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王永

作品数：27 被引量：16H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇专利
  • 5篇期刊文章

领域

  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇电子电信
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 20篇存储器
  • 15篇纳米
  • 13篇纳米晶
  • 7篇硅纳米晶
  • 6篇衬底
  • 5篇硅衬底
  • 5篇非挥发性存储...
  • 5篇浮栅
  • 5篇编程
  • 4篇多晶
  • 4篇多晶硅
  • 4篇编程方式
  • 4篇存储电荷
  • 3篇氮化
  • 3篇氧化层
  • 3篇闪存
  • 3篇受性
  • 3篇耐受
  • 3篇耐受性
  • 3篇俘获

机构

  • 27篇中国科学院微...
  • 1篇安徽大学
  • 1篇成都信息工程...

作者

  • 27篇王永
  • 27篇刘明
  • 18篇杨潇楠
  • 17篇王琴
  • 13篇张满红
  • 13篇霍宗亮
  • 8篇刘璟
  • 8篇谢常青
  • 4篇龙世兵
  • 4篇王晨杰
  • 2篇张康玮
  • 2篇管伟华
  • 1篇张森
  • 1篇涂德钰
  • 1篇刘琦
  • 1篇李维龙
  • 1篇陈宝钦
  • 1篇胡媛
  • 1篇陈军宁
  • 1篇代月花

传媒

  • 3篇微纳电子技术
  • 1篇半导体技术
  • 1篇物理

年份

  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 9篇2013
  • 1篇2012
  • 5篇2011
  • 3篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
共 27 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
双栅电荷俘获存储器及其制作方法
本发明公开了一种基于多晶硅纳米线场效应晶体管的双栅电荷俘获存储器及其制作方法。该双栅电荷俘获存储器具有两个多晶硅栅极，包括：半导体衬底；形成于该半导体衬底之上的第一介质缓冲层；形成于该第一介质缓冲层之上的第二介质缓冲层；...
刘明王晨杰霍宗亮张满红刘璟王永谢常青
文献传递
一种在线检测硅纳米晶形态的方法
本发明公开了一种在线检测硅纳米晶形态的方法，包括：准备若干片硅片作为衬底，在该各衬底表面分别生长一隧穿介质层；用稀释氢氟酸处理衬底表面，再在该各衬底表面分别生长一层硅纳米晶；利用波长为365nm的单色光作为入射光入射至各...
刘明王永王琴杨潇楠
硅纳米晶存储器的耐受性研究
2014年
首先介绍了硅纳米晶粒的制备工艺以及硅纳米晶存储器件的基本特性。接着重点探讨了硅纳米晶存储器耐久性退化的物理机制,发现应力引起的界面陷阱是耐受性退化的主要原因。随后,同时采用多种分析手段,如电荷泵法和CV曲线分析法对界面陷阱的退化机理进行了更深入细致的研究。从界面陷阱在禁带中的能级分布中发现,相较于未施加应力时界面陷阱的双峰分布,施加应力后产生了新的Pb1中心的双峰。最后,分别从降低擦写电压和对载流子预热的角度提出了三种新的编程方法,有效提高了硅纳米晶存储器件的耐受性。
姜丹丹霍宗亮靳磊杨潇楠王永刘明
关键词：耐受性能级分布
一种基于应变硅的纳米晶非挥发性存储器及其制作方法
本发明涉及纳米电子器件及纳米加工技术领域的一种基于应变硅的纳米晶非挥发性存储器，包括硅衬底，淀积在硅衬底上的GeSi渐变掺杂缓冲层、Ge<Sub>1-x</Sub>Si<Sub>x</Sub>舒缓层和应变硅层，位于硅衬底...
王琴杨潇楠刘明王永
文献传递
基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的存储方法
本发明涉及基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的存储方法，属于存储器技术领域。所述存储方法采用热电子注入为编程方式，以FN隧穿为擦除方式，以读电流大小来区分00、01、10、11四种存储状态，从而可以在同样的面积下实现...
王琴杨潇楠刘明王永
一种基于纳米晶的平行栅OTP存储器
本发明公开了一种基于纳米晶的平行栅OTP存储器，属于半导体集成电路器件技术领域。所述OTP存储器包括：P型硅衬底、隧穿介质层、覆盖在隧穿介质层上控制栅、覆盖在隧穿介质层上的纳米晶电荷存储层、源导电区、中间结及漏导电区。本...
王琴杨潇楠刘明王永
文献传递
一种复合存储介质浮栅存储器结构及其制作方法
本发明公开了一种复合存储介质浮栅存储器结构及其制作方法。复合存储介质浮栅存储器结构由下至上依次包括硅衬底、隧穿介质层、氮化硅、硅纳米晶、高温氧化物、多晶硅层和在硅衬底上刻蚀形成的栅和源/漏区，以及在二氧化硅层上刻蚀形成的...
刘明王永王琴杨潇楠
文献传递
一种在线检测硅纳米晶形态的方法
本发明公开了一种在线检测硅纳米晶形态的方法，包括：准备若干片硅片作为衬底，在该各衬底表面分别生长一隧穿介质层；用稀释氢氟酸处理衬底表面，再在该各衬底表面分别生长一层硅纳米晶；利用波长为365nm的单色光作为入射光入射至各...
刘明王永王琴杨潇楠
文献传递
阻变式存储器存储机理被引量：13
2008年
阻变式存储器(resistive random access memory,RRAM)是以材料的电阻在外加电场作用下可在高阻态和低阻态之间实现可逆转换为基础的一类前瞻性下一代非挥发存储器.它具有在32nm节点及以下取代现有主流Flash存储器的潜力,成为目前新型存储器的一个重要研究方向.但阻变式存储器的电阴转变机理不明确,制约它的进一步研发与应用.文章对阻变式存储器的体材料中几种基本电荷输运机制进行了归纳,总结了目前对阻变式存储器存储机理的理论模型.
王永管伟华龙世兵刘明谢常青
关键词：非挥发性细丝
纳米晶浮栅存储器阵列的编程方法
本发明公开了一种纳米晶浮栅存储器阵列的编程方法，所述阵列由多个纳米晶浮栅存储器组成，并且还包括多条相互平行排列的位线和多条相互平行排列的字线，每个纳米晶浮栅存储器包括一个存储单元，每个存储单元均连接一条位线和一条字线，且...
王琴杨潇楠王永张满红霍宗亮刘明
文献传递
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