您的位置： 专家智库 > >

刘鹏程

作品数：8 被引量：6H指数：2
供职机构：长春理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金高功率半导体激光国家重点实验室基金吉林省科技发展计划基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 4篇专利

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 4篇激光
  • 4篇激光器
  • 4篇半导体
  • 3篇刻蚀
  • 2篇电子器件
  • 2篇湿法刻蚀
  • 2篇腔面
  • 2篇阈值电流
  • 2篇面发射
  • 2篇面发射激光器
  • 2篇光电
  • 2篇光电子
  • 2篇光电子器件
  • 2篇发射激光器
  • 2篇半导体光电
  • 2篇半导体光电子...
  • 2篇半导体激光
  • 2篇半导体激光器
  • 2篇GAASSB
  • 2篇INGAAS...

机构

  • 8篇长春理工大学

作者

  • 8篇刘国军
  • 8篇安宁
  • 8篇刘鹏程
  • 4篇刘超
  • 4篇魏志鹏
  • 3篇冯源
  • 3篇郝永芹
  • 3篇陈芳
  • 2篇单少杰
  • 2篇刘超
  • 2篇周路
  • 2篇马晓辉
  • 2篇王旭
  • 1篇方玄
  • 1篇李占国
  • 1篇张升云
  • 1篇李特
  • 1篇李占国

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇激光与红外
  • 1篇半导体光电
  • 1篇长春理工大学...

年份

  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2013
共 8 条 记 录，以下是 1-8
全选 清除 导出
排序方式：
带有微反射镜的硅基V型槽制备方法
本发明涉及一种带有微反射镜的硅基V型槽制备方法，该方法包括：模拟：根据硅在KOH刻蚀液中的各向异性特征使用Anisotropic？crystalline？etching？simulation（ACES）软件进行模拟找出了...
刘鹏程刘国军李洪雨魏志鹏冯源郝永芹安宁陈芳何斌太刘超王清桃席文星
文献传递
InGaAsSb四元合金材料禁带宽度的计算方法被引量：2
2014年
讨论了计算In Ga As Sb四元合金材料禁带宽度常用的Glisson方法和Moon方法,比较了它们的计算结果.将两者化成相同形式下的等价公式后发现,二者都只考虑了Γ点带隙弯曲因子对禁带宽度的影响.通过考虑自旋轨道分裂带对价带的影响,提出一种将自旋轨道分裂带弯曲因子引入计算In Ga As Sb禁带宽度的新方法.研究结果表明,该方法计算结果的准确性要优于两种常见的方法.
刘超魏志鹏安宁何斌太刘鹏程刘国军
关键词：INGAASSB禁带宽度
1.3μm GaAsSb/GaAs单量子阱垂直腔面发射激光器的仿真研究
2014年
设计了用于提高1.3μm GaAsSb/GaAs单量子阱激光器光反馈的分布布拉格反射镜。基于PICS3D软件建立了单量子阱垂直腔面发射激光器仿真模型,并对有源区量子阱的材料组分和阱宽进行了优化分析。结果表明,量子阱组分为GaAs0.64Sb0.36/GaAs、阱宽为7nm时,器件的阈值电流为0.8m A,斜率效率为0.017W/A。当输入电流为8m A时,输出功率达到0.12m W。
何斌太刘国军魏志鹏安宁刘鹏程刘超王旭
关键词：垂直腔面发射激光器阈值电流斜率效率
1.3μm InGaAsSb/GaAsSb量子阱激光器有源区结构设计被引量：3
2015年
为了研制满足光纤通讯需求的高性能半导体激光器,对压应变In Ga As Sb/Ga As Sb量子阱激光器有源区进行了研究。根据应变量子阱能带理论、固体模型理论和克龙尼克-潘纳模型,确定了激射波长与量子阱材料组分及阱宽的关系。基于Lastip软件建立了条宽为50μm、腔长为800μm的半导体激光器仿真模型,模拟器件的输出特性,讨论了量子阱个数对器件光电特性的影响。结果表明:当量子阱组分为In0.44Ga0.56As0.92Sb0.08/Ga As0.92Sb0.08、阱宽为9 nm、量子阱个数为2时,器件的性能达到最佳,阈值电流为48 m A,斜率效率为0.76 W/A。
何斌太刘国军魏志鹏刘超安宁刘鹏程王旭
关键词：半导体激光器
一种使用湿法刻蚀法制备GaAs微透镜的方法
一种使用湿法刻蚀法制备GaAs微透镜的方法,属于半导体光电子器件工艺技术领域。由于传统垂直腔面发射激光器有光束质量差的缺点，我们针对于GaAs基垂直腔面发射激光器发明了利用湿法刻蚀制备微透镜的方法。用微透镜作为输出耦合透...
刘国军单少杰郝永芹魏志鹏冯源李特安宁周路罗扩郎陈芳何斌太刘鹏程
文献传递
一种利用两步法对GaAs基材料进行湿法刻蚀的方法
一种利用两步法对GaAs基材料进行湿法刻蚀的方法，属于半导体光电子器件工艺技术领域。该领域已知技术很难同时兼顾纵宽比与被腐蚀面的粗糙度。本发明是一种利用两步法对GaAs基材料进行湿法刻蚀的方法。其最终结果可以得到纵宽比较...
单少杰刘国军魏志鹏郝永芹冯源安宁周路陈芳罗扩郎张升云何斌太刘鹏程
文献传递
2μm InGaAsSb/AlGaAsSb应变补偿量子阱结构的数值研究被引量：2
2015年
为了降低2μm半导体激光器的阈值电流并提高器件的输出功率,设计了InGaAsSb/AlGaAsSb应变补偿量子阱结构,并利用SimLastip软件对器件进行了数值模拟。研究表明,在势垒中适当引入张应变可以改善量子阱的能带结构,提高对载流子的限制能力。当条宽为120μm、腔长为1 000μm时,采用应变补偿量子阱结构的激光器的阈值电流为91mA,斜率效率为0.48W/A。与压应变量子阱激光器相比,器件性能得到明显的改善。
安宁刘国军刘超李占国刘鹏程魏志鹏方玄马晓辉
关键词：增益阈值电流
一种具有电子阻挡层的GaSb基中红外激光器的外延结构
一种具有电子阻挡层的GaSb基中红外半导体激光器的外延结构,涉及半导体激光器外延技术领域。包括GaSb衬底、缓冲层、n型限制层、n型波导层、有源区、p型波导层、电子阻挡层和p型限制层，其特征在于所述p型波导层和p型限制层...
安宁刘国军刘超李占国刘鹏程何斌太常量马晓辉席文星
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0