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闫翠玲

作品数:5 被引量:3H指数:1
供职机构:内蒙古农业大学理学院更多>>
发文基金:内蒙古自治区自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇理学

主题

  • 5篇三元混晶
  • 2篇异质结
  • 2篇声子
  • 2篇界面声子
  • 2篇极化激元
  • 1篇量子
  • 1篇量子阱线
  • 1篇膜厚
  • 1篇薄膜厚度

机构

  • 5篇内蒙古农业大...

作者

  • 5篇闫翠玲
  • 4篇包锦
  • 3篇闫祖威

传媒

  • 2篇内蒙古大学学...
  • 1篇物理学报
  • 1篇内蒙古农业大...

年份

  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2013
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
三元混晶异质结系统的界面声子极化激元被引量:1
2013年
运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究了三元混晶异质结系统GaAs/Al0.4Ga0.6As和GaN/Ga0.35In0.65N中的界面声子极化激元,获得了界面声子极化激元模的色散关系以及界面模的频率随混晶组分的变化关系.结果表明:三元混晶异质结系统中存在三支界面声子极化激元模,且这三支界面模的频率随混晶组分呈非线性变化.三元混晶的"单模"和"双模"性也在色散曲线中体现了出来.
闫翠玲包锦
关键词:异质结三元混晶
三元混晶四层系统的表面和界面声子极化激元被引量:2
2014年
运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究了真空/极性二元晶体薄膜/极性三元混晶薄膜/极性二元晶体衬底四层系统的表面和界面声子极化激元.以AlxGa1-xAs/GaAs和ZnxCd1-xSe/ZnSe为例,获得了表面和界面声子极化激元模的色散关系以及表面模和界面模的频率随混晶组分和薄膜厚度的变化关系.结果表明,三元混晶四层异质结系统中存在七支表面和界面声子极化激元模,且这七支表面模和界面模的频率随混晶组分和薄膜厚度呈非线性变化,三元混晶的"单模"和"双模"性也在色散曲线中得到了很好的体现.
包锦闫翠玲闫祖威
关键词:三元混晶
三元混晶量子阱线系统的表面和界面声子极化激元
半导体低维纳米材料在人造光电和电子器件方面有着广泛的应用,而表面和界面声子极化激元对了解半导体低维系统的光学性质起着很重要的作用,所以半导体低维系统的表面和界面声子极化激元性质成了人们研究的热点之一。本文运用改进的无规元...
闫翠玲
关键词:三元混晶异质结量子阱线
文献传递
三元混晶三层系统的表面和界面声子极化激元
2014年
运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究了真空/极性三元混晶薄膜/极性二元半导体衬底三层系统的表面和界面声子极化激元,以AlxGa1-xAs/GaAs和ZnxCd1-xSe/ZnSe为例,获得了表面和界面声子极化激元模的色散关系以及表面和界面模的频率随混晶组分和薄膜厚度的变化关系.结果表明:与二元晶体三层系统以及三元混晶单层薄膜不同,在三元混晶三层异质结系统中存在五支表面和界面声子极化激元模,这五支表面和界面模的频率曲线位于二元晶体和三元混晶的体声子极化激元的禁带区间内,且其能量随混晶组分和薄膜厚度呈非线性变化,三元混晶的"单模"和"双模"性也在色散曲线中体现了出来.
包锦闫翠玲闫祖威
关键词:三元混晶
薄膜厚度对三元混晶四层系统的表面和界面声子极化激元的影响
2015年
运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究了薄膜厚度对真空/极性二元晶体薄膜/极性三元混晶薄膜/半无限大极性二元半导体衬底构成的四层异质结系统的表面和界面声子极化激元的影响,以GaAs/Al0.4Ga0.6As四层异质结系统为例,获得了表面和界面声子极化激元模的频率随薄膜厚度的变化关系.结果表明:三元混晶四层异质结系统中存在七支表面和界面声子极化激元模,且当薄膜厚度发生变化时,只对位于其表面或界面处的极化激元模有影响,对其余的极化激元模几乎没有任何影响.
包锦闫翠玲闫祖威
关键词:三元混晶
共1页<1>
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