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牛蒙年
作品数:
14
被引量:22
H指数:2
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东南大学
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丁辛芳
中国科学院
童勤义
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东南大学
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年份
1篇
1997
3篇
1996
6篇
1995
3篇
1994
1篇
1993
共
14
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背面引线压力/氢离子敏传感器的研究
1995年
报道了一种含微参比电极的差分结构,并可与其它敏感元和信号处理电路完全隔离的背面引线氢离子敏感场效应(pH-ISFET)新结构。基于硅的固相键合技术和硅微机械加工技术以及常规N阱MOS工艺,研制成集成压力/pH-ISFET传感器,设计制作了高稳定的可调芯片自恒温系统,经实际工艺流水制成了样管,初步的测量结果证实了这种背面引线、微参比电极、全集成的新结构设计是成功的。
牛蒙年
林崴
袁
关键词:
传感器
半导体场效应型气体传感器的研究现状与未来
被引量:2
1993年
集成技术在未来传感器制作中起重要作用。综述了与集成工艺兼容的半导体场效应气体传感器的研究现状与未来发展。
牛蒙年
关键词:
集成技术
半导体
气体传感器
pH-ISFET器件及其电路的SPICE模拟方法
被引量:1
1996年
本文提出用SPICE软件模拟pH-ISFET器件及其电路的方法。通过SPICE内部的MOSFET参数和引入一些信号源来实现对pH-ISFET传感器及其电路的pH灵敏度关系、瞬态响应以及温度特性的模拟,所得结果与实验观测结果基本相符。
牛蒙年
丁辛芳
童勤义
关键词:
电路
SPICE模拟
CAD
氧化物-电解溶液界面的表面基吸附模型研究
被引量:1
1996年
基于统计物理学和两层吸附模型提出氧化物-电解溶液(OAE)界面的表面基吸附模型,推导出完全由微观物理、化学参量描述的OAE界面电荷密度与电势的关系表达式,结果与实验数据的拟合在零电荷点附近令人满意,并对理论结果进行了讨论.
牛蒙年
丁辛芳
童勤义
关键词:
场效应器件
差分对结构pH-ISFET传感器的研制
被引量:1
1995年
报道了采用集成技术制备的差分对结构pH-ISFTET传感器及其特性,实验结果表明,ISFET器件性能良好,经差分放大器输出可以改善恒流电路测量的响应特性,且有效地抑制温漂、时漂等不稳定因素。采用金膜辅助电极替代甘汞参考电极的差分测量仍有较好的结果。
牛蒙年
丁辛芳
袁璟
童勤义
关键词:
传感器
ISFET
差分放大
场效应型氢离子敏传感器测量方法的实验研究
被引量:1
1995年
基于场效应型红离子敏传感器(H+-ISFET)参数及电流-电压特性,归结出四种H+-ISFET传感器的四种测量工作模式,从应用角度讨论了它们的适用条件以及实现差动输出测量的简单方法。实验结果表明,由H+-ISFET/REFET对管构成的差动输出电路具有较好的共模抑制能力和H+离子敏感性能。
丁辛芳
牛蒙年
关键词:
共模抑制
pH-ISFET集成传感器及微流通池pH-ISFET FIA系统的研究
牛蒙年
pH-ISFET传感器及其测量方法研究
被引量:2
1995年
在对pH-ISFET传感器参数及其输出特性分析的基础上,讨论了四种测量pH-ISFET传感器的模式和适用条件,以及实现差分测量的简单方法。在ISFET/REFET差分对结构测量中,以金膜作为辅助电极取代传统的甘汞参考电极仍得到较好的线性响应。
牛蒙年
袁璟
林崴
关键词:
PH-ISFET
传感器
测量方法
差分电路
气体传感器的集成化研究状况
被引量:2
1994年
集成技术在未来传感器的发展中起重要作用。综述了与集成工艺兼容的气体传感器的研究状况,包括半导体场效应型、晶体管型、薄膜型、微量热计型和声表面波(SAW)型气体传感器。
牛蒙年
丁辛芳
童勤义
关键词:
集成技术
气体传感器
晶体管
背面引线的新型集成pH-ISFET传感器的研制
被引量:1
1994年
背面引线的新型集成pH-ISFET传感器的研制丁辛芳,牛蒙年,俞海明,丁耘(东南大学微电子中心)0引言pH-ISFET同传统的离子选择电极相比更具吸引力[1~5],因为ISFET适于硅工艺大批量生产,降低了单个器件的成本及器件性能的不均匀性;用半导体...
丁辛芳
牛蒙年
俞海明
丁耘
关键词:
集成传感器
传感器
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