包锦
- 作品数：18 被引量：6H指数：2
- 供职机构：内蒙古农业大学理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金内蒙古自治区自然科学基金博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：理学文化科学农业科学生物学更多>>
- 薄膜厚度对三元混晶四层系统的表面和界面声子极化激元的影响
- 2015年
- 运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究了薄膜厚度对真空/极性二元晶体薄膜/极性三元混晶薄膜/半无限大极性二元半导体衬底构成的四层异质结系统的表面和界面声子极化激元的影响,以GaAs/Al0.4Ga0.6As四层异质结系统为例,获得了表面和界面声子极化激元模的频率随薄膜厚度的变化关系.结果表明:三元混晶四层异质结系统中存在七支表面和界面声子极化激元模,且当薄膜厚度发生变化时,只对位于其表面或界面处的极化激元模有影响,对其余的极化激元模几乎没有任何影响.
- 包锦闫翠玲闫祖威
- 关键词：三元混晶
- 农林院校开展大学物理双语教学的探索
- 2014年
- 双语教学是当前高等教育改革的热点问题,大学物理对于农林类院校理、工、农科各专业来说是很重要的一门基础课,开展双语教学对于学生专业课程的学习以及综合素质的培养都有很重要的作用。本文分析了在农林类院校开展大学物理双语教学存在的一些问题,并就近几年的一些教学尝试和国外学习经历,从师资队伍的建设、对学生的引导、教学方式、选择教材等方面进行了分析,给出了相应的解决措施。
- 包锦
- 关键词：农林院校大学物理双语教学
- 三元混晶三层薄膜系统的表面和界面声子极化激元
- 2016年
- 运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究了三元混晶三层薄膜系统的表面和界面声子极化激元.以Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族三元混晶三层薄膜系统为例,获得了表面和界面声子极化激元模的色散关系以及表面模和界面模的频率随三元混晶组分和薄膜厚度的变化关系.结果表明,由于表面和界面数量的增加,与三元混晶量子阱和双层薄膜系统不同,在Al_xGa_(1-x)As/GaAs/Al_xGa_(1-x)As和ZnSe/Zn_xCd_(1-x)Se/ZnSe三层薄膜系统中分别存在十支和八支表面和界面模,且三元混晶的组分和薄膜厚度变化时,表面和界面声子极化激元模的频率随之呈非线性变化,其色散曲线也很好地表征了三元混晶的"单模"和"双模"性.
- 包锦闫祖威
- 关键词：三元混晶
- 双层铁磁薄膜中层间耦合和面外各向异性对系统共振频率的影响
- 2024年
- 本文采用能量极小原理,重点讨论了层间双线性耦合、双二次型耦合和面外单轴各向异性对双层铁磁薄膜中铁磁共振频率的影响。分别从三个方面讨论光学模和声学模共振频率对层间双线性耦合、双二次型耦合以及面外单轴各向异性的依赖。结果表明,层间双线性耦合和双二次型耦合可以提高光学模的共振频率。然而,面外单轴各向异性会降低光学模和声学模的共振频率,尤其是对声学模的影响更加明显。此外,对于光学模,双二次型耦合比双线性耦合更为重要。这些结果有助于新型微波器件的设计。
- 王焕包锦
- 关键词：铁磁共振
- 三元混晶异质结系统的界面声子极化激元被引量：1
- 2013年
- 运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究了三元混晶异质结系统GaAs/Al0.4Ga0.6As和GaN/Ga0.35In0.65N中的界面声子极化激元,获得了界面声子极化激元模的色散关系以及界面模的频率随混晶组分的变化关系.结果表明:三元混晶异质结系统中存在三支界面声子极化激元模,且这三支界面模的频率随混晶组分呈非线性变化.三元混晶的"单模"和"双模"性也在色散曲线中体现了出来.
