您的位置： 专家智库 > >

钱晓波

作品数：5 被引量：9H指数：1
供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
相关领域：理学化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 2篇理学
  • 1篇化学工程

主题

  • 4篇单晶
  • 4篇晶体
  • 4篇加热温度
  • 3篇砷化镓
  • 3篇砷化镓单晶
  • 3篇热应力
  • 3篇坩埚
  • 3篇位错
  • 3篇晶体生长
  • 2篇退火
  • 1篇多晶
  • 1篇退火研究
  • 1篇温度梯度法
  • 1篇晶格
  • 1篇晶体质量
  • 1篇大尺寸

机构

  • 5篇中国科学院上...

作者

  • 5篇徐军
  • 5篇钱晓波
  • 5篇周国清
  • 4篇董永军
  • 4篇苏凤莲
  • 4篇李晓清
  • 1篇杨卫桥
  • 1篇苏良碧
  • 1篇彭观良
  • 1篇邹军
  • 1篇李抒智
  • 1篇陈俊华
  • 1篇周圣明

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 2篇2006
  • 2篇2005
  • 1篇2004
共 5 条 记 录，以下是 1-5
全选 清除 导出
排序方式：
γ-LiAlO_2晶体的退火研究被引量：9
2004年
利用温度梯度法生长出了透明的γ LiAlO2 单晶 ,通过扫描电镜和X射线薄膜衍射分析了不同退火气氛对所切得的 ( 0 0 1 )晶片表面结构的影响。结果表明 :1 1 0 0℃ / 70h空气和真空中的退火处理使γ LiAlO2 晶片表层变成LiAl5O8多晶 ,而同温度富锂气氛退火可以有效地抑制锂的挥发 。
邹军彭观良陈俊华钱晓波李抒智杨卫桥周国清徐军周圣明
关键词：温度梯度法晶体质量晶格单晶多晶
砷化镓单晶的生长方法
周国清董永军徐军钱晓波李晓清苏凤莲
该项目采用双加热温度温梯炉进行生长通过坩埚和生长炉的预烧；晶体生长；高温原位退火，采用本发明方法生长的砷化镓单晶具有位错密度低、热应力小和均匀性好的特点。
关键词：
关键词：砷化镓单晶退火
砷化镓单晶的生长方法
一种砷化镓单晶的生长方法，其特征在于采用双加热温度温梯炉进行生长，具体步骤包括：①坩埚和生长炉的预烧处理，②晶体生长，③高温原位退火。采用本发明方法生长的砷化镓单晶具有位错密度低、热应力小和均匀性好的特点。
周国清董永军徐军钱晓波李晓清苏凤莲
文献传递
大尺寸氟化钙单晶的生长方法
一种大尺寸氟化钙单晶的生长方法，其特征是采用双加热温度梯度炉进行生长，具体步骤包括：①坩埚和生长炉的预烧处理；②晶体生长；③高温原位退火。利用本发明方法生长氟化钙单晶具有大尺寸(直径大于200mm)、位错密度低(＜10<...
周国清董永军徐军钱晓波李晓清苏凤莲苏良碧
文献传递
砷化镓单晶的生长方法
一种砷化镓单晶的生长方法，其特征在于采用双加热温度温梯炉进行生长，具体步骤包括：①坩埚和生长炉的预烧处理，②晶体生长，③高温原位退火。采用本发明方法生长的砷化镓单晶具有位错密度低、热应力小和均匀性好的特点。
周国清董永军徐军钱晓波李晓清苏凤莲
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0