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蔡玉霜

作品数：5 被引量：5H指数：2
供职机构：厦门大学更多>>
发文基金：福建省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 4篇SNO
  • 3篇SI
  • 2篇氧化锡
  • 2篇光伏
  • 2篇光伏特性
  • 2篇二氧化锡
  • 2篇伏特
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体材料
  • 2篇CVD
  • 1篇单晶
  • 1篇电池
  • 1篇衍射
  • 1篇衍射法
  • 1篇氧化硅
  • 1篇异质结
  • 1篇直拉硅
  • 1篇直拉硅单晶
  • 1篇太阳电池
  • 1篇气敏

机构

  • 5篇厦门大学

作者

  • 5篇蔡玉霜
  • 3篇朱文章
  • 1篇颜永美
  • 1篇吴孙桃
  • 1篇陈朝
  • 1篇王余姜
  • 1篇沈华

传媒

  • 3篇固体电子学研...
  • 2篇半导体光电

年份

  • 1篇1996
  • 3篇1995
  • 1篇1992
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
SnO_2／Si的光伏特性被引量：3
1995年
采用ＣＶＤ方法在硅单晶上制备ＳｎＯ２薄膜，对不同硅衬底及在不同温度下淀积ＳｎＯ２制得ＳｎＯ２／Ｓｉ进行光电压谱的测量，得出最佳的制备温度；采用类金属半导体接触模型，推导出有关计算公式，计算得出其介面复合速度和异质结势垒宽度等参数。
沈 华张万中朱文章蔡玉霜
关键词：半导体材料二氧化硅CVD光伏特性
X衍射法分析CVD制备SnO_2多晶膜的构成及其对气敏特性的影响被引量：2
1995年
通过Ｘ光衍射图分析，确认了较低温度下ＣＶＤ法生长的非掺杂ＳｎＯ２晶膜含有较多的偏离ＳｎＯ２配位的晶体成份，从而定性地解释了该晶膜具有较高的气体敏感度的现象。
颜永美沈华蔡玉霜
关键词：二氧化锡CVD法
气体吸附对SnO_2／Si光电压的影响被引量：2
1996年
测量了ＳｎＯ２／Ｓｉ表面吸附Ｈ２、液化石油气等还原性气体前后光电压的变化；分析、讨论了ＳｎＯ２／Ｓｉ表面的吸附性和机理。
沈 华朱文章吴孙桃蔡玉霜
关键词：半导体材料异质结
制备条件对SnO_2／Si性质的影响被引量：1
1995年
研究了沉积温度、ＳｎＣｌ４溶液的浓度、掺Ｐｄ等对ＳｎＯ２／Ｓｉ光电压的影响，测量了ＳｎＯ２／Ｓｉ的光电压谱，得出最佳的制备条件，进行了有关计算和分析。
沈华朱文章王余姜蔡玉霜
关键词：化学气相沉积光伏特性硅二氧化锡
直拉硅单晶热处理及其对太阳电池性能的影响
1992年
研究了直拉头尾料P型硅单晶片在360～1 300℃范围热处理前后氧碳含量、电阻率和少子扩散长度的变化规律及其对所制成太阳电池性能的影响。已证实在最佳的热处理条件下样品含氧量减少,少子扩散长度和电池效率达到最大,比未作热处理的单晶电池效率提高0.5～2倍,为利用这类单晶提供了有效方法。对此现象用热施主与深中心相互作用的模型作了初步解释。
蔡玉霜陈朝
关键词：硅单晶太阳电池
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