盛篪
- 作品数：37 被引量：73H指数：5
- 供职机构：复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市青年科技启明星计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- Si(111)分子束外延生长时RHEED强度振荡的观察
- 1989年
- 本文报道用反射式高能电子衍射的强度振荡测量来观察Si(111)衬底上分子束外延的生长行为,观察到了双原子层的振荡模式。振荡的衰减和恢复特性不同于Si(100)衬底上的生长行为,而同GaAs分子束外延时的特性非常相似。
- 金高龙陈可明盛篪周国良蒋维栋张翔九
- 关键词：SI分子束RHEED振荡
- Ge/Si超晶格喇曼谱研究被引量：2
- 1991年
- 我们用喇曼光散射的方法,观察了应变层超晶格的折迭声学声子,从而验证了材料的超晶格多层结构.将实验中观察到的频率和理论计算值进行比较表明,所研究样品的标称值和喇曼实验是基本相符合的.根据光学限制模的频率移动,估算了超晶格样品中Ge层和Si层的应变分布.
- 金鹰张树霖秦国刚盛篪周铁城
- 关键词：喇曼散射超晶格散射谱GE/SI
- 分子束外延系统中生长Si/SiO_2超晶格及其发光被引量：2
- 1998年
- 在硅分子束外延（ＭＢＥ）系统中，利用Ｓｉ和Ｏ２共淀积的方法生长出化学配比理想的ＳｉＯ２。
- 林峰盛篪龚大卫刘晓晗
- 关键词：分子束外延硅二氧化硅超晶格
- 用电化学方法在硅中掺铒发光的研究
- 1996年
- Ennen等首先报道了在硅中掺铒(Si:Er)实现1.53/μm波长的光致发光(PL)和电致发光(EL),这个波长的硅基发光器件(LED)将是光纤通讯用的单片硅基光电子集成电路的关键,因此Si:Er的研究受到高度重视。要使Si:Er LED发光强度满足实用要求尚需解决2个问题。其一是要提高Si中Er的掺杂浓度。Xie等的计算结果指出用常规尺寸制造的LED中的Er的浓度至少要达到10^(19)/cm^3才能满足光强的要求。
- 盛篪龚大卫樊永良刘晓晗黄大鸣王迅
- 关键词：发光多孔硅硅电化学法
- SiO薄膜的光致发光研究被引量：2
- 1999年
- 通过对SiO薄膜经退火后的室温光致发光研究,发现SiO薄膜的发光谱中存在绿光和红光两个发光带,绿光带是起源于与氧有关的缺陷发光,而红光带则是纳米尺寸的微晶Si的量子限制效应引起的发光。
- 林峰盛篪袁帅刘晓晗龚大卫万钧樊永良
- 关键词：光致发光量子尺寸效应
- 用氢钝化Si(100)面抑制分子束处延界面的硼尖峰被引量：2
- 1993年
- 采用一种新的简便的氢钝化方法,可以在Si(100)衬底表面获得稳定的钝化层。用俄歇电子能谱(AES),反射式高能电子衍射(RHEED),C-V和二次离子质谱(SIMS)等方法对衬底表面及其上面生长的分子束外延层进行检测,发现这种方法可以有效地防止衬底表面被碳、氧沾污,降低退火温度至少200℃,并完全消除外延层与Si(100)衬底界面处的高浓度硼尖峰。在此基础上,结合衬底表面锗束处理的实验结果,对硼尖峰的主要来源是由于硅衬底表面的氧化层这一观点提供了新的有力证据。
- 卫星龚大卫杨小平吕宏强崔堑盛篪张翔九王迅王勤华陆昉孙恒慧
- 关键词：分子束外延钝化
- 用分子束外延在多孔硅衬底上外延单晶硅来实现SOI结构被引量：7
- 1991年
- 用 HF溶液对单晶Si片进行阳极化处理,形成多孔 Si.将多孔Si衬底放入超高真空室在小剂量的Si原子束辐照下进行加热处理,在较低温度下(725—750℃)获得了清洁有序的表面.用分子束外延在多孔Si上生长了1-2μm的单晶Si膜,其卢瑟福背散射沟道产额极小X_(min)<3％,表明外延膜的单晶性能良好.SOI结构已通过随后的侧向氧化多孔Si层获得.
- 周国良盛篪樊永良张翔九俞鸣人黄宜平
- 关键词：分子束外延单晶硅SOI结构
- 用喇曼光谱表征锗硅应变层超晶格被引量：1
- 1990年
- 对Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格的喇曼光谱研究表明,这类样品中各层间的应力分配取决于缓冲层组分。合金层中的Ge—Si峰峰移δω随组分x或应变ε作线性变化。对Ge_n/Si_n(n为原子层数)超晶格的喇曼光谱研究表明,在n=4的超薄层超晶格中,锗硅界面互混程度较小,并发现样品的生长温度对其质量有决定性影响。
- 徐建国王建宝盛篪孙恒慧郑思定姚文华
- 关键词：喇曼光谱锗硅应变层超晶格
- 电子衍射条件对Si(111)外延时反射式高能电子衍射强度振荡的影响被引量：2
- 1990年
- 本文研究了不同电子衍射条件对Si(111)外延时的反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡的影响,在保持生长条件不变的情况下,沿[112]方位观测时,不同入射角下其强度振荡的相位和初始瞬态响应变化很大,甚至会发生180°相位变化,而在[011]方位观测时,其相位的变化不明显,结合Si(111)面的RHEED强度摇摆曲线测量结果,表明这种与电子衍射条件有关的振荡特性变化,实际上反映了由电子多重散射机理引起的RHEED强度振荡两种情形,对RHEED强度的初始瞬态响应机理也作了探讨。
- 陈可明周铁城樊永良盛篪俞鸣人
- 关键词：电子衍射SI分子束外延RHEED
- Si(111)分子束外延的生长动力学过程研究
- 1990年
- 本文用反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡研究了不同生长温度下Si(111)分子束外延的生长动力学过程,生长温度高于520℃(生长速率约0.15A/S)时,Si(111)外延为“台阶流”生长模式,生长温度低于475℃时,外延为“二维成核”双原子层生长模式,在较低温,甚至室温时,其外延仍为双原子层模式,但是镜向弹性散射束振荡和非弹性散射束振荡的叠加会造成RHEED强度在生长的最初阶段出现“类单原子层”模式的振荡特性。
- 陈可明金高龙盛篪俞鸣人
- 关键词：SIRHEED分子束生长动力学
