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董薇

作品数:10 被引量:21H指数:4
供职机构:中国建筑材料科学研究总院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:化学工程更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 10篇化学工程

主题

  • 10篇陶瓷
  • 9篇多孔
  • 7篇BN
  • 6篇多孔陶瓷
  • 5篇陶瓷结构
  • 4篇造孔剂
  • 4篇SI3N4
  • 3篇氮化
  • 3篇氮化硅
  • 3篇多孔氮化硅
  • 3篇气孔率
  • 2篇氮化硅陶瓷
  • 2篇多孔氮化硅陶...
  • 2篇制备及性能
  • 2篇烧结助剂
  • 2篇抗弯强度
  • 2篇复合陶瓷
  • 2篇SI
  • 1篇电性能
  • 1篇丁醇

机构

  • 10篇中国建筑材料...
  • 9篇清华大学
  • 5篇北京科技大学

作者

  • 10篇董薇
  • 8篇汪长安
  • 5篇尉磊
  • 3篇欧阳世翕
  • 2篇黄勇
  • 2篇孙加林

传媒

  • 3篇稀有金属材料...
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇复合材料学报
  • 1篇宇航材料工艺
  • 1篇第十七届全国...
  • 1篇第十七届全国...

年份

  • 3篇2013
  • 4篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
造孔剂含量对多孔BN/Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>复合陶瓷结构和性能的影响被引量:6
2013年
以Si3N4为基体、BN为添加剂,采用添加PMMA造孔剂法制备出具有优良力学性能和介电性能的多孔BN/Si3N4复合陶瓷。通过对材料的物相组成、显微结构、气孔率、孔径分布、力学及介电性能的表征和测试,系统分析了造孔剂含量对材料结构和性能的影响。结果表明:随着造孔剂含量的增加,多孔BN/Si3N4复合陶瓷的气孔率增大,抗弯强度减小,介电常数减小,而介电损耗呈微弱的上升趋势。当造孔剂粒径为2μm,含量为5%(质量分数,下同)时,制备出气孔率达到40.8%,抗弯强度达到(114.67±10.73)MPa,介电常数为4.0,介电损耗为3.3×10-3的高性能多孔BN/Si3N4复合陶瓷透波材料。
汪长安董薇
关键词:多孔陶瓷
高强度多孔氮化硅陶瓷的制备及性能研究
<正>以氮化硅为原料,以叔丁醇为溶剂,采用凝胶注模成型工艺和无压烧结工艺,成功制备出具有高强度和高气孔率的多孔氮化硅陶瓷。采用阿基米德法、三点弯曲法测试了材料的密度、气孔率和强度;用X射线衍射仪及扫描电镜对相组成及断口进...
尉磊汪长安董薇孙加林黄勇
文献传递
烧结助剂含量对多孔氮化硅结构及性能的影响被引量:4
2011年
以氮化硅为原料,以叔丁醇为溶剂,采用凝胶注模成型工艺和无压烧结工艺(1 750℃、保温1.5h、流动氮气气氛),制备出具有高强度和高气孔率的多孔氮化硅。在浆料中初始固相含量固定为15%体积分数的基础上,研究了烧结助剂含量对多孔氮化硅的气孔率、孔径尺寸分布、物相组成及显微结构的影响,分析了弯曲强度与结构之间的关系。结果表明,通过改变烧结助剂含量,所制备的多孔氮化硅的气孔率为52%-65%;气孔尺寸呈单峰分布,均匀性好,平均孔径为0.82-1.05μm;弯曲强度为64.4-193.5 MPa,且随烧结助剂含量增加呈先增大后减少,在烧结助剂含量为7.5%质量分数时达到最大值(193.5±10.1)MPa。
尉磊汪长安董薇孙加林黄勇
关键词:氮化硅多孔陶瓷烧结助剂气孔率
高强度多孔氮化硅陶瓷的制备及性能研究被引量:7
2011年
以氮化硅为原料,以叔丁醇为溶剂,采用凝胶注模成型工艺和无压烧结工艺,制备出具有高强度和高气孔率的多孔氮化硅陶瓷。在浆料中初始固相含量固定为10vol%的基础上,研究烧结温度和保温时间对多孔氮化硅陶瓷材料的气孔率、孔径尺寸分布、物相组成及显微结构的影响,分析抗弯强度与结构之间的关系。结果表明,通过改变烧结温度和保温时间,可制备气孔率63.3%~68.1%的多孔氮化硅陶瓷;气孔尺寸呈单峰分布,平均孔径为0.97~1.42μm;抗弯强度随烧结温度提高或保温时间延长单调增大,在1750℃保温1.5h下达到最大值(74.2±8.8)MPa。
