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余云鹏

作品数:47 被引量:193H指数:8
供职机构:汕头大学更多>>
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相关领域:理学电子电信电气工程机械工程更多>>

文献类型

  • 39篇期刊文章
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领域

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  • 3篇机械工程
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  • 1篇医药卫生

主题

  • 14篇硅薄膜
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  • 7篇光谱
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  • 3篇化学气相沉积
  • 3篇基片
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  • 3篇光学
  • 3篇光学特性
  • 3篇红外

机构

  • 47篇汕头大学
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作者

  • 47篇余云鹏
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传媒

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年份

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  • 3篇2017
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  • 3篇2005
  • 13篇2004
  • 3篇2003
  • 1篇2002
  • 4篇2001
  • 4篇1999
  • 1篇1996
  • 2篇1994
  • 1篇1992
47 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
质谱计的微机控制系统被引量:2
1999年
给出了一个质谱计的微机控制系统,应用该系统,实现了对质谱计电离电压和质谱扫描的自动控制,根据质谱输出信号的大小自动选择最合适的测量量程,并可对质谱信号实时显示。
姚若河刘育洲石旺舟林揆训林璇英余云鹏
关键词:质谱计自动测量四极质谱计微机控制系统
用SiCl_4/H_2气源沉积多晶硅薄膜光照稳定性的研究被引量:9
2005年
对以SiH4/H2及SiCl4/H2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积技术制备的非晶硅薄膜和多晶硅薄膜进行了光照稳定性的研究.实验表明,制备的多晶硅薄膜并没有出现非晶硅中的光致衰减现象,其光电导、暗电导在光照过程中没有下降反而有所上升且电导率变化快慢受氢稀释度的制约.多晶硅薄膜的光照稳定性可能来源于高的晶化度及Cl元素的存在.
祝祖送林璇英余云鹏林揆训邱桂明黄锐余楚迎
关键词:多晶硅薄膜H2气源等离子体增强非晶硅薄膜稀释度
柔性功能薄膜辉光光谱深度分辨率分析被引量:4
2020年
本文首先通过脉冲射频辉光放电发射光谱定量表征了自然生长在Si(111)基片上约1nm的SiO2膜,表明射频辉光放电发射光谱具有纳米级别的深度分辨率。随后用原子力显微镜和分光光度计对一款含有Ag层的柔性光学功能薄膜进行了表征,并利用脉冲射频辉光放电发射光谱,在不同的工作条件下对其进行了深度剖析。最后利用原子混合-粗糙度-信息深度模型对所测量的Ag深度谱进行了定量分析,获得了不同测量条件下Ag深度谱的深度分辨率,由此确定了最佳的脉冲射频辉光放电发射光谱工作条件,对获得柔性功能薄膜高分辨率深度谱具有指导意义。
周刚吕凯刘远鹏余云鹏徐从康王江涌
用SiCl<,4>/O<,2>-PECVD技术低温沉积硅基厚SiO<,2>薄膜
本文选取了不含H<,2>的SiCl<,4>/O<,2>混合气体作为反应源气体,并利用普通的PECVD技术实现低温沉积Si基微米厚度的SiO<,2>薄膜,测试并分析沉积速率、结构组份和折射率随工艺参数的变化关系,结果表明:...
余云鹏徐严平吴永俊林璇英
关键词:二氧化硅薄膜红外光谱
一种用于CELIV测量的瞬态电流修正方法
本发明公开了一种用于CELIV测量的瞬态电流修正方法,包括以下步骤:使用波形信号发生器与采样电阻、标准电阻、数字存储示波器构成电流采样电路;所述数字存储示波器记录所述采样电阻上的电压随时间变化曲线,对所述电压随时间变化曲...
余云鹏邱桂明林南蔡铭章
氩直流辉光放电等离子体中电子运动及能量的模拟被引量:5
2004年
