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林曲
作品数:
2
被引量:4
H指数:1
供职机构:
大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室
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发文基金:
高等学校科技创新工程重大项目
辽宁省教育厅资助项目
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相关领域:
理学
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合作作者
臧海蓉
大连理工大学材料科学与工程学院...
牟宗信
大连理工大学材料科学与工程学院...
丁安邦
大连理工大学材料科学与工程学院...
陈宝清
大连理工大学材料科学与工程学院
刘冰冰
大连理工大学材料科学与工程学院...
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丁安邦
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年份
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2012
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2
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中频磁控溅射技术制备Co-Ni合金薄膜
被引量:3
2012年
由于电镀硬铬对环境有一定的污染,因而选择合适的制备方式和合适的替代硬铬的材料具有一定的实际意义。本文选用Co-Ni作为硬铬的替代材料,并采用中频磁控溅射的方式在铜基底上制备Co-Ni合金薄膜,重点研究了溅射功率与Co-Ni合金薄膜的沉积速率、成分的关系,结果表明沉积速率随溅射功率的增加而增加;溅射功率在O.8-1.1kW之间时,薄膜成分与靶材成分基本一致;并把1.1kW时制备的Co-Ni合金薄膜的电极化腐蚀性能与电镀cr薄膜、离子镀Cr薄膜相比较,结果表明Co-Ni合金的腐蚀电位可达到-0.245V,具有较强的耐腐蚀性。
臧海蓉
牟宗信
丁安邦
林曲
陈宝清
关键词:
磁控溅射
溅射功率
AZ31镁合金基材非平衡磁控溅射镀膜工艺研究
被引量:1
2012年
采用中频孪生靶非平衡磁控溅射技术在AZ31镁合金基底上制备出氮化硅薄膜。利用傅里叶变换红外光谱仪、电子探针、X射线衍射仪等研究了氮气流量比率对氮化硅薄膜的成分、微观结构的影响。通过对薄膜力学性能和抗腐蚀性能的检测分析了氮化硅薄膜对AZ31镁合金基底表面改性的作用。结果表明:中频孪生非平衡磁控溅射技术制备的薄膜为非晶态富N氮化硅。随着氮气流量比率的增加,薄膜的沉积速率降低,Si含量减少。在AZ31镁合金基底上制备氮化硅薄膜有效提高了基底的力学性能和抗腐蚀性能,显微硬度得到显著提高,腐蚀电流密度降低了3个数量级,并且薄膜与基底之间的结合力良好。
牟宗信
臧海蓉
刘冰冰
林曲
丁安邦
王春
董闯
关键词:
氮化硅薄膜
镁合金
磁控溅射
红外光谱
抗腐蚀性
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