陈贵楚
- 作品数：25 被引量：37H指数：4
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- GaInP/(Al_xGa_(1-x))InP多量子阱结构的光荧光特性分析
- 2003年
- 利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)技术生长了GaInP/(AlxGa1-x)InP多量子阱(MQW)结构材料,对其进行光荧光特性测量,观察到在波长λ=647 8nm和λ=861 6nm处分别存在一个强发光锋和一个弱发光峰.理论计算和实测结果基本一致.
- 陈练辉范广涵陈贵楚吴文光李华兵
- 关键词：多量子阱光荧光谱
- P型掺杂对AlGaInP双异质结发光二极管的Al组分确定的影响
- 2003年
- 在双异质结发光二极管(DH-LED)实际材料生长过程中,它的限制层的Al组分的确定有较大的随意性.在不同的P型掺杂程度下,通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了限制层Al组分分别对应确定为一个最合适的取值,此时有源层中的载流子应有一个最大数量的复合,LED的复合效率最高.从而可以探索P型掺杂对限制层Al组分确定的影响的规律,并得到一个较合适的掺杂浓度.这对于器件结构设计以及相关的金属有机化合物气相沉积(MOCVD)材料生长有一定的指导意义.
- 陈贵楚范广涵陈练辉刘鲁
- 关键词：ALGAINPP型掺杂
- A1GaInP四元系材料双异质结发光二极管的最佳Al组分分析被引量：4
- 2003年
- 鉴于双异质结发光二极管(DH—LED)限制层的Al组分的不确定性,本文通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了Al组分确定为一个最合适的取值时,有源层中的载流子应有一个最大数量的复合,此时LED的复合效率最高、发光最强。这个最佳Al组分的确认,对于器件结构设计以及相关的MOCVD材料生长有指导意义。
- 陈贵楚范广涵陈练辉刘鲁
- 关键词：AL组分
- 量子级联激光器的电路模型分析被引量：2
- 2005年
- 通过分析量子级联激光器(QCL)中的电子在量子阱输运的单极行为,得到它的速率方程,以此为基础建立起它的等效电路模型,利用PSPICE进行电路模拟,得到了它的频率响应特性,并对可能影响它的调制特性的一些因素进行了分析。
- 吴文光范广涵陈贵楚李华兵陈练辉
- 关键词：激光技术量子级联激光器电路模型频率响应
- Al组分对AlGaN/GaN量子级联激光器性能的影响被引量：4
- 2009年
- 通过对激光器一个周期单元的一维薛定谔方程与泊松方程进行自洽求解,得到了能带与电子波函数的分布情况,并且计算了在近共振条件下偶极跃迁元与垒层Al组分的关系,得到了Al组分的优化结果。结果表明,垒层材料的Al组分大约等于0.15时激光器的偶极跃迁元最大,此时激光器处于垂直跃迁工作状态。
- 陈贵楚范广涵
- 关键词：量子级联激光器AL组分
- 应用原子层外延技术分析Turbo-Disk MOCVD外延生长模式被引量：1
- 2004年
- 应用原子层外延与分子层外延的理论研究了Turbo DiskMOCVD外延生长过程 ,发现生长主要发生在衬底表面的台阶处 ,当通过控制生长参数达到优质外延时 ,实际上是一种亚原子外延过程 。
- 王浩廖常俊范广涵刘颂豪郑树文李述体郭志友孙慧卿陈贵楚陈炼辉
- 关键词：金属有机化学气相淀积
- 量子级联探测器研究进展
- 2009年
- 综述了基于三大化合物半导体材料(GaAs基、InP基与GaN基)的量子级联探测器(QCD)的进展,对这三种材料体系的QCD的各种技术指标如光电流响应度、电阻、电流-电压特性等做了详细的说明,最后对其他半导体材料及新型结构的QCD做了展望。
- 陈贵楚范广涵
- 关键词：探测器半导体材料新型结构
- 渐变方式对量子阱激光器电流注入效率的影响被引量：1
- 2008年
- 通过在量子阱激光器中的分别限制结构层引入4种不同的渐变方式,即线性渐变、抛物线渐变、扩散渐变以及高斯渐变,利用电流连续方程、泊松方程以及边界条件进行数值计算,得到了在不同渐变方式下器件的电流注入效率与注入载流子密度、有源层厚度及渐变长度的关系.
- 陈贵楚范广涵
- 关键词：激光器
- 掺杂与Al组分对AlGaInP四元系LED发光效率的影响被引量：1
- 2004年
- 在AlGaInP四元系双异质结发光二极管 (DH LED)的材料生长过程中 ,限制层的Al组分与p型掺杂浓度的确定有较大的随意性 ,这对LED的发光不利。通过分析载流子在发光二极管 (LED)双异质结中的输运情况 ,得到了在不同的p型掺杂程度下 ,限制层Al组分与LED发光效率的关系 ,从而可以探索p型掺杂与Al组分对发光效率影响的规律 。
- 陈贵楚范广涵陈练辉刘鲁
- 关键词：ALGAINPAL组分P型掺杂发光效率
- 多层GaAlInP半导体发光材料的双晶衍射分析与拟合被引量：1
- 2004年
- 应用双晶衍射仪对MOCVD外延生长所得到的一个GaAlInP双异质结(DH)的单晶多层结构进行测试与分析。应用双晶衍射的动力学理论模拟此样品的摇摆曲线,并结合界面的融合、晶格崎变与缺陷的散射来解释测试结果。对衍射谱的展宽提供了合理的解释,比较肯定地确定了此样品的结构与晶体质量。涉及缺陷对衍射FWHM的展宽的解释与关于缺陷的半动力学衍射理论相比,简单明了,实用于实际的生产检测。并根据分析结论对晶体质量的改进提供技术方案,改进了晶体质量。
- 王浩Joachim F.Woitok廖常俊范广涵刘颂豪郑树文李述体郭志友孙慧卿陈贵楚陈炼辉吴文光李华兵
- 关键词：MOCVD半导体发光材料摇摆曲线晶格晶体质量
