丁安邦
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：大连理工大学物理与光电工程学院三束材料改性教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：高等学校科技创新工程重大项目辽宁省教育厅资助项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 中频磁控溅射技术制备Co-Ni合金薄膜被引量：2
- 2012年
- 由于电镀硬铬对环境有一定的污染，因而选择合适的制备方式和合适的替代硬铬的材料具有一定的实际意义。本文选用Co-Ni作为硬铬的替代材料，并采用中频磁控溅射的方式在铜基底上制备Co-Ni合金薄膜，重点研究了溅射功率与Co-Ni合金薄膜的沉积速率、成分的关系，结果表明沉积速率随溅射功率的增加而增加；溅射功率在O．8-1．1kW之间时，薄膜成分与靶材成分基本一致；并把1．1kW时制备的Co-Ni合金薄膜的电极化腐蚀性能与电镀cr薄膜、离子镀Cr薄膜相比较，结果表明Co-Ni合金的腐蚀电位可达到-0．245V，具有较强的耐腐蚀性。
- 臧海蓉牟宗信丁安邦林曲陈宝清
- 关键词：磁控溅射溅射功率
- 中频反应磁控溅射制备二氧化硅薄膜及其结构与光学性能的研究
- 二氧化硅薄膜具有折射率低、消光系数小、附着力强、在可见光和近红外区域均为透明等特点，是一种理想光学薄膜，被广泛的应用于微电子、光学器件等领域。另外，二氧化硅薄膜以硬度大、耐磨损、绝缘性好、抗腐蚀等机械性能广泛应用于半导体...
- 丁安邦
- 关键词：二氧化硅薄膜化学结构红外光谱
- 文献传递
- 氧分压影响中频磁控溅射沉积SiO_2薄膜光学性能研究
- 2014年
- 采用中频反应磁控溅射沉积非晶二氧化硅(a_SiO2)薄膜,用X射线衍射、原子力显微镜、傅里叶红外光谱等方法研究氧分压影响退火前、后的两种SiO2薄膜样品的微观结构、折射率和消光系数等特性的变化规律。结果显示:室温下,沉积速率随氧分压的增大而减小,有利于提高薄膜的光滑性和致密度;在不同氧分压下沉积的SiO2薄膜均为非晶态结构;氧分压为25%时,薄膜表面具有均匀、光滑、致密的性能特征;折射率和消光系数都依赖于氧分压,氧分压大于15%时,薄膜在600 nm处的折射率n约为1.45～1.47,消光系数低于10-4。这表明适当提高氧分压有利于获得光学性能较好的SiO2薄膜。傅里叶红外吸收光谱测试表明,随着氧分压的升高,Si-O-Si伸缩振动峰向高波数方向移动,较高氧分压下沉积的SiO2薄膜具有较高的化学结合能,且结构和性能更稳定。
- 丁安邦王海文牟宗信
- 关键词：氧分压光学特性红外光谱
- AZ31镁合金基材非平衡磁控溅射镀膜工艺研究被引量：1
- 2012年
- 采用中频孪生靶非平衡磁控溅射技术在AZ31镁合金基底上制备出氮化硅薄膜。利用傅里叶变换红外光谱仪、电子探针、X射线衍射仪等研究了氮气流量比率对氮化硅薄膜的成分、微观结构的影响。通过对薄膜力学性能和抗腐蚀性能的检测分析了氮化硅薄膜对AZ31镁合金基底表面改性的作用。结果表明:中频孪生非平衡磁控溅射技术制备的薄膜为非晶态富N氮化硅。随着氮气流量比率的增加,薄膜的沉积速率降低,Si含量减少。在AZ31镁合金基底上制备氮化硅薄膜有效提高了基底的力学性能和抗腐蚀性能,显微硬度得到显著提高,腐蚀电流密度降低了3个数量级,并且薄膜与基底之间的结合力良好。
- 牟宗信臧海蓉刘冰冰林曲丁安邦王春董闯
- 关键词：氮化硅薄膜镁合金磁控溅射红外光谱抗腐蚀性
