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王安锋

作品数：4 被引量：2H指数：1
供职机构：长春理工大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 4篇激光
  • 4篇激光器
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体功率放...
  • 3篇减反射膜
  • 2篇功率放大
  • 1篇光功率
  • 1篇GAALAS
  • 1篇INGAAS...

机构

  • 4篇长春理工大学
  • 1篇中国第一汽车...

作者

  • 4篇王安锋
  • 3篇王征宇
  • 3篇杨琏
  • 3篇李松柏
  • 3篇杨晓妍
  • 2篇刘丹
  • 1篇朱明方
  • 1篇任大翠
  • 1篇薄报学
  • 1篇博报学

传媒

  • 2篇激光与红外
  • 1篇长春理工大学...

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2006
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
InGaAsP/InP半导体功率放大激光器耦合效率的研究
2008年
通过对波长1.3μm InGaAsP/InP的半导体功率放大激光器端面镀SiO减反射膜工艺过程,从理论和实验上分析了涂层特性,透射率由无膜时的69%和32.6%提高到镀膜后的90%和80%以上,提高器件的耦合效率、输出光功率和工作寿命。
杨琏杨晓妍王征宇李松柏王安锋薄报学
关键词：半导体功率放大减反射膜
半导体功率放大激光器耦合效率的研究被引量：2
2006年
通过对波长808nm的GaA lAs/GaAs半导体功率放大激光器端面镀SiO减反射膜工艺过程,从理论和实验上分析了其涂层特性,透射率由无膜时的69%和32.6%提高到镀膜后的90%和80%以上,提高器件的耦合效率、输出光功率和工作寿命。
杨琏杨晓妍朱明方刘丹王征宇李松柏王安锋博报学任大翠
关键词：减反射膜
半导体功率放大激光器耦合效率的研究
本论文通过对波长为1.3μm、InGaAsP/InP材料的半导体功率放大激光器的特殊结构的分析和研究，采取在半导体功率放大激光器相应的腔面镀膜的方法，以获得高的增益、降低阈值电流、提高激光器的光耦合效率以及光输出功率。为...
王安锋
关键词：半导体功率放大激光器光功率
文献传递
GaAlAs半导体功率放大激光器耦合效率的研究
2006年
通过对波长808nm的GaAIAs／GaAs半导体功率放大激光器端面镀ZrO2减反射膜工艺过程,从理论和实验上分析了涂层特性,透射率由无膜时的69％和32．6％提高到镀膜后的90％和80％以上,提高器件的耦合效率、输出光功率和工作寿命。
杨晓妍杨琏刘丹王征宇李松柏王安锋
关键词：半导体功率放大减反射膜
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