刘建华
- 作品数：17 被引量：12H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信建筑科学理学一般工业技术更多>>
- 芯片尺寸封装工艺技术被引量：1
- 2002年
- 芯片尺寸封装 (CSP)技术是近年来发展最为迅速的微电子封装技术之一。文章介绍了目前出现的四类 CSP结构形式 。
- 汤江南曾大富刘建华朱之成赵静
- 关键词：芯片尺寸封装封装技术微电子
- 一种高速高压NPN管的研制被引量：1
- 1997年
- 把Ｎｉｎｇ－Ｔａｎｇ测试发射极电阻的方法进行扩展，用来测试多晶发射极界面氧化层电阻，作发射极界面氧化层电阻与多晶硅发射极晶体管退火的优化实验，获得退火的优化工艺条件，并由此成功地研制出ＢＶＣＥＯ≥３０Ｖ，ＢＶＣＢＯ＝７５Ｖ，ｆＴ＝２ＧＨｚ，β＝１８０的多晶硅发射极晶体管。用扩展电阻ＳＳＭ１５０型测多晶硅发射极晶体管的纵向杂质分布，得出多晶硅发射极晶体管的单晶发射区结深为５０ｎｍ，基区结深为２００ｎｍ。
- 张正元龙绍周刘建华张庆中
- 关键词：半导体器件半导体工艺多晶硅发射极NPN晶体管
- 建立军用Foundry的探索
- 郭林刘建华
- 关键词：集成电路集成电路工艺
- 谐振型压力传感器芯片的局部真空封装方法
- 本发明涉及一种谐振型压力传感器芯片的局部真空封装方法。该方法在所要局部真空封装区域围成一个厚度为10－20μm、环宽为100－200μm的钛钨/金环，同时进行深槽腐蚀及释放可动部件，利用金属在共晶烧结中的回流来调整表面的...
- 张正元刘玉奎罗驰胡明雨冯志成郑纯刘建华
- 文献传递
- 圆片级封装的无铅焊料凸点制作技术研究被引量：5
- 2005年
- 对圆片级封装(WLP)的结构设计和关键工艺技术进行了研究;描述了凸点下金属(UBM)层的选择,凸点回流技术,以及凸点的质量控制技术;重点阐述了采用电镀制作无铅焊料凸点的方法。
- 罗驰叶冬刘建华刘欣
- 关键词：圆片级封装无铅焊料凸点
- 基于MCM-D工艺的3D-MCM工艺技术研究被引量：2
- 2010年
- 基于MCM-D薄膜工艺,开展了3D-MCM相关的无源元件内埋置、芯片减薄、芯片叠层组装、低弧度金丝键合、芯片凸点,以及板级叠层互连装配等工艺技术研究。通过埋置型基板、叠层芯片组装、板级叠层互连,实现了3D-MCM结构,制作出薄膜3D-MCM样品;探索出主要的工艺流程及关键工序控制方法,实现了薄膜3D-MCM封装。
- 刘欣谢廷明罗驰刘建华唐哲
- 关键词：3D-MCM
- MEMS传感器的真空密封技术被引量：1
- 2005年
- 文章介绍了MEMS传感器的几种真空密封方法,提出了一种真空密封方法的设想。
- 曾大富刘建华罗驰
- 关键词：MEMS传感器谐振梁压力传感器真空密封
- 芯片级封装技术研究被引量：2
- 2005年
- 对刚性基板倒装式和晶圆再分布式两种结构的芯片级封装(CSP)进行了研究,描述了CSP的工艺流程;详细讨论了CSP的几项主要关键技术结构设计技术,凸点制作技术,包封技术和测试技术;阐述了采用电镀和丝网漏印制备焊料凸点的方法。
- 罗驰邢宗锋叶冬刘欣刘建华曾大富
- 关键词：微组装芯片级封装凸点封装技术焊料凸点
- 高可靠硅基MCM芯片凸点技术研究
- 2008年
- 介绍了采用芯片凸点和倒装焊技术(FCB)的MCM-Si工艺,重点研究了凸点下金属化(UBM)结构设计对电路可靠性的影响;通过再流焊和可靠性试验,以及凸点拉脱力测试,进行了可靠性评价。采用该工艺制作的电路已达到《混合集成电路通用规范》(GJB2438A-2002)可靠性等级的H级。
- 叶冬刘欣刘建华罗驰
- 关键词：多芯片组件倒装焊
- 晶圆级封装中的SnPb焊料凸点制作工艺被引量：2
- 2004年
- 以晶圆级封装工艺技术(WLP)研究为基础,阐述了电化学淀积SnPb焊料凸点的工艺控制过程。采用电化学淀积方法,制备出150μm高(均匀性为±10μm)的SnPb焊料凸点。经扫描电镜分析,SnPb焊料凸点的成份含量(63/37)控制在5%范围之内。
- 杨立功罗驰刘欣刘建华叶冬
- 关键词：晶圆级封装焊料凸点
