稀磁半导体磁性稳定性
- 纤锌矿InxGa1-xN／GaN量子阱中的界面声子-电子相互作用被引量：1
- 2008年
- 在介电连续模型下,运用传递矩阵的方法研究了任意层纤锌矿量子阱中界面光学声子的电声相互作用,得出了任意层纤锌矿量子阱中界面光学声子与电子相互作用的哈密顿。结果表明,在对称单量子阱GaN/InxGa1-xN/GaN中,界面声子-电子相互作用的耦合强度随组分x的变化差别很大;在对称单量子阱GaN/In0.8Ga0.2N/GaN中,不同的界面声子随着波数的变化对电声相互作用的贡献不同。
- 李伟张芳危书义
- In_xGa_(1-x)N/GaN量子点中的激子态被引量：1
- 2004年
- 危书义吴花蕊夏从新
- 关键词：压电极化自发极化
- Au对于ZnO(0001)面上Zn空位的影响被引量：1
- 2008年
- 赵旭王治国黄文登危书义
- 关键词：AUZNO密度泛函理论空位
- 小分子与氧在过渡金属fc(111)面共吸附研究
- 1998年
- 利用单电子量子理论研究了Ｈ＋Ｏ、ＣＯ＋Ｏ和ＮＯ＋Ｏ在Ｎｉ（１１１）和Ｐｔ（１１１）面上的共吸附特性。结果表明，在小分子与Ｏ最可几共吸附的位置，Ｐｔ对ＣＯ＋Ｏ共吸附ＣＯ与Ｏ相互作用能的影响较大，而Ｎｉ则对ＮＯ＋Ｏ的影响较大，这说明不同的反应物对催化剂具有一定的选择性。
- 张建平宋风忠危书义戴宪起
- 关键词：共吸附催化剂
- Au钝化Si(100)表面的电子特性
- 2003年
- 用TB -LMTO方法研究单层的Au原子在理想的Si(10 0 )表面的化学吸附。计算了Au原子在不同位置的吸附能 ,吸附体系与清洁Si(10 0 )表面的层投影态密度 ,以及电子转移情况。结果表明 ,Au原子在吸附面上方的A位 (顶位 )吸附最稳定 ,Au钝化Si(10 0 )表面可以取得明显的钝化效果 ,这一结论与实验事实相符合。
- 危书义汪建广马丽
- 关键词：化学吸附钝化
- 三元氮化物纤锌矿结构混晶In_xGa_(1-x)N中的光学声子被引量：1
- 2008年
- 采用修正的无轨离子位移模型研究三元氮化物纤锌矿混晶中的光学声子模.用微扰法对系统的弗留里希耦合常数、混晶的介电常数和谐振子强度进行计算和讨论.结果表明,纤锌矿结构InxGa1-xN中的光学声子能量等物理量随组份x出现明显非线性变化,In与Ga原子之间的相互作用对混晶的性质有显著的影响.
- 郭太旺贾英宾危书义
- 关键词：光学声子极化子
- 覆盖度对化学吸附的影响
- 1998年
- 运用格林函数方法，在紧束缚近似下讨论了一氧化碳在具有面心立方结构金属（Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ）密排面上的化学吸附能随覆盖度θ的变化关系，并与实验值作了比较。
- 危书义戴宪起张涛
- 关键词：覆盖度化学吸附格林函数
- H、O、CO、NO在Ni、Pt(111)面上吸附结构研究
- 1998年
- 利用紧束缚模型和单电子理论研究了Ｈ、Ｏ、ＣＯ和ＮＯ在Ｎｉ（１１１）和Ｐｔ（１１１）面上的吸附特性及吸附层结构，结果表明：在Ｎｉ、Ｐｔ面上吸附质间的间接相互作用能随着吸附质间的距离呈振荡性衰减趋势，在不同覆盖度下具有不同的吸附结构，其结果与实验结果相一致。
- 戴宪起危书义张涛
- 关键词：覆盖度
