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于洪波

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 7篇多量子阱
  • 6篇二极管
  • 6篇发光
  • 6篇发光二极管
  • 5篇量子阱结构
  • 4篇蓝光
  • 4篇光强
  • 4篇光强度
  • 4篇发光强度
  • 4篇衬底
  • 3篇单晶
  • 3篇单晶薄膜
  • 3篇隔离层
  • 3篇GAN
  • 2篇电特性
  • 2篇多量子阱结构
  • 2篇势垒
  • 2篇体缺陷
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体缺陷

机构

  • 10篇中国科学院

作者

  • 10篇于洪波
  • 9篇周均铭
  • 9篇陈弘
  • 7篇黄绮
  • 7篇韩英军
  • 6篇贾海强
  • 2篇李东升

传媒

  • 1篇科技开发动态

年份

  • 2篇2005
  • 6篇2004
  • 2篇2003
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
具有多量子阱结构的发光二极管
本实用新型公开一种GaN基多量子阱蓝光发光二极管，该二极管的多量子阱结构包括：p型掺杂的AlGaN层；n型掺杂的AlGaN层；及在AlGaN层之间的由不掺杂的GaN层与不掺杂的InGaN层组成的N个量子阱；还包括在p型掺...
陈弘于洪波周均铭贾海强韩英军黄绮
文献传递
制备氮化镓单晶薄膜的方法
2004年
该发明专利是一种在异质衬底上大失配外延生长GaN单晶薄膜的方法。
陈弘韩英军周均铭于洪波黄绮
关键词：氮化镓单晶薄膜衬底失配
不同晶面蓝宝石衬底上外延GaN基材料的结构和光学性能
该文系统介绍了Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料的物理性能,生长技术和基于该材料体系的基本器件结构,并介绍了金属有机物化学气相沉积(MOCVD)的反应机理.在此基础上,详细讨论了作者在以下几个方面的工作:利用低压MOCVD技术在a面和c...
于洪波
关键词：金属有机物化学气相沉积多量子阱激子
文献传递
GaN基多量子阱结构及采用该结构的发光二极管
本发明公开一种GaN基多量子阱蓝光发光二极管，该二极管的多量子阱结构包括：p型掺杂的AlGaN层；n型掺杂的AlGaN层；及在AlGaN层之间的由p型掺杂的GaN层与不掺杂的InGaN层组成的N个量子阱；还包括在p型掺杂...
陈弘贾海强周均铭韩英军于洪波黄绮
文献传递
具有梯形量子阱结构的发光二极管
本实用新型涉及一种具有梯形量子阱结构的发光二极管。该发光二极管的特征在于：量子阱(22)由不掺杂的势垒层(23)和不掺杂的势阱层(24)组成，且势阱层的带隙小于势垒层的带隙；量子阱(22)的数目N为1～100；所述的势阱...
陈弘周均铭李东升于洪波贾海强
文献传递
一种GaN基多量子阱蓝光发光二极管
本实用新型公开一种GaN基多量子阱蓝光发光二极管，该二极管的多量子阱结构包括：p型掺杂的AlGaN层；n型掺杂的AlGaN层；及在AlGaN层之间的由p型掺杂的GaN层与不掺杂的InGaN层组成的N个量子阱；还包括在p型...
陈弘于洪波周均铭贾海强韩英军黄绮
文献传递
制备氮化镓单晶薄膜的方法
本发明涉及一种在异质衬底上大失配外延生长GaN单晶薄膜的方法。该方法用异质材料或蓝宝石材料做衬底，在化学气相沉积生长装置中首先将氢气通入反应室中，然后加热衬底至1200℃；10分钟后衬底降温，用氨气与由氢气携带的三甲基镓...
陈弘韩英军周均铭于洪波黄绮
文献传递
一种多量子阱结构及采用该结构的发光二极管
本发明公开一种GaN基多量子阱蓝光发光二极管，该二极管的多量子阱结构包括：p型掺杂的AlGaN层；n型掺杂的AlGaN层；及在AlGaN层之间的由不掺杂的GaN层与不掺杂的InGaN层组成的N个量子阱；还包括在p型掺杂的...
陈弘贾海强周均铭韩英军于洪波黄绮
文献传递
制备氮化镓单晶薄膜的方法
本发明涉及一种在异质衬底上大失配外延生长GaN单晶薄膜的方法。该方法用异质材料或蓝宝石材料做衬底，在化学气相沉积生长装置中首先将氢气通入反应室中，然后加热衬底至1200℃；10分钟后衬底降温，用氨气与由氢气携带的三甲基镓...
陈弘韩英军周均铭于洪波黄绮
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具有GaN基多量子阱结构的发光二极管
本发明涉及一种具有GaN基多量子阱结构的发光二极管。该发光二极管的特征在于：量子阱(22)由不掺杂的势垒层(23)和不掺杂的势阱层(24)组成，且势阱层的带隙小于势垒层的带隙；量子阱(22)的数目N为1～100；所述的势...
陈弘周均铭李东升于洪波贾海强
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