尉磊汪长安董薇孙加林黄勇欧阳世翕
关键词:氮化硅多孔陶瓷抗弯强度气孔率
造孔剂含量对多孔BN/Si_3N_4复合陶瓷结构和性能的影响
2013年
以Si3N4为基体、BN为添加剂,采用添加PMMA造孔剂法制备出具有优良力学性能和介电性能的多孔BN/Si3N4复合陶瓷。通过对材料的物相组成、显微结构、气孔率、孔径分布、力学及介电性能的表征和测试,系统分析了造孔剂含量对材料结构和性能的影响。结果表明:随着造孔剂含量的增加,多孔BN/Si3N4复合陶瓷的气孔率增大,抗弯强度减小,介电常数减小,而介电损耗呈微弱的上升趋势。当造孔剂粒径为2μm,含量为5%(质量分数,下同)时,制备出气孔率达到40.8%,抗弯强度达到(114.67±10.73)MPa,介电常数为4.0,介电损耗为3.3×10-3的高性能多孔BN/Si3N4复合陶瓷透波材料。
汪长安董薇
烧结助剂含量对多孔Si_3N_4/BN复合陶瓷力学性能和介电性能的影响被引量:5
2012年
以Si3N4和BN为原料,叔丁醇为溶剂,SiO2、Y2O3和Al2O3为烧结助剂,采用凝胶注模成型工艺制备具有高强度、低介电常数多孔Si3N4/BN复合陶瓷。研究了Y2O3和Al2O3含量对多孔陶瓷气孔率、孔径分布、物相组成、显微结构、抗弯强度和介电常数的影响。结果表明:通过调节Y2O3和Al2O3含量,多孔Si3N4/BN复合陶瓷的气孔率由55%增加到68%,气孔尺寸呈单峰分布,平均孔径为0.89~1.02μm;抗弯强度和相对介电常数随Y2O3和Al2O3含量的增加而单调增大,抗弯强度和相对介电常数的变化范围分别为29.9~60.9 MPa和2.30~2.85;通过调节Y2O3和Al2O3含量调控气孔率,能够获得介电性能和力学性能可调的高性能透波材料。
董薇汪长安尉磊欧阳世翕
关键词:多孔陶瓷叔丁醇凝胶注模
多孔BN/Si_3N_4复合陶瓷的制备与性能研究
透波材料是一种集透波、防热、承载和抗蚀等多功能于一体的材料,它可以保护飞行器的天线系统,使其在恶劣环境下能够正常工作。随着飞行器的发展和飞行速度的不断提高,对透波材料介电性能、力学性能、寿命、工艺性和重量等方面要求越来越...
董薇
关键词:多孔陶瓷介电性能
文献传递
BN含量对多孔BN/Si3N4陶瓷结构和性能的影响被引量:4
2013年
以氮化硅(Si3N4)为基体,氮化硼(BN)为添加剂,叔丁醇为溶剂,采用凝胶注模成型与无压烧结工艺(温度为1750℃、保温时间为1.5h、流动N2气氛),成功制备出具有一定强度和低介电常数的多孔BN/Si3N4陶瓷。在浆料中初始固相含量固定为15%体积分数的基础上,研究了BN含量对多孔Si3N4陶瓷材料的气孔率、物相组成及显微结构的影响,分析了抗弯强度、介电常数与结构之间的关系。结果表明,通过改变BN含量可制备出气孔率为55.1%~66.2%的多孔Si3N4陶瓷;多孔BN/Si3N4复合陶瓷的介电常数随着BN含量的增加而减小,为3.39~2.25;抗弯强度随BN含量提高而有所下降,BN质量分数为2.5%时,抗弯强度最高,为(74.8±4.25)MPa。
董薇汪长安尉磊欧阳世翕
关键词:BNSI3N4多孔陶瓷气孔率抗弯强度
造孔剂含量对多孔BN/Si3N4复合陶瓷结构和性能的影响
以Si3N4为基体、BN为添加剂,采用添加PMMA造孔剂法制备出具有优良力学性能和介电性能的多孔BN/Si3N4复合陶瓷.通过对材料的物相组成、显微结构、气孔率、孔径分布、力学及介电性能的表征和测试,系统分析了造孔剂含量...
汪长安董薇
关键词:显微结构性能表征
文献传递
造孔剂含量对多孔BN/Si3N4复合陶瓷结构和性能的影响
以Si3N4为基体,以BN为添加剂,采用添加造孔剂法成功制备出具有优良介电性能和力学性能的多孔BN/Si3N4复合陶瓷。通过对材料的物相组成、显微结构、气孔率,孔径分布、力学及介电性能测试,系统分析了造孔剂含量对材料结构...
董薇汪长安
共1页<1>
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