苏凤莲
- 作品数：13 被引量：21H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：安徽省优秀青年科技基金安徽省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>
- 退火处理对ZnO薄膜发光特性的影响被引量：8
- 2005年
- 用脉冲激光沉积法(PLD)在MgO(100)、α Al2O3 (0001)和MgAl2O4 (111)衬底上沉积了ZnO薄膜,测量了它们的发射光谱,观察到 430nm的蓝光发射,并研究了退火、衬底和激发波长对ZnO薄膜这一蓝光发射的影响。指出ZnO薄膜中 430nm的蓝光发射是由锌填隙原子缺陷能级到价带顶能级间的跃迁以及电子从氧空位浅施主能级到价带顶能级间的跃迁两种机理共同作用的结果。在MgO衬底上沉积的ZnO薄膜在 350nm光激发下蓝光发射峰最强。
- 苏凤莲彭观良邹军宋词杭寅徐军周圣明
- 关键词：蓝光发射ZNO薄膜价带激发波长脉冲激光沉积法发光特性
- 溶胶-凝胶法制备Mg_xZn_(1-x)O及其特性被引量：3
- 2005年
- 采用溶胶-凝胶法制备了不同组分(x=0.1～0.3)的MgxZn1-xO前驱体,并对它进行不同温度的热处理(550℃～1000℃).X射线衍射(XRD)结果表明,Mg0.1Zn0.9O具有和ZnO一样的衍射谱,为六方纤锌矿结构,而且随着热处理温度的升高,ZnO衍射峰的强度逐渐增强,半高宽不断减小;Mg元素掺杂浓度增大后,出现了MgO的峰位.扫描电子显微镜(SEM)显示Mg0.1Zn0.9O晶粒粒径分布较均匀;热处理温度升高,晶粒的尺寸不断变大.用室温荧光光谱(PL)分析了经过550～1000℃热处理获得的Mg0.1Zn0.9O粉末,结果发现除了550℃下处理的样品,其它都有紫外发射峰(350nm左右),而且随着热处理温度的升高紫外峰有明显的蓝移现象.
- 刘红霞苏凤莲周圣明徐军
- 关键词：溶胶-凝胶法MGXZN1-XO热处理温度
- Zn_(0.85)Co_(0.15)O薄膜的制备及其结构分析被引量：2
- 2003年
- 用电子束蒸镀方法在(100)单晶Si衬底上,生长Zn0.85Co0.15O薄膜,并研究了衬底温度对薄膜质量的影响,结果表明当衬底温度为400℃时,外延膜取向性最好,且其(002)衍射峰半高宽最窄(为0.4834°)。
- 李爱侠苏凤莲周圣明刘艳美赵宗彦
- 关键词：衬底温度微结构
- 用PLD法在MgO(100)衬底上生长ZnO薄膜的结构和光学特性被引量：1
- 2006年
- 用脉冲激光沉积法在MgO(100)衬底上沉积了ZnO薄膜.衬底温度分别为400℃、550℃和700℃.利用X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)对薄膜的结构和光学性能进行研究.X射线衍射的结果表明,在400℃和550℃下生长的ZnO薄膜具有高度c-轴择优取向,但是当衬底温度升高到700℃时,薄膜由单一的择优取向变为有两个较强的择优取向.通过光致发光谱可以发现,在550℃下生长的ZnO薄膜具有强的紫外发射和窄的FWHM,并且紫外发光峰的强度与ZnO薄膜的结晶质量密切相关.
- 苏凤莲汪洪李爱侠刘艳美周圣明
- 关键词：ZNO薄膜脉冲激光沉积光致发光谱
- 砷化镓单晶的生长方法
- 周国清董永军徐军钱晓波李晓清苏凤莲
- 该项目采用双加热温度温梯炉进行生长通过坩埚和生长炉的预烧；晶体生长；高温原位退火，采用本发明方法生长的砷化镓单晶具有位错密度低、热应力小和均匀性好的特点。
- 关键词：
- 关键词：砷化镓单晶退火
- Al_2O_3衬底上生长ZnO薄膜的结构和光学特性被引量：5
- 2006年
- 用脉冲激光沉积法在A l2O3(0001)衬底上沉积了ZnO薄膜。衬底温度分别为300℃、400℃、500℃、600℃和700℃。利用X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)对薄膜的结构和光学性能进行研究。X射线衍射的结果表明在不同温度下生长的ZnO薄膜均具有高度c轴择优取向,衬底温度400℃时,膜的应力较小质量较高。ZnO薄膜有很强的紫外发光峰,紫外发光峰的强度与衬底温度密切相关,并发现当衬底温度从300℃增到400℃时,紫外发射峰出现6nm的蓝移。
- 汪洪苏凤莲宋学平刘艳美李爱侠周圣明孙兆奇
- 关键词：ZNO薄膜脉冲激光沉积X射线衍射光致发光谱
- 在γ－LiAlO<Sub>2</Sub>衬底上制备ZnO单晶薄膜的方法
- 一种在γ－LiAlO<Sub>2</Sub>单晶衬底上制备ZnO单晶薄膜的方法，包括如下具体步骤：<1>将清洗的双面抛光或单面抛光的γ－LiAlO<Sub>2</Sub>衬底及纯度优于99.99％的ZnO单晶...
- 邹军周圣明徐军夏长泰苏凤莲李抒智彭观良王银珍刘世良
- 文献传递
- 砷化镓单晶的生长方法
- 一种砷化镓单晶的生长方法，其特征在于采用双加热温度温梯炉进行生长，具体步骤包括：①坩埚和生长炉的预烧处理，②晶体生长，③高温原位退火。采用本发明方法生长的砷化镓单晶具有位错密度低、热应力小和均匀性好的特点。
- 周国清董永军徐军钱晓波李晓清苏凤莲
- 文献传递
- 大尺寸氟化钙单晶的生长方法
- 一种大尺寸氟化钙单晶的生长方法，其特征是采用双加热温度梯度炉进行生长，具体步骤包括：①坩埚和生长炉的预烧处理；②晶体生长；③高温原位退火。利用本发明方法生长氟化钙单晶具有大尺寸(直径大于200mm)、位错密度低(＜10<...
- 周国清董永军徐军钱晓波李晓清苏凤莲苏良碧
- 文献传递
- 退火对Si(111)衬底上ZnO薄膜的结构和发光特性的影响被引量：1
- 2006年
- 采用磁控溅射法在硅(111)衬底上制备了C轴高度取向的ZnO薄膜,并研究了退火温度和氧气气氛对ZnO薄膜晶体质量、晶粒度大小和光致发光谱的影响。X射线衍射表明,所有薄膜均为高度C轴择优取向,当退火温度低于900℃时,随着退火温度的升高,薄膜的取向性和结晶度都明显提高。室温下对ZnO薄膜进行了光谱分析,退火后的样品均可观测到明显的紫光发射。在一定的退火温度范围内,还可以观测到明显的紫外双峰。空气中退火的样品,当退火温度达到或高于600℃还可观测到绿光发射。实验结果表明,发光峰强度随退火温度和氧气气氛不同而不同,通过改变退火时的温度和氧气气氛可以改变ZnO薄膜的微结构和发光性质。
- 汪洪苏凤莲周圣明宋学平刘艳美李爱侠尹平孙兆奇
- 关键词：ZNO薄膜磁控溅射X射线衍射光致发光
