潘思明
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 供职机构：哈尔滨师范大学物理与电子工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金黑龙江省研究生创新科研项目黑龙江省高等教育教学改革工程项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信更多>>
- 单根In掺杂ZnO纳米带场效应管的电学性质
- 2014年
- 采用化学气相沉积法合成了In掺杂ZnO纳米带,并对其进行了X射线衍射、光致发光及透射电镜表征.基于单根纳米带,采用廉价微栅模板法制备了背栅场效应管,利用半导体参数测试仪测量了场效应管的输出(Ids-Vds)和转移(Ids-Vgs)特性,得出相关电学参数,其中迁移率值为622 cm2·V-1·s-1,该值明显优于包括ZnO在内的大多数材料;讨论了迁移率提高的可能原因.
- 唐欣月高红潘思明孙鉴波姚秀伟张喜田
- 关键词：ZNO纳米带场效应管迁移率
- 不同In掺杂浓度ZnO纳米带光电性能的研究
- 一维ZnO纳米材料具有良好的紫外发光性能、表面极化性能、高比表面积、高热稳定性以及高化学稳定性等，对比纯ZnO，掺杂的ZnO可以表现出更好的导电性能、更高的透光性和更高的稳定性。因此，对于掺杂ZnO的制备和应用的研究成为...
- 潘思明
- 关键词：ZNO纳米带I-V特性光电性质
- 文献传递
- In掺杂ZnO纳米带电学性质的研究
- 2012年
- 利用化学气相沉积法成功合成了In掺杂ZnO纳米带.通过扫描电子显微镜、X射线能谱仪对样品进行表征.利用微栅模板法制备欧姆接触的光电器件,研究了器件的伏安特性曲线及紫外光敏特性.结果表明,In掺杂ZnO纳米带的导电能力远远高于纯ZnO纳米带,电阻仅为纯ZnO纳米带的1/50,但是其光敏特性不及纯ZnO纳米带,开关比仅为纯ZnO纳米带的1/20.
- 潘思明高红郎颖李凯唐欣月顾海佳
- 关键词：伏安特性光响应
- 基于梳状分等级结构ZnO纳米带的快速响应VOC气体传感器
- 2013年
- 通过化学气相沉积法(CVD)合成出梳状分等级结构的ZnO纳米带,使用场发射扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对材料组成和结构进行了分析。利用这种材料制备了厚膜型管式气敏元件,并采用静态配气测试系统进行了气敏性能测试。测试结果表明,工作温度大约为225℃时,这种结构的材料对有机挥发性气体(volatile organic compounds,VOC)具有极快的响应和恢复速度,响应时间为2s,恢复时间为3s。最后分析了材料结构对气敏性能的影响。
- 王广宁高红陈婷婷潘思明崔嘉珊孙鉴波
- 关键词：VOC气敏传感器ZNO纳米带