- 闫翠玲包锦
- 关键词：异质结三元混晶
- 冷等离子体处理对盐胁迫下燕麦种子萌发及幼苗生长的影响
- 2024年
- 为探究冷等离子体处理对盐胁迫下燕麦耐盐性的影响,以坝莜14号燕麦种子为试验材料,选用5和6 kV的电压对燕麦种子进行不同时长(30 s、15 s×2)的冷等离子体处理,测定不同浓度的NaCl溶液(0.5、1.0、1.5 g·L^(-1))胁迫下燕麦种子萌发和幼苗生长及生理指标。结果发现,冷等离子体可以显著提高燕麦种皮亲水性及燕麦种子的吸水率,缓解盐胁迫对燕麦株高和根长的影响。基于隶属函数对燕麦抗盐能力进行综合评价分析发现,冷等离子体处理参数为5 kV、30 s和6 kV、15 s×2时,1.5 g·L^(-1)浓度胁迫下燕麦的抗盐能力提高,且随着胁迫强度的增加,5 kV、30 s参数下,冷等离子体处理对盐胁迫的缓解作用效果逐渐增强。
- 张奇雨吕晓桂包锦
- 关键词：燕麦盐胁迫冷等离子体种子萌发幼苗生长
- 三元混晶三层系统的表面和界面声子极化激元
- 2014年
- 运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究了真空/极性三元混晶薄膜/极性二元半导体衬底三层系统的表面和界面声子极化激元,以AlxGa1-xAs/GaAs和ZnxCd1-xSe/ZnSe为例,获得了表面和界面声子极化激元模的色散关系以及表面和界面模的频率随混晶组分和薄膜厚度的变化关系.结果表明:与二元晶体三层系统以及三元混晶单层薄膜不同,在三元混晶三层异质结系统中存在五支表面和界面声子极化激元模,这五支表面和界面模的频率曲线位于二元晶体和三元混晶的体声子极化激元的禁带区间内,且其能量随混晶组分和薄膜厚度呈非线性变化,三元混晶的"单模"和"双模"性也在色散曲线中体现了出来.
- 包锦闫翠玲闫祖威
- 关键词：三元混晶
- 三元混晶膜的表面声子极化激元(英文)
- 2007年
- 采用改进的无规元素孤立位移模型和波恩-黄近似,运用电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究极性三元混晶膜中的表面声子极化激元.以AlxGa1-xAs,ZnxCd1-xS和GaxIn1-xN膜为例,获得了其中表面声子极化激元的频率作为波矢和膜厚之函数的数值结果并进行了讨论.结果表明:在三元混晶膜中有四支表面声子极化激元,不同材料的色散曲线分别显示了混晶电磁声子模的"双模"和"单模"特征.
- 包锦梁希侠
- 关键词：三元混晶半导体膜
- 三元混晶四层系统的表面和界面声子极化激元被引量：2
- 2014年
- 运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究了真空/极性二元晶体薄膜/极性三元混晶薄膜/极性二元晶体衬底四层系统的表面和界面声子极化激元.以AlxGa1-xAs/GaAs和ZnxCd1-xSe/ZnSe为例,获得了表面和界面声子极化激元模的色散关系以及表面模和界面模的频率随混晶组分和薄膜厚度的变化关系.结果表明,三元混晶四层异质结系统中存在七支表面和界面声子极化激元模,且这七支表面模和界面模的频率随混晶组分和薄膜厚度呈非线性变化,三元混晶的"单模"和"双模"性也在色散曲线中得到了很好的体现.
- 包锦闫翠玲闫祖威
- 关键词：三元混晶
- 三元混晶矩形量子阱线的表面和界面光学声子模被引量：1
- 2020年
- 运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合介电连续模型,研究了含三元混晶的矩形量子阱线的表面和界面光学声子模。以GaAs/AlxGa1-xAs和ZnxCd1-xSe/ZnSe为例,获得了表面和界面光学声子模的色散关系以及表面和界面光学声子模的频率随混晶组分和量子阱线结构的变化关系。结果表明:与二元晶体量子阱线和三元混晶单量子线不同,在GaAs/AlxGa1-xAs和ZnxCd1-xSe/ZnSe量子阱线中分别存在十支和八支表面和界面光学声子模,这些表面和界面光学声子模的频率曲线分别位于二元晶体和三元混晶的体纵、横光学声子之间的频率区间内,且其能量随混晶组分和量子阱线结构的变化呈非线性变化,三元混晶的"单模"和"双模"性也在色散曲线中体现了出来。
- 包锦闫祖威
- 关键词：三元混晶
