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CBO晶体缺陷的研究: 采用泡生法生长出三硼酸铯(化学式CsBO,简称CBO)晶体,首次报道了利用同步辐射白光X射线形貌术对CBO晶体缺陷进行表征。实验结果表明,CBO晶体的主要缺陷是生长层,生长扇形界和位错。; 徐子颉傅佩珍蒋建华田玉莲吴以成; 文献传递

具有步进电机控制和定标器功能的PC机接口板: 研制了具有步进电机控制和定标器两种功能的PC机接口板．编写了相应的驱动程序．并在北京同步辐射实验室(BSRF)形貌学实验站用于四刀狭缝的控制和衍射数据的获取．; 王功利蒋建华田玉莲韩勇; 关键词：步进电机控制定标器接口

两种新型衬底材料LiAlO_2和LiGaO_2晶体的腐蚀形貌和缺陷研究被引量：12: 1998年; ＬｉＡｌＯ２和ＬｉＧａＯ２是目前找到的和ＧａＮ晶格失配率最小的两种晶体，其失配率分别为１．４％和０．２％．本研究分别利用温梯法和提拉法成功地生长出了ＬｉＡｌＯ２和ＬｉＧａＯ２单晶．通过化学侵蚀、光学显微镜、透射电子显微镜和Ｘ射线衍射貌相术对两种晶体中的缺陷特征进行了分析，研究了晶体特性、生长方法和缺陷形成的关系．用温梯法生长的ＬｉＡｌＯ２晶体质量良好，晶体中无气泡、包裹物．ＬｉＡｌＯ２晶体中的位错密度约为３．８×１０４—６．０×１０４／ｃｍ２，晶体中的主要缺陷为亚晶界或镶嵌，可能是由于温度场不稳定及生长速率太快造成的．而用普通的提拉法生长的ＬｉＧａＯ２晶体由于原料按非化学计量比挥发，致使组分偏离，容易产生γ－Ｇａ２Ｏ３包裹物，包裹物和位错的形成具有一定的相互促进作用，往往形成平行于（００１）面的亚晶界，通过调整原料配比及生长工艺参数可克服上述问题．测得ＬｉＧａＯ２晶体的位错密度为７．０×１０５—９．２×１０５／ｃｍ２．; 徐科邓佩珍徐军周永宗周永宗蒋树声刘文军; 关键词：衬底材料晶体

北京同步辐射实验室X光形貌学研究的光源特性及实验应用: 1992年; 本文讨论了北京同步辐射实验室X光形貌站相应的光源特性,给出了在该状态下的形貌分辨率以及对四硼酸锂晶体白光形貌衍射强度的计算结果。; 赵际勇杨平蒋建华田玉莲韩勇王春喜石才土冼鼎昌; 关键词：BEPC

温梯法Al_2O_3晶体位错形貌分析被引量：2: 1999年; 用温度梯度法（ＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＧｒａｄｉｅｎｔＴｅｃｈｎｉｑｕｅ，简称温梯法或ＴＧＴ法），定向籽晶［０００１］方向，生长出１１０ｍｍ ×８０ｍｍＡｌ２Ｏ３单晶，晶体完整、透明。采用硼酸钠玻璃液作为Ａｌ２Ｏ３晶体的化学抛光和化学腐蚀剂，观察了晶体不同部位处（０００１）、（１１２０）晶片的化学腐蚀形貌相，（０００１）切片的位错腐蚀坑呈三角形，位错密度为２ ×１０３～３ ×１０３／ｃｍ２；（１１２０）切片位错腐蚀坑呈菱形，位错密度为７×１０３～８ ×１０３／ｃｍ２；而且等径生长部位的完整性比放肩处高。利用同步辐射Ｘ射线白光衍射实验分析了（０００１）晶片的（２０２１），（１１０１）和（０２２１）衍射面内的位错组态。确定了两组位错线的Ｂｕｒｇｅｒｓ矢量，温梯法生长的Ａｌ２Ｏ３晶体中的位错主要是刃型位错。; 周国清徐军邓佩珍徐科周永宗干福熹朱人元田玉莲蒋建华王洲光; 关键词：位错温梯法形貌

具有步进电机控制和定标器功能的PC机接口板: 了具有步进电机控制和定标器两种功能的ＰＣ机接口板，编写了相应的驱动程序，并在北京同步辐射实验室（ＢＳＲＦ）形貌学实验站用于四刀狭缝的控制和衍射数据的获取。; 王功利蒋建华; 关键词：步进电机定标器接口

同步辐射X射线衍射的谐波成分计算被引量：2: 1993年; 结合动力学衍射公式和同步辐射谱,导出了衍射谐波的计算公式。作为应用的例子,计算了完美Si单晶常用的几个衍射晶面的同步辐射X射线衍射的谐波成分。数据适用于北京正负电子对撞机同步辐射实验室形貌站(4W1A光束线)。结果表明:(333)衍射中谐波成分丰富,而其它衍射中谐波成分较弱。; 杨平赵际勇蒋建华; 关键词：X射线衍射谐波

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蒋建华