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余云鹏

作品数:46 被引量:194H指数:8
供职机构:汕头大学更多>>
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相关领域:理学电子电信电气工程机械工程更多>>

文献类型

  • 39篇期刊文章
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  • 2篇专利
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领域

  • 30篇理学
  • 12篇电子电信
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  • 3篇机械工程
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  • 1篇医药卫生

主题

  • 13篇硅薄膜
  • 7篇等离子体
  • 7篇光谱
  • 6篇多晶
  • 6篇多晶硅
  • 6篇多晶硅薄膜
  • 6篇辉光
  • 6篇辉光放电
  • 6篇非晶硅
  • 4篇非晶硅薄膜
  • 4篇PECVD
  • 3篇射频辉光放电
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  • 3篇化学气相
  • 3篇化学气相沉积
  • 3篇基片
  • 3篇溅射
  • 3篇光学
  • 3篇光学特性
  • 3篇红外

机构

  • 46篇汕头大学
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  • 1篇浙江大学
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作者

  • 46篇余云鹏
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  • 13篇余楚迎
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  • 3篇王照奎
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传媒

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年份

  • 1篇2023
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2011
  • 1篇2009
  • 2篇2006
  • 3篇2005
  • 12篇2004
  • 3篇2003
  • 1篇2002
  • 4篇2001
  • 4篇1999
  • 1篇1996
  • 2篇1994
  • 1篇1992
46 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
质谱计的微机控制系统被引量:3
1999年
给出了一个质谱计的微机控制系统,应用该系统,实现了对质谱计电离电压和质谱扫描的自动控制,根据质谱输出信号的大小自动选择最合适的测量量程,并可对质谱信号实时显示。
姚若河刘育洲石旺舟林揆训林璇英余云鹏
关键词:质谱计自动测量四极质谱计微机控制系统
用SiCl_4/H_2气源沉积多晶硅薄膜光照稳定性的研究被引量:9
2005年
对以SiH4/H2及SiCl4/H2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积技术制备的非晶硅薄膜和多晶硅薄膜进行了光照稳定性的研究.实验表明,制备的多晶硅薄膜并没有出现非晶硅中的光致衰减现象,其光电导、暗电导在光照过程中没有下降反而有所上升且电导率变化快慢受氢稀释度的制约.多晶硅薄膜的光照稳定性可能来源于高的晶化度及Cl元素的存在.
祝祖送林璇英余云鹏林揆训邱桂明黄锐余楚迎
关键词:多晶硅薄膜H2气源等离子体增强非晶硅薄膜稀释度
柔性功能薄膜辉光光谱深度分辨率分析被引量:3
2020年
本文首先通过脉冲射频辉光放电发射光谱定量表征了自然生长在Si(111)基片上约1nm的SiO2膜,表明射频辉光放电发射光谱具有纳米级别的深度分辨率。随后用原子力显微镜和分光光度计对一款含有Ag层的柔性光学功能薄膜进行了表征,并利用脉冲射频辉光放电发射光谱,在不同的工作条件下对其进行了深度剖析。最后利用原子混合-粗糙度-信息深度模型对所测量的Ag深度谱进行了定量分析,获得了不同测量条件下Ag深度谱的深度分辨率,由此确定了最佳的脉冲射频辉光放电发射光谱工作条件,对获得柔性功能薄膜高分辨率深度谱具有指导意义。
周刚吕凯刘远鹏余云鹏徐从康王江涌
用SiCl<,4>/O<,2>-PECVD技术低温沉积硅基厚SiO<,2>薄膜
本文选取了不含H<,2>的SiCl<,4>/O<,2>混合气体作为反应源气体,并利用普通的PECVD技术实现低温沉积Si基微米厚度的SiO<,2>薄膜,测试并分析沉积速率、结构组份和折射率随工艺参数的变化关系,结果表明:...