采用自动调节时间步长的蒙特卡罗模拟,对平行板放电系统中的氩气直流辉光放电系统中的等离子体区内电子的运动过程进行了跟踪和抽样。统计结果表明:在我们的实验条件下,等离子体中的电子在电场作用下出现明显的轴向漂移;在40000次抽样中,出现能量为E的电子数目随能量E增大呈下降趋势,场强增大将引起能量分布展宽和电子平均能量增加;即使场强达到15V·cm-1,等离子体激发和电离仍是很少的;场强和气压都能明显改变电子的平均自由程。
余云鹏林舜辉林旭升池凌飞林璇英林揆训
关键词:辉光放电等离子体电子运动电子能量蒙特卡罗模拟
液晶显示用新型偏光片紫外光谱特性研究被引量:1
2003年
通过测量ITO玻璃及偏光片对各波段紫外光的光谱特性,分析比较一般偏光片和防紫外偏光片F1225DU的紫外透射光谱,从而说明新型偏光片的防紫外特性。F1225DU对紫外线有比较好的吸收,能挡住各种波长的紫外光,起防止紫外光破坏液晶显示器件的作用。
欧阳艳东黄翀余云鹏林舜辉
关键词:偏光片紫外光透射光谱ITO
蓝光过滤多层功能薄膜的遗传算法设计被引量:2
2017年
目的设计出一种在380~455 nm波段具有高反射率,但在500~760 nm波段具有低反射率的多层薄膜结构。方法采用遗传算法,采取截断选择策略,并引入小生境技术,选择灵活性较好的容差型评价函数,通过改变目标反射率,使功能薄膜在可见光波段具有增透与增反两种特性。采用八层不同折射率材料交替结构,计算得出满足光谱特性要求的全局膜系结构参数。结果当材料为硫化锌和氟化镁,厚度为324、142、68、46、51、51、56、145 nm时,380~455 nm波长处的平均反射率高达88.54%,500~760 nm波长处的平均反射率仅为2.00%。由几种常用光学薄膜材料的不同搭配,发现材料的折射率差与两波段的平均反射率差呈现相同趋势。当两种材料的折射率差为0.92时,两波段的平均反射率差为86.54%。结论采用的遗传算法可以简单有效地对多层薄膜结构进行优化,为获得较为理想的蓝光过滤功能薄膜,应尽可能选择折射率差大的两种材料。
连松友姜国利余云鹏林舜辉林钢徐从康王江涌
关键词:遗传算法多层膜
退火对磁控溅射掺铕氧化钇薄膜光致发光谱的影响
2020年
稀土掺杂荧光薄膜的发光性能与薄膜所经历的后退火处理密切相关。为了解退火对磁控溅射制备的Y2O3∶Eu^3+薄膜发光性能的影响,在三种不同的工艺条件下,采用射频磁控溅射方法制备了三组厚度100多纳米的Y2O3∶Eu^3+薄膜样品,并在氧气气氛和常压条件下对每组的四个样品分别进行室温、 700、 900和1 100℃的2 h退火处理。样品的X射线衍射谱(XRD)、电子能量色散谱(EDS)、光致发光(PL)及其激发光谱的测量结果表明,虽然薄膜是在不同条件下溅射得到的,但经相同的退火处理后,它们的发光和结构却都呈现出相同的变化规律。首先,薄膜荧光的主激发机制不受退火温度的影响,都是波长为252 nm的电荷转移激发。其次, 700℃退火处理仍不能有效地改变薄膜的弱发光性能;当退火温度达到900℃时,伴随着薄膜中立方相晶粒的增大,发光强度也得以显著提升,薄膜在252 nm光激发下发射出中心位于612 nm的立方相特征主峰;当薄膜经历1 100℃退火处理后,膜内发生了从立方相到单斜相为主的结构相变,此时,膜中Eu对Y的原子数含量比被明显降低至0.05%左右,但光发射效率和强度却得以提高,发射光谱呈现出以5D0→7F2电偶极跃迁的623 nm为主峰的单斜相强发光特征,同时,5D0→7F1磁偶极跃迁的发光也比立方相的明显增强。这些结果可归因于发光中心Eu^3+在单斜结构中占据了更多的非中心对称格位,以及高温退火导致薄膜较好的结晶度。另外还发现,立方相Y2O3∶Eu^3+的5D0→7F0电偶极跃迁581 nm发光峰很弱,而单斜相Y2O3∶Eu^3+在该处的发光却相当明显,此特征可以作为薄膜中单斜相形成的一个提示信号。这个工作展示了磁控溅射制备的Y2O3∶Eu^3+薄膜的退火效应,提供了一种制备具有更好的红光发射性能的纳米单斜相Y2O3∶Eu^3+薄膜的实验方法,并揭示了这种薄膜从纳米立方相到单斜相转变时PL谱的�
林舜辉张李辉刘勇权王孝坤林春雷余云鹏
关键词:光致发光退火磁控溅射
新型透射式全息窄带带阻滤光器的光谱特性分析
2005年
滤光器在光谱学、光学测量和激光物理中有着极其重要的应用。全息滤光器是一种新型滤光器,特别是利用重铬酸明胶(DCG)记录的全息透射式窄带滤光器,其主要特点为对主谱线有很窄的带宽。文章主要用紫外 可见分光光度计测定用DCG记录的透射式全息窄带带阻滤光器的光谱特性,测量结果分析表明,滤光器在可见光区域(40 0~80 0nm)对其中心波长的相对透射率小于2 % ,其他谱线的相对透射率大于85 %。且滤光器有较窄的带宽,其半宽度小于12nm ,十分之一宽度小于15nm。对氩离子激光(Ar+ )主谱线5 14 5nm有优良的滤光特性。
黄翀欧阳艳东吴建宏余云鹏林舜辉
关键词:透射式全息带阻紫外-可见分光光度计氩离子激光半宽度
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