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王文宝

作品数:2 被引量:4H指数:1
供职机构:苏州大学分析测试中心更多>>
发文基金:江苏省高校自然科学研究项目更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氧化硅薄膜
  • 1篇碳化硅
  • 1篇吸收谱
  • 1篇晶粒
  • 1篇晶粒取向
  • 1篇基片
  • 1篇基片温度
  • 1篇共掺
  • 1篇共掺杂
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇红外吸收
  • 1篇红外吸收谱
  • 1篇二氧化硅薄膜
  • 1篇发光
  • 1篇SI
  • 1篇FE
  • 1篇掺杂

机构

  • 2篇苏州大学

作者

  • 2篇吴雪梅
  • 2篇王文宝
  • 2篇诸葛兰剑
  • 1篇成珏飞
  • 1篇姚伟国

传媒

  • 1篇功能材料
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2004
  • 1篇2002
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
基片及基片温度对Fe_4N薄膜的形成及其特性的影响被引量:3
2002年
以双离子束溅射法在 (111)硅片和玻璃上分别制得了单一γ′ Fe4 N薄膜 ,研究了基片及基片温度对薄膜的结构和磁性能的影响。结果表明 ,以 (111)硅片为基片 ,可制得无晶粒择优取向的单一γ′ Fe4 N相 ;而以玻璃为基片 ,在基片温度为160℃时 ,则可制得具有 (10 0 )面晶粒取向的单一γ′ Fe4 N相薄膜 ;与无晶粒择优取向的γ′ Fe4 N相比较 ,具有 (10 0 )面晶粒取向的γ′ Fe4 N相的矫顽力较低 ,易达到磁饱和 ,但二者的饱和磁化强度基本一致。
诸葛兰剑姚伟国吴雪梅王文宝
关键词:基片温度基片晶粒取向
Si和C共掺杂的SiO_2薄膜的光致发光被引量:1
2004年
采用双离子束溅射技术制备了Si和C共掺杂的SiO2薄膜,在N2气氛下进行了不同温度的退火处理。分析了样品在室温下的光致发光(PL)特性,在该样品中观察到分别位于410nm和470nm的两个发光峰。这两个发光峰的强度随着退火温度的变化呈现不同的变化趋势,表明两个发光峰的来源并不相同。用XRD和FTIR测试手段分析了样品的结构,认为470nm的发光来源于中性氧空位缺陷(O3≡Si-Si≡O3),而410nm的发光来源于Si1-xCx纳米晶粒与SiO2基质之间的界面缺陷。
成珏飞吴雪梅诸葛兰剑王文宝
关键词:光致发光红外吸收谱碳化硅掺杂二氧化硅薄膜
共1页<1>
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