余云鹏徐严平吴永俊林璇英
关键词:二氧化硅薄膜红外光谱
文献传递
一种用于CELIV测量的瞬态电流修正方法
本发明公开了一种用于CELIV测量的瞬态电流修正方法,包括以下步骤:使用波形信号发生器与采样电阻、标准电阻、数字存储示波器构成电流采样电路;所述数字存储示波器记录所述采样电阻上的电压随时间变化曲线,对所述电压随时间变化曲...
余云鹏邱桂明林南蔡铭章
退火对磁控溅射掺铕氧化钇薄膜光致发光谱的影响
2020年
稀土掺杂荧光薄膜的发光性能与薄膜所经历的后退火处理密切相关。为了解退火对磁控溅射制备的Y2O3∶Eu^3+薄膜发光性能的影响,在三种不同的工艺条件下,采用射频磁控溅射方法制备了三组厚度100多纳米的Y2O3∶Eu^3+薄膜样品,并在氧气气氛和常压条件下对每组的四个样品分别进行室温、 700、 900和1 100℃的2 h退火处理。样品的X射线衍射谱(XRD)、电子能量色散谱(EDS)、光致发光(PL)及其激发光谱的测量结果表明,虽然薄膜是在不同条件下溅射得到的,但经相同的退火处理后,它们的发光和结构却都呈现出相同的变化规律。首先,薄膜荧光的主激发机制不受退火温度的影响,都是波长为252 nm的电荷转移激发。其次, 700℃退火处理仍不能有效地改变薄膜的弱发光性能;当退火温度达到900℃时,伴随着薄膜中立方相晶粒的增大,发光强度也得以显著提升,薄膜在252 nm光激发下发射出中心位于612 nm的立方相特征主峰;当薄膜经历1 100℃退火处理后,膜内发生了从立方相到单斜相为主的结构相变,此时,膜中Eu对Y的原子数含量比被明显降低至0.05%左右,但光发射效率和强度却得以提高,发射光谱呈现出以5D0→7F2电偶极跃迁的623 nm为主峰的单斜相强发光特征,同时,5D0→7F1磁偶极跃迁的发光也比立方相的明显增强。这些结果可归因于发光中心Eu^3+在单斜结构中占据了更多的非中心对称格位,以及高温退火导致薄膜较好的结晶度。另外还发现,立方相Y2O3∶Eu^3+的5D0→7F0电偶极跃迁581 nm发光峰很弱,而单斜相Y2O3∶Eu^3+在该处的发光却相当明显,此特征可以作为薄膜中单斜相形成的一个提示信号。这个工作展示了磁控溅射制备的Y2O3∶Eu^3+薄膜的退火效应,提供了一种制备具有更好的红光发射性能的纳米单斜相Y2O3∶Eu^3+薄膜的实验方法,并揭示了这种薄膜从纳米立方相到单斜相转变时PL谱的�
林舜辉张李辉刘勇权王孝坤林春雷余云鹏
关键词:光致发光退火磁控溅射
新型透射式全息窄带带阻滤光器的光谱特性分析
2005年
滤光器在光谱学、光学测量和激光物理中有着极其重要的应用。全息滤光器是一种新型滤光器,特别是利用重铬酸明胶(DCG)记录的全息透射式窄带滤光器,其主要特点为对主谱线有很窄的带宽。文章主要用紫外 可见分光光度计测定用DCG记录的透射式全息窄带带阻滤光器的光谱特性,测量结果分析表明,滤光器在可见光区域(40 0~80 0nm)对其中心波长的相对透射率小于2 % ,其他谱线的相对透射率大于85 %。且滤光器有较窄的带宽,其半宽度小于12nm ,十分之一宽度小于15nm。对氩离子激光(Ar+ )主谱线5 14 5nm有优良的滤光特性。
黄翀欧阳艳东吴建宏余云鹏林舜辉
关键词:透射式全息带阻紫外-可见分光光度计氩离子激光半宽度
纯天然植物紫外吸收剂的光谱特性研究被引量:5
2004年
纯天然植物紫外吸收剂是一种高安全性、无副作用且有发展前景的化妆品新型紫外吸收添加剂。纯天然植物紫外吸收剂是由对紫外光有吸收作用的草本植物通过干品粉碎,用有机溶剂萃取、真空干燥后获得。新型紫外吸收剂固体呈现暗褐色,用乙醇和水配成溶液(紫外吸收剂原液)呈淡黄色。本文主要用紫外可见分光光度计测定新型纯天然植物紫外吸收剂的紫外吸收光谱,分析结果发现,紫外吸收剂在UVC区和UVB区其相对透射率均小于02%,最大值出现在UVA区约375nm处也仅为21%。说明新型天然植物紫外吸收剂对紫外线有较好的吸收,能屏蔽各种波长的紫外光。
黄翀方奕文欧阳艳东余云鹏
关键词:紫外吸收剂天然植物UVA原液紫外吸收光谱
等离子体化学气相沉积参量对Ar等离子体电子特性的影响被引量:2
2004年
 采用加热的调谐单探针技术,研究了射频辉光放电Ar等离子体空间电子能量分布函数,电子平均能量和电子密度,并系统分析了等离子体增强化学气相沉积工艺参量对等离子体空间电子特性的影响。
魏俊红林璇英赵韦人池凌飞余云鹏林揆训黄锐王照奎余楚迎
关键词:等离子体化学气相沉积
光照和偏压对微晶硅薄膜室温电导的影响被引量:2
2006年
报道了SiCl4/H2等离子体化学气相沉积方法制备的未掺杂微晶硅薄膜,在短时间光照或加上直流偏压后其室温暗电导随时间缓慢变化的行为.Raman散射谱结果表明,薄膜的晶态体积比大于70%.暗电阻的实验结果显示:材料具有弱的持久光电导效应;薄膜的暗电导在外加直流电场的作用下缓慢上升,电场反向后出现暗电导的恢复过程,而且暗电导变化速度与偏压大小和温度有关.根据异质结势垒模型,指出外加条件下载流子的空间分离和重新分布以及材料非均匀性造成的势垒是引起电导缓慢变化的主要原因.
余云鹏林璇英林舜辉黄锐
关键词:微晶硅光照
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