顿丹丹
- 作品数:2 被引量:1H指数:1
- 供职机构:北京航空航天大学机械工程及自动化学院更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:理学一般工业技术更多>>
- 增强辉光放电等离子体离子注入的三维PIC/MC模拟被引量:1
- 2012年
- 采用三维粒子模拟/蒙特卡洛模型自洽地模拟了增强辉光放电等离子体离子注入过程中离子产生和注入,获得了放电空间的离子总数、电势分布、等离子体密度分布和离子入射剂量等信息.模拟结果表明,5μs时鞘层达到稳定扩展,15μs时离子的产生与注入达到平衡,证实了增强辉光放电等离子体离子注入能在一定条件下实现自持的辉光放电.注入过程中,在点状阳极正下方存在一个高密度的等离子体区域,证实了电子聚焦效应.除靶台边缘外,离子的注入速率稳定且入射剂量均匀.脉冲负偏压提高时注入速率增加但入射剂量的均匀性变差.
- 何福顺李刘合李芬顿丹丹陶婵偲
- 关键词:等离子体浸没离子注入数值模拟
- 脉冲磁过滤阴极弧技术制备类金刚石薄膜研究
- 2012年
- 介绍了弯曲电弧磁过滤设备,并利用脉冲磁过滤阴极真空电弧沉积技术,在高速钢基体上制备了DLC膜。对制得的DLC薄膜表面形貌、Raman光谱及纳米硬度和弹性模量等进行了测试。结果表明,脉冲磁过滤阴极电弧法制备的DLC膜具有优良的性能。拉曼光谱分析显示,制得的薄膜为非晶结构,具有明显的sp2和sp3键杂化结构,符合DLC膜的特征,基体负偏压为50V时,沉积的DLC膜Raman光谱的ID/IG值最小,sp3键含量最高,纳米硬度和弹性模量值达到最高,分别为29.94GPa和333.9GPa。
- 顿丹丹
- 关键词:DLC膜偏压