陆晓东
- 作品数：10 被引量：19H指数：3
- 供职机构：河北大学更多>>
- 发文基金：教育部科学技术研究重点项目国家自然科学基金河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程理学一般工业技术文化科学更多>>
- 立方体AgBrCl硫增感光的电子行为
- 2004年
- 本文利用微波吸收相敏检测技术 ,同时获得了立方体AgBrCl乳剂中 ,在增感温度增加的条件下 ,自由光电子和浅束缚光电子的时间衰减曲线 ,分析了不同的硫增感产物随增感温度增加所起的陷阱效应。结果表明 ,在立方体AgBrCl乳剂中 ,硫增感初始阶段的增感产物主要是作为浅电子陷阱存在 ;随着增感温度增加至5 5℃时 ,增感产物浅电子陷阱效果最佳 ;如增感温度进一步增加 ,硫增感中心又变为深电子陷阱。文中还讨论了浅电子陷阱中浅束缚光电子衰减时间与阱深的依存关系。
- 陆晓东李晓苇
- 硫增感AgBrI T颗粒乳剂光电子行为研究被引量：3
- 2004年
- 利用微波相敏技术,获得了硫增感AgBrIT颗粒乳剂中自由光电子和束缚光电子时间衰减信号,分析了光电子衰减时间、电子陷阱效应、光电子寿命、有效陷阱深度及束缚电子转移时间与增感时间的关系,获得了最佳的增感时间、衰减时间、电子陷阱效应、光电子寿命、有效陷阱深度和转移时间数值.
- 陆晓东李晓苇
- 关键词：自由载流子
- 电子陷阱对卤化银微晶感光过程的影响被引量：6
- 2002年
- 根据成核 -生长模型详细阐述了卤化银微晶中电子陷阱与空穴陷阱的概念以及电子陷阱在感光过程中的作用 ,着重于介绍如何优化电子陷阱密度和深度来降低复合以及成核点数目 ,从而达到提高潜影形成效率的目的 .
- 耿爱丛韩理傅广生李晓苇陆晓东
- 关键词：电子陷阱卤化银微晶
- 硫增感卤化银光电子行为及特性
- 本文利用微波吸收相敏技术检测了硫增感条件下的卤化银光电子衰减行为，同步获得了硫增感乳剂的自由光电子和浅束缚光电子的时间分辨谱信号。通过自由光电子衰减的时间特性，分析了AgBrI T颗粒乳剂硫增感产物的陷阱效应、增感条件与...
- 陆晓东
- 关键词：卤化银硫增感光电子电子陷阱
- 文献传递
- 硫增感AgBrCl立方体微晶中光电子衰减行为的研究被引量：1
- 2004年
- 利用微波吸收相敏检测技术并结合短脉冲激光曝光,测量了硫增感条件下AgBrCl立方体微晶感光材料的光电子时间衰减谱。分析了光电子一级衰减区域与增感温度的关系,确定了硫增感的陷阱效应对光电子衰减时间和光电子不同一级衰减区域的影响,并获得了增感过程中生成浅电子陷阱效果的最佳增感条件。
- 李晓苇刘荣鹃江晓利陆晓东赖伟东杨少鹏傅广生
- 关键词：硫增感卤化银微晶感光材料电子陷阱
- 感光材料光电子的微波相敏检测技术被引量：6
- 2002年
- 讨论了微波相敏检测法的原理,重点对感光材料薄膜在曝光过程中光电子引起的介电函数的变化以及由此导致的微波谐振腔反射波电压变化进行了详细的分析,介绍了实现同步检测自由光电子和浅束缚电子信号的微波相敏检测装置。
- 韩理陆晓东杨少鹏李晓苇耿爱丛
- 关键词：感光材料光电子介电函数
- 硫增感AgBr I T颗粒乳剂光电子行为研究被引量：4
- 2003年
- 本文利用微波吸收相敏检测技术,同时获得了硫增感AgBrIT颗粒乳剂,在不同增感条件下自由光电子和浅俘获光电子的时间衰减曲线,分析了不同的硫增感产物的陷阱效应.结果表明:开始时,增感产物起电子陷阱作用,至45min时,浅电子陷阱作用最佳.如增感时间进一步增加,硫增感产物将变为深电子陷阱.本文还讨论了浅电子陷阱中浅俘获光电子衰减时间与阱深的依存关系.
- 杨少鹏董国义陆晓东李晓苇傅广生
- 关键词：硫增感电子陷阱光电子
- 苗族优秀民俗文化的思想政治教育功能研究
- 中国是多民族国家，各民族生存的标志是独具特色的民俗文化，体现民族文化的丰富多彩，体现我国求同存异的文化融合。不论是古代还是现代，民俗文化都有统一教化和规范行为的功能，苗族优秀民俗文化是苗族人民在长期的历史长河中积淀并约定...
- 陆晓东
- 关键词：思想政治教育苗族文化教育功能教育资源
- 文献传递
- 硫增感卤化银薄膜中光电子衰减行为的检测
- 短脉冲激光曝光与微波吸收相敏检测相结合的光学微波双共振技术,测量了硫增感条件下AgBrCl立方体薄膜感光材料的光电子时间衰减谱,分析了光电子一级衰减区域与增感温度的关系,讨论了硫增感的陷阱效应对光电子衰减时间和光电子不同...
- 李晓苇刘荣鹃江晓利陆晓东赖卫东杨少鹏傅广生
- 关键词：硫增感感光材料
- 微波相敏技术在光学材料特性研究中的应用
- 2004年
- 利用微波相敏技术,获得了用硫作不同时间表面处理AgBrI晶体自由光电子和束缚光电子时间衰减信号,分析了光电子衰减时间、电子陷阱效应、光电子寿命、有效陷阱深度及束缚电子转移时间与表面处理时间的关系,获得了最佳的表面处理时间为45分钟,有效陷阱深度为0.255～0.265eV。
- 陆晓东李晓苇
- 关键词：自由载流子光学材料光电子
