龚大卫
- 作品数：29 被引量：49H指数：4
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市青年科技启明星计划基础研究重大项目前期研究专项更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 利用多孔硅方法制备有机光微腔
- 邓振波詹意强龚大卫樊永良
- 关键词：多孔硅
- 文献传递
- PICTS方法研究SI-GaAs中深能级缺陷性质被引量：1
- 1992年
- 本文用 PICTS方法配合退火实验对各种 LEC SI-GaAs材料的缺陷进行了测量,对照文献已有的各种结果,分析和讨论了一些缺陷的成因和可能结构.认为其中的W_1 可能是与As_(Ga)有关的 EL3缺陷,W_4为热应力产生的缺陷.P_1 与V_(Ga)有关.在原生富砷样品的PICTS谱中存在负峰N,实验发现它的存在与样品表面状况无关.若考虑该缺陷同时与两种载流子作用,理论计算与实验符合较好.在有些样品中用PICTS方法观察到EL2峰,对于原生样品,发现经快速退火后EL2的体内浓度减小.
- 龚大卫陆昉孙恒慧
- 关键词：SI-GAAS深能级
- 导纳谱研究两类Si基量子阱基态子能级的性质
- 1998年
- 用导纳谱技术研究了两类Ｓｉ基量子阱样品基态子能级的性质．基于量子阱中载流子的热激发模型，从导纳谱中得到的激发能值被认为是阱中重空穴基态位置到阱顶的距离．对于ＳｉＧｅ合金和Ｓｉ形成的组分量子阱，主要研究了退火对重空穴基态子能级的影响．发现样品的退火温度为８００℃时，随退火时间延长，激发能增加．对此现象的解释是，由于Ｓｉ，Ｇｅ互扩散，导致界面展宽，量子限制效应降低，重空穴基态位置下降，从而激发能增加．９００℃下退火，由于扩散系数增大和应变弛豫加强，激发能值单调下降，量子限制效应引起的变化被掩盖．对于Ｂ高浓度超薄层掺杂形成的量子阱结构样品，观察到在掺杂层掺杂浓度不变情况下，掺杂厚度的增加会导致量子阱中基态子能级位置下降，从而导致载流子激发能增加．
- 林峰盛篪柯炼朱建红龚大卫张胜坤俞敏峰樊永良王迅
- 关键词：硅基基态
- SiO_x、Si/Si_(1-x)Ge_x的横向磁阻和迁移率的无接触测量
- 1999年
- 用分子束外延技术在ｐ型Ｓｉ衬底上生长成了Ｓｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层超晶格和掺铒（Ｅｒ）ＳｉＯｘ外延层，用无接触法测量了它们的横向磁阻，并且用拟合方法由横向磁阻计算了它们的迁移率。
- 褚幼令盛篪王昕王昕龚大卫
- 关键词：磁阻硅
- 用电化学方法在硅中掺铒发光的研究
- 1996年
- Ennen等首先报道了在硅中掺铒(Si:Er)实现1.53/μm波长的光致发光(PL)和电致发光(EL),这个波长的硅基发光器件(LED)将是光纤通讯用的单片硅基光电子集成电路的关键,因此Si:Er的研究受到高度重视。要使Si:Er LED发光强度满足实用要求尚需解决2个问题。其一是要提高Si中Er的掺杂浓度。Xie等的计算结果指出用常规尺寸制造的LED中的Er的浓度至少要达到10^(19)/cm^3才能满足光强的要求。
- 盛篪龚大卫樊永良刘晓晗黄大鸣王迅
- 关键词：发光多孔硅硅电化学法
- SiO薄膜的光致发光研究被引量：2
- 1999年
- 通过对SiO薄膜经退火后的室温光致发光研究,发现SiO薄膜的发光谱中存在绿光和红光两个发光带,绿光带是起源于与氧有关的缺陷发光,而红光带则是纳米尺寸的微晶Si的量子限制效应引起的发光。
- 林峰盛篪袁帅刘晓晗龚大卫万钧樊永良
- 关键词：光致发光量子尺寸效应
- 用氢钝化Si(100)面抑制分子束处延界面的硼尖峰被引量：2
- 1993年
- 采用一种新的简便的氢钝化方法,可以在Si(100)衬底表面获得稳定的钝化层。用俄歇电子能谱(AES),反射式高能电子衍射(RHEED),C-V和二次离子质谱(SIMS)等方法对衬底表面及其上面生长的分子束外延层进行检测,发现这种方法可以有效地防止衬底表面被碳、氧沾污,降低退火温度至少200℃,并完全消除外延层与Si(100)衬底界面处的高浓度硼尖峰。在此基础上,结合衬底表面锗束处理的实验结果,对硼尖峰的主要来源是由于硅衬底表面的氧化层这一观点提供了新的有力证据。
- 卫星龚大卫杨小平吕宏强崔堑盛篪张翔九王迅王勤华陆昉孙恒慧
- 关键词：分子束外延钝化
- 硅分子束外延中硼δ掺杂生长研究被引量：2
- 1995年
- 利用硅分子束外延技术和Ｂ２Ｏ３掺杂源，成功地实现了硅中的硼δ掺杂，硼δ掺杂面密度ＮＢ可达３．４×１０１４ｃｍ－２（１／２单层）以上，透射电镜所示宽度为１．５ｎｍ．我们首次用原位俄歇电子能谱（ＡＥＳ）对硼在Ｓｉ（１００）表面上的δ掺杂行为进行了初步的研究，发现在ＮＢ＜３．４×１０１４ｃｍ－２时，硼δ掺杂面密度与时间成正比，衬底温度６５０℃，掺杂源温度９０００℃时，粘附速率为４．４×１０１３ｃｍ－２／ｍｉｎ；在ＮＢ＞３．４×１０１４ｃｍ－２时，粘附有饱和趋势，测量表明在硼δ掺杂面密度ＮＢ高达４．４×１０１４ｃｍ－２，都未观察到氧．我们还用反射式高能电子衍射（ＲＨＥＥＤ）和Ｃ－Ｖ测试对硼δ掺杂样品进行了观察．
- 陈祥君杨宇龚大卫陆昉王建宝樊永良盛篪孙恒慧
- 关键词：硅分子束外延硼掺杂
- 杂质对生长SiGe／Si量子阱发光材料的影响
- 1995年
- 发现Ｓｉ源和Ｇｅ源中的深能级杂质是影响ＳｉＧｅ／Ｓｉ量子附带过激子发光的主要因素．研究了在低阻衬底上外延、在量子阱中重掺Ｓｂ或顶层中重掺Ｂ都将减弱甚至淬灭量子阱的带边激子发光．
- 杨宇刘晓晗卢学坤黄大鸣蒋最敏龚大卫王迅
- 关键词：硅源发光
- Si_(1-x)Ce_x/Si量子阱发光材料制备及特性研究被引量：5
- 1995年
- 在si(100)衬底上用分子束外延成功生长了Si_(1-x)Ge_x/si量子阱发光材料,发现在生长过程中背景杂质含量直接影响材料的发光特性,用光致发光(PL)和卢瑟福背散射(RBS)对样品质量进行标定。在PL测量中观察到合金量子阱带边激子分辨峰,并对发光峰能和峰宽作了讨论。
- 杨宇卢学坤黄大鸣蒋最敏杨敏章怡龚大卫陈祥君胡际璜张翔九赵国庆
- 关键词：硅锗合金发光材料分子束外延
