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杨琏

作品数:7 被引量:9H指数:2
供职机构:长春理工大学更多>>
相关领域:电子电信文化科学更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇文化科学

主题

  • 5篇激光
  • 5篇激光器
  • 5篇半导体
  • 5篇半导体功率放...
  • 3篇减反射膜
  • 3篇功率放大
  • 2篇谐振腔
  • 1篇学生创新能力
  • 1篇培养工科学生
  • 1篇培养学生创新...
  • 1篇物理实验
  • 1篇列阵
  • 1篇教学
  • 1篇教学改革
  • 1篇工科
  • 1篇工科学生
  • 1篇功率放大器
  • 1篇放大器
  • 1篇高反射膜
  • 1篇半导体激光

机构

  • 7篇长春理工大学
  • 2篇吉林大学
  • 1篇中国第一汽车...

作者

  • 7篇杨琏
  • 5篇杨晓妍
  • 3篇王征宇
  • 3篇李松柏
  • 3篇朱明方
  • 3篇王安锋
  • 2篇刘丹
  • 2篇任大翠
  • 2篇刘杰
  • 1篇叶文
  • 1篇李光耀
  • 1篇王兴权
  • 1篇高飞
  • 1篇薄报学
  • 1篇陈新邑
  • 1篇赵孟
  • 1篇博报学

传媒

  • 3篇激光与红外
  • 2篇长春理工大学...
  • 2篇长春理工大学...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2003
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
InGaAsP/InP半导体功率放大激光器耦合效率的研究
2008年
通过对波长1.3μm InGaAsP/InP的半导体功率放大激光器端面镀SiO减反射膜工艺过程,从理论和实验上分析了涂层特性,透射率由无膜时的69%和32.6%提高到镀膜后的90%和80%以上,提高器件的耦合效率、输出光功率和工作寿命。
杨琏杨晓妍王征宇李松柏王安锋薄报学
关键词:半导体功率放大减反射膜
半导体功率放大激光器耦合效率的研究被引量:2
2006年
通过对波长808nm的GaA lAs/GaAs半导体功率放大激光器端面镀SiO减反射膜工艺过程,从理论和实验上分析了其涂层特性,透射率由无膜时的69%和32.6%提高到镀膜后的90%和80%以上,提高器件的耦合效率、输出光功率和工作寿命。
杨琏杨晓妍朱明方刘丹王征宇李松柏王安锋博报学任大翠
关键词:减反射膜
深入教学改革 培养学生创新能力被引量:6
2005年
对于传统的物理实验教学内容进行改革,开放实验室,增加一些综合性设计性实验,培养学生创新能力,建立一个可以发挥的空间。
杨琏赵孟
关键词:物理实验教学改革
GaAlAs半导体功率放大激光器耦合效率的研究
2006年
通过对波长808nm的GaAIAs/GaAs半导体功率放大激光器端面镀ZrO2减反射膜工艺过程,从理论和实验上分析了涂层特性,透射率由无膜时的69%和32.6%提高到镀膜后的90%和80%以上,提高器件的耦合效率、输出光功率和工作寿命。
杨晓妍杨琏刘丹王征宇李松柏王安锋
关键词:半导体功率放大减反射膜
多种实践训练相结合,培养工科学生创新意识
2007年
本文分析目前部分大学生对实践教学环节采取消极参与态度的主要原因,提出通过多种实践训练相结合,培养工科大学生创新意识的途径。这些实践环节包括实验、实习、课外活动、创新实习等。
杨琏高飞陈新邑
关键词:工科
半导体功率放大激光器及列阵的研究
2004年
研究一种InGaAsP/InP材料的高功率半导体功率放大器 (LD—SLA)及列阵。器件为双异质结增异导引氧化物条形结构。采用直接耦合方式将半导体激光器 (LD)与功率放大器(SLA)集成一体。输出功率提高一个数量级。并在器件端面镀高反射膜和增透膜 ,使反射率和透射率由无膜时的 31%、 6 9%提高到 94 %以上。提高激光输出 ,保护器件端面。
杨晓妍杨琏朱明方刘杰叶文李光耀王兴权
关键词:高反射膜谐振腔半导体激光器功率放大器
GaAlAs/GaAs半导体功率放大激光器的研究被引量:1
2003年
研究一种GaAlAs/GaAs材料的高功率半导体功率放大激光器(LD-SLA)。器件为双异质结增异导引氧化物条形结构。采用直接耦合方式将半导体激光器(LD)与半导体功率放大器(SLA)集成一体,使单管芯输出光功率提高一个数量级。并在器件端面镀高反射膜和增透膜,使器件端面的反射率和透射率由不镀膜时的29%、71%提高到90%以上,进一步提高激光输出。保护器件端面、提高器件使用寿命。
杨晓妍杨琏朱明方刘杰任大翠
关键词:半导体功率放大激光器GAALAS/GAAS谐振腔
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