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带有微反射镜的硅基V型槽制备方法: 本发明涉及一种带有微反射镜的硅基V型槽制备方法，该方法包括：模拟：根据硅在KOH刻蚀液中的各向异性特征使用Anisotropic？crystalline？etching？simulation（ACES）软件进行模拟找出了...; 刘鹏程刘国军李洪雨魏志鹏冯源郝永芹安宁陈芳何斌太刘超王清桃席文星; 文献传递

扩散掺杂的p型ZnO薄膜的光学性质研究被引量：1: 2015年; 采用原子层沉积技术(atomic layer deposition)在InP衬底上生长ZnO薄膜,并在不同温度下(500和700℃)进行热退火处理,将P掺杂进入ZnO,得到p型ZnO薄膜。样品的光学特性通过光致发光光谱(photoluminescence,PL)来测定,得出热退火温度是影响P扩散掺杂的重要因素,低温PL光谱中,700℃热退火1h样品的光谱展现出四个与受主相关的发射峰:3.351,3.311,3.246和3.177eV,分别来自受主束缚激子的辐射复合(A°X)、自由电子到受主的发射(FA)、施主受主对的发射(DAP)以及施主受主对的第一纵向声子伴线(DAP-1LO),计算得到受主束缚能为122meV,与理论计算结果一致。通过热扩散方式实现了ZnO薄膜的p型掺杂,解决了制约ZnO基光电器件发展的主要问题,对ZnO基半导体材料及其光电器件的发展有重要意义。; 陈芳房丹王双鹏方铉唐吉龙赵海峰方芳楚学影李金华王菲王晓华刘国军马晓辉魏志鹏; 关键词：P型ZNO 原子层沉积光致发光

用分子束外延（MBE）在GaSb衬底上无催化制备GaSb纳米线的方法: 本发明涉及一种用新工艺方法制备GaSb纳米线的方法，以分子束外延(MBE)为基础，使用全新方法在GaSb衬底上制备GaSb纳米线，属于纳米材料制备领域。在无催化剂、无模板的条件下利用MBE的超高真空环境，制备出高纯度优质...; 唐吉龙方铉魏志鹏高娴陈芳房丹李金华楚学影方芳王晓华王菲; 文献传递

用分子束外延（MBE）在GaSb衬底上无催化制备GaSb纳米线的方法: 本发明涉及一种用新工艺方法制备GaSb纳米线的方法，以分子束外延(MBE)为基础，使用全新方法在GaSb衬底上制备GaSb纳米线，属于纳米材料制备领域。在无催化剂、无模板的条件下利用MBE的超高真空环境，制备出高纯度优质...; 唐吉龙方铉魏志鹏高娴陈芳房丹李金华楚学影方芳王晓华王菲

PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响（英文）被引量：2: 2016年; 研究通过等离子增强原子层沉积（PEALD）在不同沉积温度下生长的A1N温度对其特性的影响。前驱体是NH3和TMA，在300oC、350oC和370oC沉积温度下分别沉积了200、500、800、1000、1500周期的A1N层，并讨论了A1N薄膜的生长速率、结晶化和表面粗糙度。结果表明，在300—370℃范围内，随着温度的上升薄膜的沉积速率和结晶化增加，而薄膜表面粗糙度减小。; 陈芳方铉王双鹏牛守柱方芳房丹唐吉龙王晓华刘国军魏志鹏; 关键词：氮化铝生长速率结晶化沉积温度

一种使用湿法刻蚀法制备GaAs微透镜的方法: 一种使用湿法刻蚀法制备GaAs微透镜的方法,属于半导体光电子器件工艺技术领域。由于传统垂直腔面发射激光器有光束质量差的缺点，我们针对于GaAs基垂直腔面发射激光器发明了利用湿法刻蚀制备微透镜的方法。用微透镜作为输出耦合透...; 刘国军单少杰郝永芹魏志鹏冯源李特安宁周路罗扩郎陈芳何斌太刘鹏程; 文献传递

一种利用两步法对GaAs基材料进行湿法刻蚀的方法: 一种利用两步法对GaAs基材料进行湿法刻蚀的方法，属于半导体光电子器件工艺技术领域。该领域已知技术很难同时兼顾纵宽比与被腐蚀面的粗糙度。本发明是一种利用两步法对GaAs基材料进行湿法刻蚀的方法。其最终结果可以得到纵宽比较...; 单少杰刘国军魏志鹏郝永芹冯源安宁周路陈芳罗扩郎张升云何斌太刘鹏程; 文献传递

扫描近场光学显微技术在半导体材料表征领域应用的研究进展被引量：1: 2014年; 半导体材料及其光电器件如激光器、探测器以及高速微波器件有着广阔的应用前景。半导体材料的结构和缺陷特性对器件性能起着至关重要的影响,然而对材料进行纳米尺度下的检测、表征无论是理论上还是技术和设备上都需要深入研究和发展,因此扫描近场光学显微技术在半导体材料表征领域有着无可替代的地位。扫描近场光学显微技术突破了传统光学显微技术的衍射分辨率极限的限制,具有超高空间分辨率、超高探测灵敏度等特点,并且是一种非接触性探测,具有无损伤性。简要介绍了扫描近场光学显微镜的原理及在半导体材料研究中的应用,包括量子阱结构中的位错及缺陷的表征,半导体器件的表面复合速率及扩散长度的纳米表征,以及半导体薄膜中的缺陷分布的检测。探讨了目前相关研究领域存在的主要问题,并对其发展趋势和前景进行了展望。; 陈芳魏志鹏刘国军唐吉龙房丹方铉高娴赵海峰王双鹏; 关键词：半导体材料

一种条纹宽度可控的激光加热制备单层石墨烯的方法: 本发明涉及一种在衬底上利用激光光束通过光栅加热方法制备条纹宽度可控的单层石墨烯(Graphene)的方法，属于半导体新型材料技术领域。石墨烯具有较高的电子传输特性、响应频率好和较宽光波段透明度的性质，能够实现高速电子器件...; 魏志鹏高娴唐吉龙房丹方铉陈芳牛守柱方芳楚学影李金华王菲王晓华; 文献传递

一种硫钝化与快速热退火二步法处理n-GaSb衬底的方法: 本发明提出了一种硫钝化与快速热退火二步法处理GaSb衬底的方法，采用硫钝化与快速热退火结合处理GaSb衬底，能更大程度降低n型GaSb表面复合率，改善n型GaSb表面的电学特性，使具有稳定的界面，提高n型GaSb基半导体...; 陈芳李占国刘国军魏志鹏马晓辉徐莉周璐张晶李梅安宁王博张升云田珊珊高娴刘超单少杰孙鹏刘晓轩; 文献传递

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陈芳