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戴宪起

作品数：64 被引量：116H指数：6
供职机构：河南师范大学物理与信息工程学院更多>>
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相关领域：理学一般工业技术电气工程文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 54篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 2篇专利

领域

  • 47篇理学
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 2篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 20篇第一性原理
  • 13篇石墨
  • 13篇石墨烯
  • 8篇掺杂
  • 7篇激子
  • 7篇XGA
  • 7篇ZNO
  • 6篇第一性原理研...
  • 6篇量子
  • 6篇类氢杂质
  • 6篇化学吸附
  • 6篇激子结合能
  • 6篇GAN
  • 6篇催化
  • 5篇原子
  • 5篇结合能
  • 5篇SI
  • 5篇催化剂
  • 4篇氧化锌
  • 4篇吸附能

机构

  • 55篇河南师范大学
  • 7篇郑州师范学院
  • 5篇三明学院
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  • 4篇河南科技学院
  • 4篇河南省光伏材...
  • 3篇平顶山学院
  • 2篇复旦大学
  • 2篇濮阳教育学院
  • 2篇郑州师范高等...
  • 1篇北京大学
  • 1篇解放军信息工...
  • 1篇河南科技大学
  • 1篇山东大学
  • 1篇濮阳职业技术...
  • 1篇新乡医学院
  • 1篇中国科学院
  • 1篇平顶山教育学...

作者

  • 61篇戴宪起
  • 10篇唐亚楠
  • 8篇危书义
  • 7篇郑冬梅
  • 6篇张涛
  • 6篇赵建华
  • 5篇刘亚明
  • 4篇赵宝
  • 4篇黄凤珍
  • 4篇张金仓
  • 4篇杨宗献
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  • 3篇姚树文
  • 3篇陈卫光
  • 3篇李伟
  • 2篇侯振雨
  • 2篇吴新华
  • 2篇张瑞英
  • 2篇闫慧娟
  • 2篇赵旭

传媒

  • 21篇河南师范大学...
  • 7篇原子与分子物...
  • 4篇功能材料
  • 3篇郑州大学学报...
  • 2篇Journa...
  • 2篇贵州师范大学...
  • 2篇物理化学学报
  • 2篇三明学院学报
  • 2篇郑州师范教育
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  • 1篇物理学报
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  • 1篇硅酸盐学报
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  • 1篇材料导报
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  • 1篇纳米科技
  • 1篇河南科技学院...
  • 1篇中国物理学会...

