柴燕华
- 作品数：3 被引量：7H指数：2
- 供职机构：内蒙古大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：内蒙古自治区自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- Sb掺杂Sn_2S_3薄膜的表征及电学特性被引量：5
- 2011年
- 真空蒸发制备Sb掺杂Sn2S3多晶薄膜。研究不同比例Sb掺杂对Sn2S3薄膜的电学、结构、表面形貌、化学组分的影响,实验给出掺Sb5%薄膜经380℃热处理30 min可获得结构良好正交晶系的Sn2S3∶Sb多晶薄膜,薄膜的电阻率从未掺杂时的79kΩ.cm降到23.7Ω.cm,下降了三个数量级。Sn2S3薄膜表面为颗粒状,体内化学计量比Sn/S为1∶1.49,与标准计量比非常接近;掺Sb(5%)后为1∶0.543,Sn过量。Sn和S以Sn2+,Sn4+,S2-形式存在于薄膜中;Sb元素显示正5价,部分Sb5+进入晶格替位Sn4+。
- 柴燕华李健卢建丽
- 关键词：电学特性
- Zn掺杂改善SnS2薄膜电学性能
- 真空单源共蒸发法制备Zn掺杂SnS2薄膜,氮气保护对薄膜进行不同条件热处理.用X射线衍射仪、原子力显微镜、手动轮廓仪、光电子能谱仪、紫外-可见分光光度计、台式繁用表和冷热探针等对薄膜的物相结构、表面形貌、光电性能进行测试...
- 柴燕华
- 关键词：光电特性
- 文献传递
- 掺Zn改善SnS_2光电薄膜的性能被引量：3
- 2013年
- 热蒸发制备Zn掺杂SnS2薄膜,研究不同Zn含量及热处理条件对薄膜的物相结构、表面形貌和光电性能的影响。实验给出用Sn∶S=1∶1.08(wt)混合粉末沉积的薄膜,经380℃、15min热处理后得到简单正交晶系的SnS2薄膜;9(wt%)掺Zn后的薄膜热处理条件为370℃、20min。Sn、S和Zn分别以正4价、负2价和正2价存在于薄膜中。SnS2薄膜的直接光学带隙为2.12eV,掺Zn后为2.07eV;薄膜的电阻率从未掺Zn时的4.97×102Ω.cm降低到2.0Ω.cm,下降了两个数量级,所有SnS2薄膜导电类型均为N型。
- 康海涛李健柴燕华
- 关键词：热蒸发
