陈练辉
- 作品数：13 被引量：24H指数：3
- 供职机构：华南师范大学光电子材料与技术研究所更多>>
- 发文基金：国家科技攻关计划广州市科技攻关项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- AlGaInP/GaAs外延层的倒易空间图分析被引量：1
- 2005年
- 介绍了倒易点二维图的概念,分析了AlGaInP/GaAs外延层的倒易点二维图,阐明其倒易点二维图的展宽方向和原因,获得了应变及晶面弯曲等方面的信息,为优化AlGaInP四元系发光二极管的外延工艺提供了更丰富的信息.
- 李华兵范广涵王浩吴文光陈贵楚陈练辉
- 关键词：外延层发光二极管
- 基于对数关系的多量子阱VCSELs阈值特性研究被引量：1
- 2005年
- 采用光增益与载流子浓度的对数关系,考虑到非辐射复合的影响,从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)的速率方程。讨论了阈值电流密度、最佳阱数等与器件参数(腔长和端面反射率)之间的依赖关系。为改善VCSELs阈值特性和优化器件结构提供了理论依据。
- 吴文光范广涵李华兵陈贵楚陈练辉雷勇黄坤
- 关键词：垂直腔面发射半导体激光器阈值电流密度腔长端面反射率
- GaInP/(Al_xGa_(1-x))InP多量子阱结构的光荧光特性分析
- 2003年
- 利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)技术生长了GaInP/(AlxGa1-x)InP多量子阱(MQW)结构材料,对其进行光荧光特性测量,观察到在波长λ=647 8nm和λ=861 6nm处分别存在一个强发光锋和一个弱发光峰.理论计算和实测结果基本一致.
- 陈练辉范广涵陈贵楚吴文光李华兵
- 关键词：多量子阱光荧光谱
- P型掺杂对AlGaInP双异质结发光二极管的Al组分确定的影响
- 2003年
- 在双异质结发光二极管(DH-LED)实际材料生长过程中,它的限制层的Al组分的确定有较大的随意性.在不同的P型掺杂程度下,通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了限制层Al组分分别对应确定为一个最合适的取值,此时有源层中的载流子应有一个最大数量的复合,LED的复合效率最高.从而可以探索P型掺杂对限制层Al组分确定的影响的规律,并得到一个较合适的掺杂浓度.这对于器件结构设计以及相关的金属有机化合物气相沉积(MOCVD)材料生长有一定的指导意义.
- 陈贵楚范广涵陈练辉刘鲁
- 关键词：ALGAINPP型掺杂
- A1GaInP四元系材料双异质结发光二极管的最佳Al组分分析被引量：4
- 2003年
- 鉴于双异质结发光二极管(DH—LED)限制层的Al组分的不确定性,本文通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了Al组分确定为一个最合适的取值时,有源层中的载流子应有一个最大数量的复合,此时LED的复合效率最高、发光最强。这个最佳Al组分的确认,对于器件结构设计以及相关的MOCVD材料生长有指导意义。
- 陈贵楚范广涵陈练辉刘鲁
- 关键词：AL组分
- 量子级联激光器的电路模型分析被引量：2
- 2005年
- 通过分析量子级联激光器(QCL)中的电子在量子阱输运的单极行为,得到它的速率方程,以此为基础建立起它的等效电路模型,利用PSPICE进行电路模拟,得到了它的频率响应特性,并对可能影响它的调制特性的一些因素进行了分析。
- 吴文光范广涵陈贵楚李华兵陈练辉
- 关键词：激光技术量子级联激光器电路模型频率响应
- Ⅲ-Ⅴ族混合晶体的长波长光学声子被引量：1
- 2005年
- 在修正的随机元素等位移-MREI模型的基础上建立了一个新模型,计算了AB1-xCx型Ⅲ-Ⅴ族半导体混晶的长波长光学声子模频率的组分变化关系。模型中假设次邻力常数远小于近邻力常数,同时,运用离子晶体结合的重叠排斥能,估算出两个近邻力常数随组分x呈负幂指数变化,而非常规的线性变化。最后比较了AsAl1-xGax、GaP1-xAsx和SbAl1-xGax三种混晶的理论结果和实验数据,两者符合较好。
- 李华兵范广涵陈练辉吴文光熊予莹刘颂豪
- 关键词：光电子学光学声子
- 掺杂与Al组分对AlGaInP四元系LED发光效率的影响被引量：1
- 2004年
- 在AlGaInP四元系双异质结发光二极管 (DH LED)的材料生长过程中 ,限制层的Al组分与p型掺杂浓度的确定有较大的随意性 ,这对LED的发光不利。通过分析载流子在发光二极管 (LED)双异质结中的输运情况 ,得到了在不同的p型掺杂程度下 ,限制层Al组分与LED发光效率的关系 ,从而可以探索p型掺杂与Al组分对发光效率影响的规律 。
- 陈贵楚范广涵陈练辉刘鲁
- 关键词：ALGAINPAL组分P型掺杂发光效率
- GaInP/AlGaInP多量子阱外延片的生长与光学性质研究
- 该论文主要通过光致发光和喇曼两种检测方法,对GalnP/(Al<,x>Ga<,1-x>)InP MQW外延片的光学性质进行深入的理论分析和实验研究,以达到改善MQW结构设计和提高材料生长质量的目的.取得了如下主要成果:(...
- 陈练辉
- 关键词：光致发光喇曼
- 文献传递
- 掺杂与Al组分对AlGaInP四元系LED发光效率的影响被引量：3
- 2004年
- 通过分析载流子在发光二极管 (LED)双异质结中的输运情况 ,得到了在不同的P型掺杂程度下 ,限制层Al组分与LED发光效率的关系 ,从而可以探索P型掺杂与Al组分对发光效率影响的规律 。
- 陈贵楚范广涵陈练辉刘鲁
- 关键词：掺杂发光效率