年份

  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2016
  • 4篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 4篇2012
  • 5篇2011
  • 2篇2010
  • 3篇2009
  • 6篇2008
  • 3篇2007
  • 6篇2006
  • 4篇2005
  • 3篇2004
  • 2篇2003
  • 1篇2000
  • 2篇1999
  • 5篇1998
  • 1篇1995
共 64 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中类氢杂质的结合能被引量：5
2006年
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场(BEF)效应和量子点的三维约束效应,研究了纤锌矿结构的GaN/A lxGa1-xN柱形量子点中类氢杂质的结合能随量子点高度、A l含量和杂质位置的变化规律。结果表明:类氢杂质位于量子点中心时,杂质结合能随量子点高度的增加先增大后减小,存在最大值;随着A l含量的增加,杂质结合能增大。而杂质从量子点下界面沿Z轴上移至上界面时,杂质结合能先增大后减小,存在最大值。
郑冬梅戴宪起
关键词：类氢杂质结合能
H在含杂过渡金属表面化学吸附的DV—X_α方法研究
1989年
本文把量子化学中的DV—X_α方法运用于掺杂过渡金属表面化学吸附的研究。用此方法计算了H在含杂W(100)面顶位吸附的电子结构、吸附体系的分子轨道能级和电子态密度以及杂质原子Re和Ta对化学吸附的影响。
戴宪起张涛王勉关大任张瑞勤蔡政亭
Si(001)表面In量子线的第一原理研究被引量：1
2006年
利用第一原理理论研究了金属In在Si(001)表面吸附的原子结构.结果表明,In原子的吸附不破坏衬底Si的二聚体化学键.在低覆盖率时,In原子在Si(001)衬底上形成有序量子线,取向沿衬底Si的二聚体化学键方向.计算结果显示相邻In线之间不存在排斥作用.
戴宪起琚伟伟吴新华李同伟
关键词：量子线铟硅
湿法合成ZnO压敏陶瓷材料烧结缺陷的研究被引量：5
1999年
研究了湿法合成ZnO压敏陶瓷材料的烧结缺陷.结果表明。随着烧结温度的提高,有两类微空洞型缺陷存在,它们分别由存在于晶粒表面的ZnO和晶界中的Bi_2O_3分解挥发产生,这种缺陷的存在是造成ZnO晶粒极向生长的主要原因。同时讨论了烧结缺陷的产生机理及其对压敏特性的影响。
邢怀民张瑞英戴宪起程国生朱铭炜张金仓
关键词：压敏陶瓷湿法合成氧化锌
Tl在Si(111)面吸附特性理论研究被引量：1
2010年
戴宪起赵建华孙永灿危书义卫国红
关键词：第一性原理铊电荷密度
金属原子修饰石墨烯体系催化性能的理论研究被引量：13
2016年
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了单个CO和O2气体分子在金属原子修饰石墨烯表面的吸附和反应过程.结果表明:空位缺陷结构的石墨烯能够提高金属原子的稳定性,金属原子掺杂的石墨烯体系能够调控气体分子的吸附特性.通入混合的CO和O2作为反应气体,石墨烯表面容易被吸附性更强的O2分子占据,进而防止催化剂的CO中毒.此外,对比分析两种催化机理(Langmuir-Hinshelwood和Eley-Rideal)对CO氧化反应的影响.与其它金属原子相比,Al原子掺杂的石墨烯体系具有极低的反应势垒(<0.4 e V),更有助于CO氧化反应的迅速进行.
唐亚楠陈卫光李成刚潘立军戴宪起
关键词：密度泛函理论催化氧化反应
Co在Si(100)表面化学吸附的电子结构和性质被引量：4
2003年
用紧束缚下的Muffin tin轨道线性组合方法研究了单层Co原子在理想的Si(10 0 )表面的化学吸附 .计算了Co原子在不同位置时吸附体系的能量 .结果表明 ,Co原子在C位 (四度位 )时吸附最稳定 ,在Co/Si(10 0 )界面存在Co、Si混合层 .同时对电子转移情况和层投影态密度进行了研究 .
危书义马丽杨宗献戴宪起张开明
关键词：化学吸附钴金属薄膜
缺陷对Pt在石墨烯上吸附影响的研究被引量：8
2010年
本文利用第一原理方法计算了空位缺陷和硼(B)掺杂时对Pt在graphene上吸附的影响.结果表明:Pt在graphene上吸附的稳定位置是Pt吸附在桥位;悬挂键的存在极大的增强了Pt在graphene空位处的吸附;B替位掺杂有利于Pt原子在杂质附近的吸附.
戴宪起唐亚楠赵建华
关键词：B掺杂第一性原理
环氧基在完整结构和空位缺陷石墨烯表面的吸附和扩散特性
2015年
基于密度泛函理论（DFT） 的第一性原理研究了环氧基官能团在石墨烯表面的吸附结构和扩散性质.与完整结构的石墨烯相比,单个环氧基在空位缺陷结构处具有较大的吸附能和扩散势垒.环氧基的平均吸附能随着吸附量而发生变化,吸附量逐渐增加,相应的吸附能达到最大值后逐渐减小.在扩散区域内,单个氧原子容易被束缚到空位缺陷处.两个氧原子在空位缺陷处形成羰基和C-O-C功能团,体现了氧化石墨烯的结构特征.环氧基吸附引起石墨烯表面结构皱褶有助于增强羟基吸附的稳定性.为研究氧化石墨烯的结构特性和形成机制提供了有益的理论指导.
唐亚楠周金成李成刚陈卫光戴宪起
关键词：环氧基
CO在Pt／Si和Pd／Si上的化学吸附
1995年
本文根据单电子化学吸附理论，利用格林函数方法和复能积分技术，研究了ＣＯ在Ｐｔ／Ｓｉ和Ｐｄ／Ｓｉ上的化学吸附，用ｓｐ杂化轨道模型描述衬底，用紧束缚的ｄ轨道模型描述金属。计算结果表明：（１）化学吸附能随Ｓｉ上金属的层数增加而单调下降；（２）△ε＜０ｅＶ的杂质效应表现为使化学吸附减弱；△ε＞０ｅＶ的杂质效应表现为杂质位于表面第一层时加强了化学吸附，杂质位于其它层时减弱了化学吸附。
徐国定戴宪起张涛
关键词：吸附能物理化学
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