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韩英军

作品数：15 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学轻工技术与工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 8篇多量子阱
  • 6篇二极管
  • 6篇发光
  • 6篇发光二极管
  • 4篇蓝光
  • 4篇光强
  • 4篇光强度
  • 4篇发光强度
  • 4篇衬底
  • 3篇单晶
  • 3篇单晶薄膜
  • 3篇量子阱结构
  • 3篇隔离层
  • 3篇光学
  • 3篇光学特性
  • 3篇GAAS/A...
  • 3篇GAAS/A...
  • 3篇衬底温度
  • 2篇电特性
  • 2篇多量子阱材料

机构

  • 15篇中国科学院

作者

  • 15篇韩英军
  • 13篇黄绮
  • 10篇周均铭
  • 7篇陈弘
  • 7篇于洪波
  • 6篇郭丽伟
  • 4篇贾海强
  • 2篇李春勇
  • 2篇杨乾声
  • 2篇张治国
  • 2篇魏彦锋
  • 2篇傅盘铭
  • 2篇赵士平
  • 1篇汪力
  • 1篇包昌林
  • 1篇汪力

传媒

  • 2篇第六届全国分...
  • 1篇量子电子学报
  • 1篇科技开发动态
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 2篇2005
  • 5篇2004
  • 5篇2003
  • 1篇2002
  • 2篇2001
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
低温下生长高质量的GaAs/AlGaAs多量子阱
本文给出了一种新的低温生长方面制备具有窄量子阱的GaAs/AlGaAs多量子阱结构,使其具有高电阻率的尖锐的激子特征,实验证明该生长方法对制备高质量的光折变材料是有效的.
郭丽伟韩英军包昌林黄绮周均铭
关键词：GAAS/ALGAAS多量子阱材料
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制备氮化镓单晶薄膜的方法
2004年
该发明专利是一种在异质衬底上大失配外延生长GaN单晶薄膜的方法。
陈弘韩英军周均铭于洪波黄绮
关键词：氮化镓单晶薄膜衬底失配
GaN基多量子阱结构及采用该结构的发光二极管
本发明公开一种GaN基多量子阱蓝光发光二极管，该二极管的多量子阱结构包括：p型掺杂的AlGaN层；n型掺杂的AlGaN层；及在AlGaN层之间的由p型掺杂的GaN层与不掺杂的InGaN层组成的N个量子阱；还包括在p型掺杂...
陈弘贾海强周均铭韩英军于洪波黄绮
文献传递
具有多量子阱结构的发光二极管
本实用新型公开一种GaN基多量子阱蓝光发光二极管，该二极管的多量子阱结构包括：p型掺杂的AlGaN层；n型掺杂的AlGaN层；及在AlGaN层之间的由不掺杂的GaN层与不掺杂的InGaN层组成的N个量子阱；还包括在p型掺...
陈弘于洪波周均铭贾海强韩英军黄绮
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一种GaN基多量子阱蓝光发光二极管
本实用新型公开一种GaN基多量子阱蓝光发光二极管，该二极管的多量子阱结构包括：p型掺杂的AlGaN层；n型掺杂的AlGaN层；及在AlGaN层之间的由p型掺杂的GaN层与不掺杂的InGaN层组成的N个量子阱；还包括在p型...
陈弘于洪波周均铭贾海强韩英军黄绮
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制备氮化镓单晶薄膜的方法
本发明涉及一种在异质衬底上大失配外延生长GaN单晶薄膜的方法。该方法用异质材料或蓝宝石材料做衬底，在化学气相沉积生长装置中首先将氢气通入反应室中，然后加热衬底至1200℃；10分钟后衬底降温，用氨气与由氢气携带的三甲基镓...
陈弘韩英军周均铭于洪波黄绮
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一种多量子阱结构及采用该结构的发光二极管
本发明公开一种GaN基多量子阱蓝光发光二极管，该二极管的多量子阱结构包括：p型掺杂的AlGaN层；n型掺杂的AlGaN层；及在AlGaN层之间的由不掺杂的GaN层与不掺杂的InGaN层组成的N个量子阱；还包括在p型掺杂的...
陈弘贾海强周均铭韩英军于洪波黄绮
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1.LT-GaAs/AlGaAs材料的物性分析及应用;2.GaN基材料在发光二极管中的应用
该论文所从事的研究工作主要集中在两个方面:一是LT-GaAs/Al<,0.3>Ga<,0.7>As材料的物性分析和其在光折变器件上的应用,一是GaN基材料在发光二极管中的应用.在第一部分研究工作中,作者用低温分子束外延技...
韩英军
关键词：光折变金属有机物化学气相沉积发光二极管
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As压对LT-GaAs/AlGaAs多量子阱光学特性的影响
本文讨论了低温生长引入的缺陷对LT-AsGs/AlGaAs光学特性的影响,并通过控制缺陷的种类和密度来改善材料的光学特性.
韩英军郭丽伟黄绮
关键词：多量子阱材料GAAS/ALGAAS光学特性
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一种具有尖锐激子峰的半绝缘多量子阱的生长方法
本发明涉及一种具有尖锐激子峰的半绝缘多量子阱的生长方法，该方法将衬底温度升至580℃，在半绝缘GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；然后降低衬底温度至200～500℃，在砷压为5×10<Sup>－8</Sup>～5×10<S...
韩英军郭丽伟黄绮周均铭
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共2页<12>
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