闫书霞
- 作品数：7 被引量：16H指数：2
- 供职机构：郑州大学更多>>
- 发文基金：河南省科技攻关计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
- 杂质锗在硅单晶中的平衡分凝系数与存在状态
- 闫书霞
- 关键词：锗硅单晶
- 沉积工艺参数对碳纳米管薄膜场发射性能的影响被引量：10
- 2006年
- 利用微波等离子体化学气相沉积（MWPCVD）方法，在不锈钢衬底上直接沉积碳纳米管膜。通过SEM、拉曼光谱和XRD表征，讨论了制备温度和甲烷浓度对碳纳米管膜场发射的影响。结果表明：不同条件下制备的碳纳米管膜的场发射性能有很大差异，保持氢气的流量（100sccm）、生长时间（10min）、反应室压力不变，当甲烷流量为8sccm、温度为700—800℃时，场发射性能最好，开启场强仅为0．8V／μm，发射点分布密集、均匀。
- 樊志琴闫书霞姚宁鲁占灵杨仕娥马丙现张兵临
- 关键词：碳纳米管微波等离子体化学气相沉积场发射拉曼光谱
- NTDCZSi中与氧有关的PL谱
- 1996年
- 中子嬗变掺杂直拉硅单晶(NTDCZSi)在1050～1100℃6h退火时,体内产生以较大辐照缺陷为核心的氧沉淀和衍生的二次缺陷.光致发光(PL)在0.76～1.000eV范围出现了PL峰,而非中照的CZSi在相同条件下退火却没有检测出明显的PL峰.本文与已发表过的文献进行了比较,初步认定本实验条件下出现的0.896eV、0.765eV、0.909eV、0.773eV是中照硅退火时由于产生了氧沉淀及其衍生的二次缺陷引入的深能级缺陷PL峰.
- 张维连闫书霞孙军生
- 关键词：中子嬗变掺杂直拉硅光致发光
- 掺锗CZSi中光致发光谱的研究
- 1996年
- 本文研究了掺有不同浓度锗的直拉硅（ＣＺＳｉ）在温度３５０℃～５５０℃等时退火后的光致发光谱（ＰＬ谱）。结果发现：杂质锗使硅材料的本征激发峰强度增加，ＰＬ谱随着锗浓度的增加，峰位向低能端移动，ＰＬ峰变宽。实验也表明：随着退火温度的升高，在ＰＬ谱的低能端出现了新的激发峰，锗的存在推迟和抑制了新的激发峰的产生；与不掺锗的直拉硅相比，锗并没有在硅中引入新的深能级。
- 闫书霞张维连孙军生
- 关键词：直拉硅掺杂光致发光谱退火
- 光激电流法测量掺锗CZSi中的深能级
- 1996年
- 用光激电流法研究了Ｇｅ作为杂质掺入到Ｓｉ中可能引入的深能级，发现掺锗量小于或等于１．０ｗｔ％（重量比）时，不会在ＣＺＳｉ中引入与锗有关的深能级；锗的引入降低了硅中点缺陷的浓度。
- 张维连闫书霞冀志江
- 关键词：深能级掺锗硅晶体
- MgB2超导材料的掺杂及掺杂机理研究
- 许红亮张锐费岚陈德良赵利敏闫书霞刘晓芳杨道媛王海龙郑英姿卢红霞
- 该项目来源于郑州大学引进人才科研项目。 2001年发现的二硼化镁(MgB_2)的超导转变温度T℃高达39K，且没有晶界“弱连接”现象，因此具有良好的应用前景。但MgB_2自身缺乏有效的磁通钉扎中心，导致其临界电流密度J...
- 关键词：
- 关键词：超导材料MGB2掺杂
- 15千瓦磁性联轴器磁路设计与计算被引量：6
- 2002年
- 磁性联轴器是近年来发展起来的新型非接触型动力传输设备 ,它要求工作稳定可靠 ,经济耐用 ,还要求动力传输效率高 ,能损少 .对磁路进行优化设计 ,选择了圆柱形推拉式偶合系统 ,确定了合适的尺寸 ,并计算出了磁导和漏磁系数 .计算结果表明 :该磁路设计合理 ,达到磁阻尽量小 。
- 李廷占张明成李政育闫书霞
- 关键词：磁性联轴器磁路设计磁导漏磁系数
