2024年8月22日
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王琴
作品数:
106
被引量:55
H指数:5
供职机构:
中国科学院微电子研究所
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国家重点基础研究发展计划
国家高技术研究发展计划
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相关领域:
自动化与计算机技术
电子电信
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电气工程
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合作作者
刘明
中国科学院微电子研究所纳米加工...
龙世兵
中国科学院微电子研究所纳米加工...
霍宗亮
中国科学院微电子研究所纳米加工...
刘璟
中国科学院微电子研究所纳米加工...
张满红
中国科学院微电子研究所纳米加工...
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作者
106篇
王琴
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刘明
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龙世兵
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霍宗亮
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刘璟
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张满红
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14篇
2010
25篇
2009
9篇
2008
2篇
2007
共
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一种基于SOI量子线的单电子晶体管及其制作方法
一种基于SOI量子线的单电子晶体管及其制作方法。本发明的主要特征是在SOI衬底上制备量子线,利用金属栅对量子线的势垒受限形成隧道结和库仑岛,从而降低了微纳加工的难度,实现隧道结有效尺寸可调的单电子晶体管。其主要工艺步骤如...
王琴
李维龙
贾锐
刘明
叶甜春
文献传递
一种存储器读出电路以及存储器
本发明涉及一种存储器读出电路以及存储器,属于集成电路设计技术领域。所述读出电路包括电流镜,与电流镜并联相连的预充电路,与并联相连的电流镜和预充电路串联相连的钳位电路,与钳位电路串联相连的Y译码通道,与Y译码通道串联相连的...
王琴
柳江
刘明
浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的制备方法
本发明公开了一种制备浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的方法,该方法包括:采用溅射工艺将多种靶材共溅射在隧穿介质层上,淀积生长俘获层介质;在溅射过程中将其他靶材掩蔽,单独溅射某一种靶材,在俘获层中形成纳米晶材料过剩的内嵌纳...
刘明
刘璟
王琴
龙世兵
非挥发存储器的制备方法
本发明是关于一种非挥发存储器的制备方法,其包括以下步骤:在半导体衬底上形成一层栅氧化层;采用电子束蒸发方式将硅粉末和二氧化铪粉末的混合物蒸发至该栅氧化层上,再经高温热退火在形成纳米晶浮栅层;在纳米晶浮栅层上形成栅电极;以...
朱晨昕
贾锐
陈晨
李维龙
李昊峰
王琴
刘明
文献传递
一种基于纳米晶的NAND存储器及其制作方法
本发明涉及一种基于纳米晶的NAND存储器及其制造方法,该存储器包括纳米晶存储单元和选择晶体管。纳米晶存储单元包括硅衬底,位于硅衬底中两侧的源导电区和漏导电区,源导电区与漏导电区之间的载流子沟道上覆盖的隧穿介质层,覆盖在隧...
王琴
杨潇楠
王永
张满红
霍宗亮
刘明
文献传递
一种SOI基顶栅单电子晶体管及其制备方法
本发明公开了一种绝缘体上硅SOI基顶栅单电子晶体管,该单电子晶体管包括:库仑岛、位于库仑岛两侧的源和漏、连接库仑岛与源的隧道结、连接库仑岛与漏的隧道结、位于库仑岛上面的栅介质和多晶硅栅、源上沉积的源电极、漏上沉积的漏电极...
龙世兵
王琴
陈杰智
刘明
陈宝钦
文献传递
电阻转变型存储器及其制造方法
本发明提供一种非易失性电阻转变型存储器,其中在电阻转变存储层与电极之间设置有缓冲层,从而能够增加存储器的总电阻,进而减小存储器的工作电流,而且缓冲层还可改善界面处的势垒高度,从而降低存储器的工作电压,进而降低存储器的功耗...
刘明
李颖弢
龙世兵
王琴
王艳
刘琦
张森
左青云
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一种制备单电子晶体管的方法
本发明涉及纳米电子器件及纳米加工技术领域,公开了一种利用Undercut技术制备单电子晶体管的方法,在SOI衬底上利用电子束曝光双层胶工艺以及Undercut技术制备单电子晶体管。其主要工艺步骤如下:离子注入及快速退火;...
王琴
李维龙
贾锐
刘明
叶甜春
文献传递
一种混合型非易失存储单元及其制作方法
本发明公开了一种混合型非易失存储单元及其制作方法。该存储器包括:硅衬底;在硅衬底上重掺杂的源导电区和漏导电区;在源漏导电区之间载流子沟道上覆盖的隧穿介质层;在隧穿介质层上覆盖的第一俘获层;在第一俘获层上覆盖的多晶硅浮栅层...
霍宗亮
钟浩
王琴
龙世兵
刘明
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非挥发存储器的制备方法
本发明是关于一种非挥发存储器的制备方法,其包括以下步骤:在半导体衬底上形成一层栅氧化层;采用电子束蒸发方式将硅粉末和二氧化铪粉末的混合物蒸发至该栅氧化层上,再经高温热退火在形成纳米晶浮栅层;在纳米晶浮栅层上形成栅电极;以...
朱晨昕
贾锐
陈晨
李维龙
李昊峰
王琴
刘明
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