郑宝真
- 作品数：18 被引量：9H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家攀登计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- GaAs／AlAs波纹超晶格中的激子局域化研究
- 1995年
- 本文首次报道（３１１）面上生长的ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ波纹超晶格中的激子局域化效应．在这种结构中，波纹异质结界面的缺陷，包括周期微扰和表面不平整将引入较深的激子束缚能级，因此低温下其发光能量相对于（１００）样品发生明显的红移．在Ⅱ类超晶格中，局域化能级成为Ｘ能谷电子向能谷输运的通道，从而加强了Ｘ－电子态混合，使实验观察到的Ｘ跃迁表现出跃迁的某些性质．
- 袁之良徐仲英许继宗郑宝真江德生张鹏华杨小平
- 关键词：砷化镓砷化铝超晶格
- In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs和GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As量子阱的静压下光致发光的对照研究
- 1990年
- 在77K,0—60kbar范围内对在同一衬底上生长的In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs和GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As量子阱的静压下的光致发光进行了对照研究。在GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As量子阱中同时观察到导带到轻重空穴子带的跃迁。而在In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs阱中只观察到导带到重空穴子带的跃迁。与GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As的情况相反,In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs 量子阱的光致发光峰的压力系数随阱宽的减小而增加。在压力大于48kbar时观察到多个与间接跃迁有关的发光峰,对此进行了简短的讨论。
- 李国华郑宝真郑宝真汪兆平
- 关键词：化合物半导体光致发光
- 注入Ga离子的GaAs／AlGaAs量子阱中界面混合的光荧光研究
- 1996年
- 用注入Ｇａ离子ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱在快速热退火中大大加快了异质结界面的互扩散，表现在ＰＬ光谱中量子阱峰值能量有３０～９０ｍｅＶ的兰移．发现兰移大小同注入损伤程度、退火的温度及时间有关。
- 郑宝真赛纳许继宗张鹏华杨小平徐仲英
- 关键词：光荧光砷化镓
- InGaAs／GaAs应变量子阱中的激子发光动力学被引量：1
- 1995年
- 本文详细测量并分析了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱中的激子发光衰退特性，研究了激子发光寿命与Ｉｎ组分和阱宽的关系．发现Ｉｎ组分增大时，激子寿命变短，而发光寿命与阶宽的关系不大．文章分析了影响发光寿命的诸多因素，指出在ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱中，由合金无序造成的散射对激子发光寿命有重要的影响．
- 徐仲英罗昌平金世荣许继宗郑宝真
- 关键词：砷化镓动力学
- 不同阱宽的In_xGa_(1-X)As/GaAs应变量子阱的压力行为
- 1991年
- 在77K下测量了不同阱宽(30-160A)的In_xCa_(1-x)As/GaAs应变量子阱的静压下光致发光谱.静压范围为0-60kbar.发现导带第一子带到重空穴第一子带的激子发光峰的压力系数从 160A阱的 9.74meV/kbat增加到 30A 阱的 10.12meV/kbar.计算表明,阱变窄时电子波函数向压力系数较大的势垒层中的逐步扩展是压力系数随阱宽变小而增加的原因之一.在压力超过50kbar后观察到两个与间接跃迁有关的发光峰.
- 李国华郑宝真韩和相汪兆平
- 关键词：INGAAS/GAAS光致发光
- 立方相InGaN的时间分辨光谱研究
- Ga是制备NGaN基蓝绿光发光、激光器件的重要材料。研究人员用时间分辨光谱和稳态光荧光研究了其发光特性和复合发光寿命。
- 徐仲英刘宝利李建斌杨辉郑宝真葛惟昆
- 关键词：INGAN时间分辨光谱
- 合金无序和界面不平整对InGaAs/GaAs应变量子阱光谱展宽的影响
- 1990年
- 用光荧光和光吸收的实验方法研究了InGaAs/GaAs应变量子阱低温下的光谱展宽机理。实验观察到激子谱线半宽随着InGaAs层厚度和In的组分增加而增大。采用有效晶体近似的方法分析了实验数据,发现样品中合金组合无序引起的激子谱线展宽是主要的光谱展宽机理。实验中还发现与轻空穴有关的吸收光谱结构在升温过程中由吸收峰变为台阶状的谱结构。该现象可用与轻空穴有关的吸收为空间间接跃过来解释。
- 徐强徐仲英郑宝真许继宗
- 关键词：INGAAS/GAAS光谱特性
- GaAs/AlGaAs梯度折射率分别限制单量子阱结构中的光增益谱分析
- 1990年
- 对不同阱宽的梯度折射率分别限制单量子阱激光器进行了TE、TM模的光增益谱测量对于阱宽大于120A的激光器,发射光谱和光增益谱都出现双峰,分别是由n=1和n=2的子带跃迁所造成,激光振荡出现在n=2的子带跃迁。随着阱宽减小,n=1子带跃迁的饱和增益增加,使激光振荡能在n=1子带发生,而n=2子带的受激就需要比原来更大的注入才有可能。材料增益随阱宽减小呈超线性地增加,从而降低了n=1子带受激的最小腔长。因此,用较窄的量子阱(≤100A),高的端面反射率和尽可能短的腔长,就能得到很低的阈电流。TE和TM模增益谱的不同,使激光器在一定阱宽和腔损耗下具有不同的TE和TM激射波长。
- 郑宝真许继宗王丽明徐仲英朱龙德
- 关键词：GAAS/ALGAAS梯度折射率
- In_xGa_(1-x)As/GaAs应变单量子阱结构的静压光致发光研究
- 1989年
- 在室温和液氮温度下,0-60kbar范围内对In_xGa(1-x)As/GaAs应变单量子阱结构进行了静压光致发光研究.在室温下,量子阱中发光峰随压力的变化是亚线性的,而在液氮温度下是线性的.阱中发光峰的压力系数比GaAs势垒的小约10％左右.发现对应于导带第二子带的发光峰的压力系数略大于第一子带的.此结果与GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱的情况正好相反.
- 李国华郑宝真韩和相汪兆平T G.AnderssonZ.G.Chen
- 关键词：光致发光
- 自组织生长InAs量子点发光的温度特性被引量：1
- 1996年
- 本文报道ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ自组织生长量子点结构中发光的温度特性．在１２～１５０Ｋ温度范围内，实验测得的ＩｎＡｓ激子发光能量随温度增加明显红移，其红移速率远大于ＩｎＡｓ带隙的温度关系，而光谱宽度则明显减小．这些结果表明ＩｎＡｓ量子点结构是一种强耦合系统，局域在ＩｎＡｓ量子点中的载流子波函数会相互交途、相互贯穿，从而增强了载流子的弛豫过程．
- 吕振东杨小平袁之良徐仲英郑宝真许继宗陈弘黄绮周均铭王建农王玉琦葛惟昆
- 关键词：自组织生长砷化铟温度特性
