唐欣月
- 作品数：6 被引量：1H指数：1
- 供职机构：哈尔滨师范大学更多>>
- 发文基金：黑龙江省教育厅科学技术研究项目黑龙江省研究生创新科研项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- In掺杂ZnO纳米带电学性质的研究
- 2012年
- 利用化学气相沉积法成功合成了In掺杂ZnO纳米带.通过扫描电子显微镜、X射线能谱仪对样品进行表征.利用微栅模板法制备欧姆接触的光电器件,研究了器件的伏安特性曲线及紫外光敏特性.结果表明,In掺杂ZnO纳米带的导电能力远远高于纯ZnO纳米带,电阻仅为纯ZnO纳米带的1/50,但是其光敏特性不及纯ZnO纳米带,开关比仅为纯ZnO纳米带的1/20.
- 潘思明高红郎颖李凯唐欣月顾海佳
- 关键词：伏安特性光响应
- 单根In掺杂ZnO纳米带场效应管的电学性质
- 2014年
- 采用化学气相沉积法合成了In掺杂ZnO纳米带,并对其进行了X射线衍射、光致发光及透射电镜表征.基于单根纳米带,采用廉价微栅模板法制备了背栅场效应管,利用半导体参数测试仪测量了场效应管的输出(Ids-Vds)和转移(Ids-Vgs)特性,得出相关电学参数,其中迁移率值为622 cm2·V-1·s-1,该值明显优于包括ZnO在内的大多数材料;讨论了迁移率提高的可能原因.
- 唐欣月高红潘思明孙鉴波姚秀伟张喜田
- 关键词：ZNO纳米带场效应管迁移率
- 单根ZnO纳米线的光敏及场效应管性质研究被引量：1
- 2014年
- 采用化学气相沉积法合成了ZnO纳米线,并对其进行了扫描电镜以及光致发光表征.基于ZnO纳米线,采用微栅模板法制备了光电器件及背栅场效应晶体管.利用半导体参数测试仪测量了ZnO纳米线的I-V特性、光响应特征及场效应管的输出特性等.实验表明,ZnO纳米线具有良好的紫外光敏感度,预示了良好的光电探测应用前景及FET的应用可能性.
- 唐欣月张锷高红
- 关键词：ZNO纳米线光响应场效应管
- 单根ZnO纳米线低温条件下的电子输运及光敏性质
- 2014年
- 用化学气相沉积的方法合成了ZnO纳米线,采用微栅模板法制得电极从而获得欧姆接触的单根ZnO纳米线半导体器件.通过研究60～300 K范围内的电阻变化情况,发现在整个温度区间内存在热激活和近程跳跃两种传输机制.在300,200,100K的条件下分别测试了器件的紫外光响应和恢复情况,结果表明:低温下器件对紫外光的敏感性提高,电流的恢复时间随着温度的降低而延长.
- 顾海佳唐欣月杨守斌
- 关键词：ZNO纳米线
- 光辐照对单根In掺杂ZnO纳米线电学性质的影响
- 2014年
- 通过化学气相沉积方法成功制备了高质量的In掺杂ZnO纳米线。选用325 nm的He-Cd激光器做为光源,进一步探究了单根In掺杂ZnO纳米线的光响应特性。结果表明:紫外光辐照可使金属电极与纳米线之间的有效肖特基接触势垒下降,使接触类型由肖特基接触转变到欧姆接触;撤去紫外光后,电极与纳米线之间的接触可以恢复到未光照时的肖特基接触。讨论了肖特基接触与欧姆接触之间转变的物理机制。
- 王明姣高红温静唐欣月张锷
- 关键词：紫外光辐照肖特基接触欧姆接触
- Au纳米颗粒对单根ZnO纳米带电学性质的影响
- 2015年
- 利用化学气相沉积法在硅衬底上合成高产的Zn O纳米带,采用微栅模板法得到单根Zn O纳米带半导体器件,通过溅射Au纳米颗粒对单根Zn O纳米带进行表面修饰,测得器件在紫外光和暗环境下的I-V特性曲线,研究了影响单根Zn O纳米带光电流和暗电流的因素.结果表明:Au纳米颗粒对两种环境下的电流变化的影响是不同的,光电流随Au纳米颗粒的增多呈现先增大后减小的变化趋势,而暗电流随Au纳米颗粒的增多呈现持续增大的变化趋势.讨论了影响电流变化的可能的机制.
- 程秀轩马姝哲唐欣月
- 关键词：ZNO纳米带表面修饰
