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汤龙生

作品数：12 被引量：0H指数：0
供职机构：北京机电工程研究所更多>>
相关领域：金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇中文专利

领域

  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 8篇数学
  • 8篇测量方法
  • 7篇导体
  • 7篇导体材料
  • 6篇大温差
  • 6篇数学函数
  • 6篇温差
  • 6篇函数
  • 4篇导热
  • 4篇导热系数
  • 4篇光谱
  • 4篇光谱发射率
  • 4篇光学
  • 4篇光学常数
  • 4篇发射率
  • 3篇稳态
  • 2篇氧化层
  • 2篇氧化层厚度
  • 2篇实验台
  • 2篇数学关系式

机构

  • 12篇清华大学
  • 8篇北京机电工程...

作者

  • 12篇汤龙生
  • 12篇符泰然
  • 4篇宗安州
  • 4篇刘江帆
  • 4篇周金帅
  • 4篇邓兴凯
  • 2篇谈鹏

年份

  • 1篇2016
  • 5篇2015
  • 6篇2013
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于瞬态分析的大温差样品的半球向全发射率测量方法
本发明具体公开了一种基于瞬态分析的大温差样品的半球向全发射率测量方法，所述方法包括：在样品上布置多个热电偶，在真空环境下将样品通电加热至高温，使其自然冷却降温；将样品降温过程分为多个温度子区间，将半球向全发射率、导热系数...
符泰然汤龙生段明皓王忠波谈鹏周金帅邓兴凯
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大温差样品的半球向全发射率的测量方法
本发明具体公开了一种大温差样品的半球向全发射率的测量方法，其步骤包括：选取带状导体材料样品，在真空环境下加热样品，用辐射温度场测量设备获得加热稳定状态下的样品表面温度场分布；将所述样品沿其轴向等分为多个微元控制体，建立微...
符泰然汤龙生段明皓王忠波谈鹏周金帅邓兴凯
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金属氧化层高温光学常数测量方法
本发明涉及一种金属氧化层高温光学常数测量方法，其包括以下步骤：S1、提供多份具有不同厚度金属氧化层的氧化金属样品，分别测量多份氧化金属样品的金属氧化层的厚度；S2、利用高温光谱发射率测量实验台，在真空环境下分别测量多份氧...
符泰然宗安州刘江帆谈鹏汤龙生周金帅邓兴凯
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基于稳态分析的半球向全发射率与导热系数的测量方法
本发明具体公开了一种基于稳态分析的半球向全发射率与导热系数的测量方法，其步骤包括：选取一个细长带状的导体材料样品，在真空环境下通电加热，选取中间的一段区域为测试区，根据稳态量热法稳态能量平衡方程；将半球向全发射率和导热系...
符泰然汤龙生段明皓王忠波谈鹏周金帅邓兴凯
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大温差样品的半球向全发射率的测量方法
本发明具体公开了一种大温差样品的半球向全发射率的测量方法，其步骤包括：选取带状导体材料样品，在真空环境下加热样品，用辐射温度场测量设备获得加热稳定状态下的样品表面温度场分布；将所述样品沿其轴向等分为多个微元控制体，建立微...
符泰然汤龙生段明皓王忠波谈鹏周金帅邓兴凯
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测量金属氧化层高温光学常数的方法
本发明涉及一种测量金属氧化层高温光学常数的方法，包括如下步骤：S1、提供多份氧化金属样品，分别测量每份氧化金属样品的金属氧化层的厚度；S2、采用真空变角度高温光谱发射率测量实验台，在真空环境下，分别对每份氧化金属样品进行...
符泰然刘江帆宗安州汤龙生周金帅邓兴凯
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大温差样品的半球向全发射率与导热系数的测量方法
本发明具体公开了一种大温差样品的半球向全发射率与导热系数的测量方法，所述方法包括：在真空环境下通电加热带状导体样品，沿其轴向布置多个热电偶测点；形成样品分析区，并测量获得分析区的电流值和电压值；将样品沿轴向分为多个微元控...
符泰然汤龙生段明皓王忠波谈鹏周金帅邓兴凯
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金属氧化层高温光学常数测量方法
本发明涉及一种金属氧化层高温光学常数测量方法，其包括以下步骤：S1、提供多份具有不同厚度金属氧化层的氧化金属样品，分别测量多份氧化金属样品的金属氧化层的厚度；S2、利用高温光谱发射率测量实验台，在真空环境下分别测量多份氧...
符泰然宗安州刘江帆谈鹏汤龙生周金帅邓兴凯
基于稳态分析的半球向全发射率与导热系数的测量方法
本发明具体公开了一种基于稳态分析的半球向全发射率与导热系数的测量方法，其步骤包括：选取一个细长带状的导体材料样品，在真空环境下通电加热，选取中间的一段区域为测试区，根据稳态量热法稳态能量平衡方程；将半球向全发射率和导热系...
符泰然汤龙生段明皓王忠波谈鹏周金帅邓兴凯
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基于瞬态分析的大温差样品的半球向全发射率测量方法
本发明具体公开了一种基于瞬态分析的大温差样品的半球向全发射率测量方法，所述方法包括：在样品上布置多个热电偶，在真空环境下将样品通电加热至高温，使其自然冷却降温；将样品降温过程分为多个温度子区间，将半球向全发射率、导热系数...
符泰然汤龙生段明皓王忠波谈鹏周金帅邓兴凯
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